色哟哟视频在线观看-色哟哟视频在线-色哟哟欧美15最新在线-色哟哟免费在线观看-国产l精品国产亚洲区在线观看-国产l精品国产亚洲区久久

0
  • 聊天消息
  • 系統消息
  • 評論與回復
登錄后你可以
  • 下載海量資料
  • 學習在線課程
  • 觀看技術視頻
  • 寫文章/發帖/加入社區
會員中心
創作中心

完善資料讓更多小伙伴認識你,還能領取20積分哦,立即完善>

3天內不再提示

一文搞懂MOSFET和BJT的18點區別

華秋商城 ? 2022-05-26 09:18 ? 次閱讀

晶體管 BJT 和MOSFET 都適用于放大和開關應用。然而,它們具有顯著不同的特征。

db267b14-dc49-11ec-b80f-dac502259ad0.png

圖源:華秋商城雙極結型晶體管 (BJT)雙極結型晶體管,通常稱為 BJT,從結構上看,就像兩個背靠背連接的 pn 結二極管。BJT由三個端子組成,即發射極(Emitter,E)、基極(Base,B)和集電極(Collector,C)。db4e2f10-dc49-11ec-b80f-dac502259ad0.png雙極結型晶體管根據結構,雙極結型晶體管分為 NPN 和 PNP 晶體管。在 NPN 晶體管中,薄薄的一層 p 型半導體夾在兩個 n 型半導體之間,而在 PNP 晶體管中,薄薄的一層 n 型半導體夾在兩個 p 型半導體之間。PNP 和 NPN的電荷載流子不同,NPN以空穴為主要載流子,而PNP以電子為主要載流子。但兩者的工作原理實際上是相同的,唯一的區別在于偏置,以及每種類型的電源極性。db766c14-dc49-11ec-b80f-dac502259ad0.pngBJT符號BJT是一個電流控制裝置,集電極或發射極輸出是基極電流的函數。比如,通過調基極和發射極之間電壓,可以控制集電極的電流,如下圖所示。db8fe928-dc49-11ec-b80f-dac502259ad0.pngBJT工作電壓的變化會影響基極的電流,而該電流又會影響晶體管的輸出電流。由此可見,在BJT里,是輸入電流控制著輸出電流。許多人更喜歡 BJT 用于低電流應用,例如用于開關,因為它們更便宜。BJT被廣泛用作放大器、開關或振蕩器等應用。dbb17ade-dc49-11ec-b80f-dac502259ad0.png雙極結型晶體管金屬氧化物半導體場效應晶體管(MOSFET )金屬氧化物半導體場效應晶體管,俗稱MOSFET,是一種主要由硅半導體材料制成的場效應晶體管,是最常用的晶體管類型。MOSFET具有三個端子:源極、柵極和漏極。它的頂部有金屬端子,端子下方有氧化硅層,而半導體材料形成底層——由此形成金屬-氧化物-半導體場效應晶體管。dbfd7024-dc49-11ec-b80f-dac502259ad0.pngMOSFET結構
與 BJT 不同,MOSFET不存在基極電流。MOSFET是一種電壓控制器件,氧化物絕緣柵電極上的電壓可以生成用于在其他觸點“源極和漏極”之間傳導的通道,進而控制漏極電流。即MOSFET柵極上的電壓會產生一個電場,允許電流在源極和漏極之間流動,但該電流可能被柵極上的電壓夾斷或打開。根據工作原理,MOSFET分為增強型MOSFET和耗盡型MOSFET。增強型 MOSFET 在正常情況下保持關閉狀態,需要柵極電壓才能將其打開,而耗盡型 MOSFET 在正常情況下保持打開狀態,需要柵極電壓才能將其關閉。dc2d7e54-dc49-11ec-b80f-dac502259ad0.pngMOSFET分類
MOSFET 的優點在于它們可以更有效地處理功率,功耗更低。如今,MOSFET 是數字和模擬電路中最常用的晶體管,取代了當時非常流行的 BJT。最后,簡單總結下兩者的重要區別:

