肖特基二極管，又稱熱載流子二極管，通過金屬和半導體接觸(肖特基接觸)形成肖特基勢壘，實現整流。與普通PN結二極管相比，肖特基二極管的反向恢復慣性非常低。因此，肖特基二極管適用于高頻整流或高速開關。

碳化硅（SiC）是一種高性能的半導體材料，基于SiC的肖特基二極管（SiC Schottky Diode）具有更高能效、更高功率密度、更小尺寸和更高的可靠性，可以在電力電子技術領域打破硅的極限，成為新能源及電力電子的首選器件。

碳化硅肖特基二極管的特點

碳化硅的能帶間隔為硅的2.8倍（寬禁帶），達到3.09電子伏特。其絕緣擊穿場強為硅的5.3倍，高達3.2MV/cm，其導熱率是硅的3.3倍，為49w/cm·k。它與硅半導體材料一樣，可以制成結型器件、場效應器件、和金屬與半導體接觸的肖特基二極管。它的特點是：

（1）碳化硅單載流子器件漂移區薄，開態電阻小。比硅器件小100-300倍。由于有小的導通電阻，碳化硅功率器件的正向損耗小；

（2）碳化硅功率器件由于具有高的擊穿電場而具有高的擊穿電壓。例如，商用的硅肖特基的電壓小于300V，而第一個商用的碳化硅肖特基二極管的擊穿電壓已達到600V；

（3）碳化硅有較高的熱導率；

（4）碳化硅器件可在較高溫度下工作，而硅器件的最大工作溫度僅為150oC；

（5）碳化硅具有很高的抗輻照能力；

（6）碳化硅功率器件的正反向特性隨溫度和時間的變化很小，可靠性好；

（7）碳化硅器件具有很好的反向恢復特性，反向恢復電流小，開關損耗小；

（8）碳化硅器件可減少功率器件體積和降低電路損耗。

應用

碳化硅肖特基二極管可廣泛應用于開關電源、功率因素校正（PFC）電路、不間斷電源（UPS）、光伏逆變器等中高功率領域，可顯著的減少電路的損耗，提高電路的工作頻率。

在PFC電路中用碳化硅SBD取代原來的硅FRD，可使電路工作在300kHz以上，效率基本保持不變，而相比下使用硅FRD的電路在100kHz以上的效率急劇下降。隨著工作頻率的提高，電感等無源原件的體積相應下降，整個電路板的體積下降30%以上。

01 射頻混頻器和探測二極管應

肖特基二極管具有很高的開關速度和高頻性能，這使得它們能夠很好地用于射頻應用。此外，肖特基二極管具有各種金屬-半導體結配置，使得這些半導體器件在功率檢測器或混頻器電路中有用。

02 功率整流器應用

肖特基二極管是用于功率整流器應用的最佳半導體器件，因為這些器件具有高電流密度和低正向電壓降，與普通PN結器件的特性不同。這些優點有助于降低熱量水平，減少設計中包含的散熱器，并提高電子系統的整體效率。

03 電源或電路應用

肖特基二極管可用于由兩個并聯電源產生電流的應用中。肖特基二極管的特性使其很好地適用于電力或電路應用，因為它們的低正向電壓降。這些二極管的存在還可以防止反向電流從一個電源流入另一個電源。

04 太陽能電池應用

太陽能電池通常與可充電電池相連以儲存能量，因為太陽不是一天24小時的能源。SiC肖特基二極管防止電池在夜間通過太陽能電池放電，防止高性能太陽能電池通過低性能太陽能電池放電。

05 箝位二極管應用

肖特基二極管用作快速鉗位二極管應用中的開關。在這個應用中，基極結是正向偏置的。使用肖特基二極管，關斷時間顯著縮短，電路速度提高。

魯晶半導體

濟南魯晶半導體有限公司是一家以半導體二、三極管、MOS管、碳化硅功率器件研發、生產、銷售為主導的國家級高新技術企業，中國半導體行業協會理事單位，山東半導體商會（聯盟）副會長兼秘書長單位，ISO9001：2015質量管理體系和ISO14001:2015環境管理體系認證企業。總部位于國家級濟南高新產業開發區天辰大街978號，在深圳和蘇州設有辦事處,為周邊客戶提供半導體二、三極管的銷售與技術支持。

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