● BJT 是雙極器件,而 MOSFET 是單極器件。

● BJT 有發射極、集電極和基極,而 MOSFET 有柵極、源極和漏極。

● BJT 是電流控制器件,由基極電流控制;而 MOSFET 是電壓控制器件,由柵極電壓控制。

● BJT 的開關速度限制高于 MOSFET。

● BJT 適合小電流應用,而 MOSFET 適合大功率功能。

● 在數字和模擬電路中,目前認為 MOSFET 比 BJT 更常用。

● BJT和MOSFET都有廣泛的應用。在選擇合適的器件時,需要考慮開關速度、控制方法、功耗、負載類型、效率和成本等幾個因素。

dc556ab8-dc49-11ec-b80f-dac502259ad0.png

關于華秋商城

華秋商城是國內領先的電子元器件采購一站式服務平臺,與3000多家原廠合作,自營現貨20萬+,全球SKU 2000萬+,2小時極速發貨!

聲明:本文內容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網站授權轉載。文章觀點僅代表作者本人,不代表電子發燒友網立場。文章及其配圖僅供工程師學習之用,如有內容侵權或者其他違規問題,請聯系本站處理。 舉報投訴
  • MOSFET
    +關注

    關注

    147

    文章

    7158

    瀏覽量

    213161
收藏 人收藏

    評論

    相關推薦

    有的MOSFET電路柵源極為什么要并聯穩壓二極管?搞懂MOS Vdss,Vgss,Id,Idm參數選型

    哦! 原文標題:有的MOSFET電路柵源極為什么要并聯穩壓二極管?搞懂MOS Vds
    的頭像 發表于 11-21 14:07 ?941次閱讀

    mos管工作原理和應用 mos管與bjt區別

    MOSFET(金屬氧化物半導體場效應晶體管)和BJT(雙極型晶體管)是兩種常見的半導體器件,它們在電子電路中扮演著重要的角色。 MOSFET工作原理 MOSFET
    的頭像 發表于 11-15 10:54 ?660次閱讀

    看懂SGT MOSFET的市場前景

    特別之處,只是在傳統溝槽MOSFET的工藝基礎上做結構改進,提升了元器件愛你的穩定性、低損耗等性能而已。具體一點就是提升了器件的開關特性和導通特性,降低了器件的特征導通電阻(Rsp)和柵極電荷(Qg
    的頭像 發表于 11-08 10:36 ?1212次閱讀
    <b class='flag-5'>一</b><b class='flag-5'>文</b>看懂SGT <b class='flag-5'>MOSFET</b>的市場前景

    CMOS晶體管和MOSFET晶體管的區別

    CMOS晶體管和MOSFET晶體管在電子領域中都扮演著重要角色,但它們在結構、工作原理和應用方面存在顯著的區別。以下是對兩者區別的詳細闡述。
    的頭像 發表于 09-13 14:09 ?1550次閱讀

    SiC MOSFET和SiC SBD的區別

    SiC功率器件,但在工作原理、特性、應用及優缺點等方面存在顯著的差異。以下是對SiC MOSFET和SiC SBD之間區別的詳細分析。
    的頭像 發表于 09-10 15:19 ?1552次閱讀

    LM2904-N和LM2904的區別是什么?

    關于LM2904-N和LM2904區別
    發表于 09-10 08:26

    在設計中使用MOSFET安全工作曲線

    電子發燒友網站提供《在設計中使用MOSFET安全工作曲線.pdf》資料免費下載
    發表于 09-07 10:55 ?1次下載
    在設計中使用<b class='flag-5'>MOSFET</b>安全工作<b class='flag-5'>區</b>曲線

    功率mosfet應工作于什么

    )時的工作狀態。在截止MOSFET的溝道未形成,因此漏極電流(Id)為零。此時,功率MOSFET相當于個關斷的開關,其等效電路可以看作是
    的頭像 發表于 07-11 15:12 ?1553次閱讀

    MOSFET的基本結構與工作原理

    。 圖5給出個實際MOSFET在室溫下的正偏置時輸出特性曲線,即在不同的柵極電壓情況下,MOSFET端電壓與流經的電流的關系曲線族。圖中是以實驗的形式給出,將線性
    發表于 06-13 10:07

    深入淺出帶你搞懂-MOSFET柵極電阻

    MOSFET簡介MOSFET是金屬(metal)—氧化物(oxide)—半導體(semiconductor)場效應晶體管,屬于電壓控制電流型元件,是開關電路中的基本元件,其柵極(G極)內阻極高
    的頭像 發表于 05-09 08:10 ?2.3w次閱讀
    深入淺出帶你<b class='flag-5'>搞懂</b>-<b class='flag-5'>MOSFET</b>柵極電阻

    MOSFET和IGBT區別及高導熱絕緣氮化硼材料在MOSFET的應用

    引言:EV和充電樁將成為IGBT和MOSFET最大單產業鏈市場!EV中的電機控制系統、引擎控制系統、車身控制系統均需使用大量的半導體功率器件,它的普及為汽車功率半導體市場打開了增長的窗口。充電樁中
    的頭像 發表于 02-19 12:28 ?1040次閱讀
    <b class='flag-5'>MOSFET</b>和IGBT<b class='flag-5'>區別</b>及高導熱絕緣氮化硼材料在<b class='flag-5'>MOSFET</b>的應用

    IGBT和MOSFET在對飽和的定義差別

    它們對飽和的定義有些差別。 首先,讓我們從基本原理開始理解飽和。在晶體管中,飽和是電流最大的區域,通常被用來實現開關操作。晶體管在飽和
    的頭像 發表于 02-18 14:35 ?2135次閱讀

    mosfet漏極外接二極管的作用 mosfet源極和漏極的區別

    漏極外接二極管(Drain-Source Diode,簡稱D-S二極管)在MOSFET電路中起到了重要的作用,本文將介紹MOSFET源極和漏極之間的區別。 首先,讓我們起了解
    的頭像 發表于 01-31 13:39 ?2064次閱讀

    BJT的工作原理介紹

    半導體和P型半導體。在這兩種半導體之間形成個PN結,形成兩個區域:發射和基區。發射是N型半導體,基區是P型半導體。在發射和基區間的區域稱為集電區,可以是P型或N型半導體。
    的頭像 發表于 12-30 11:56 ?1.1w次閱讀
    <b class='flag-5'>BJT</b>的工作原理介紹

    詳解MOSFET

    晶體管是電子學和邏輯電路中的基本構件,用于開關和放大。MOSFET是場效應晶體管(FET)的種,其柵極通過使用絕緣層進行電隔離。因此,它也被稱為IGFET(絕緣柵場效應晶體管)。
    的頭像 發表于 12-29 09:58 ?2330次閱讀
    <b class='flag-5'>一</b><b class='flag-5'>文</b>詳解<b class='flag-5'>MOSFET</b>
    主站蜘蛛池模板: 国产精品视频在线自在线| 99re久久热在线视频| 68日本xxxxxxxx79| 国产精品成人无码久免费| 久久精品国产亚洲AV影院| 日韩欧美一区二区三区免费观看| 亚洲日本va中文字幕久久| A级毛片高清免费网站不卡| 国内一级一级毛片a免费| 日本女人bb| 6080yy奇领电影在线看| 国产在线精品视频二区| 日韩精品久久久久影院| 中文字幕偷乱免费视频在线| 国产全部视频列表支持手机| 欧美另类极品videosbest| 中文字幕在线视频免费观看| 国产在线一卡二卡| 伸进同桌奶罩里摸她胸作文| 99久久就热视频精品草| 绞尽奶汁by菊花开| 胸大美女又黄的网站| 国产a级黄色毛片| 日本片bbbxxx| 扒开粉嫩的小缝末成年小美女| 麻豆E奶女教师国产精品| 一二三四视频免费社区5| 果冻传媒在线观看网站| 无套暴躁白丝秘书| 国产麻豆AV伦| 亚洲国产精品线在线观看| 国产交换丝雨巅峰| 小蝌蚪视频在线观看免费观看WWW 小货SAO边洗澡边CAO你动漫 | 东莞桑拿美女| 色狠狠xx| 国产精品成人影院| 天美麻豆成人AV精品视频| 国产h视频免费观看| 乌克兰xxxxx| 国产女人喷潮视频免费| 亚洲AV久久无码精品九九软件|