聲明:本文內容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網站授權轉載。文章觀點僅代表作者本人,不代表電子發燒友網立場。文章及其配圖僅供工程師學習之用,如有內容侵權或者其他違規問題,請聯系本站處理。
舉報投訴
-
SiC
+關注
關注
29文章
2839瀏覽量
62714
發布評論請先 登錄
相關推薦
減少減薄碳化硅紋路的方法
碳化硅(SiC)作為一種高性能半導體材料,因其出色的熱穩定性、高硬度和高電子遷移率,在電力電子、微電子、光電子等領域得到了廣泛應用。在SiC器件的制造過程中,碳化硅片的減薄是一個重要環
什么是MOSFET柵極氧化層?如何測試SiC碳化硅MOSFET的柵氧可靠性?
隨著電力電子技術的不斷進步,碳化硅MOSFET因其高效的開關特性和低導通損耗而備受青睞,成為高功率、高頻應用中的首選。作為碳化硅MOSFET器件的重要組成部分,柵極氧化
發表于 01-04 12:37
碳化硅的未來發展趨勢
源轉換 碳化硅材料的高電子遷移率和高熱導率使其在電力電子領域具有顯著優勢。特別是在高功率轉換器中,碳化硅器件能夠實現更高的效率和更小的體積。隨著電動汽車和可再生能源
碳化硅功率器件在能源轉換中的應用
碳化硅(SiC)功率器件作為一種新興的能源轉換技術,因其優異的性能在能源領域受到了廣泛的關注。本文將介紹碳化硅功率器件的
SiC MOSFET溝道遷移率提升工藝介紹
過去三十年,碳化硅功率半導體行業取得了長足的進步,但在降低缺陷方面依然面臨著重大挑戰。其主要問題是——碳化硅與柵氧化層之間的界面處存在著大量的缺陷。在NMOS中, 反
碳化硅晶圓和硅晶圓的區別是什么
以下是關于碳化硅晶圓和硅晶圓的區別的分析: 材料特性: 碳化硅(SiC)是一種寬禁帶半導體材料,具有比硅(Si)更高的熱導率、電子遷移率和擊穿電場。這使得碳化硅晶圓在高溫、高壓和高頻應
碳化硅器件的類型及應用
碳化硅是一種廣泛用于制造半導體器件的材料,具有比傳統硅更高的電子漂移率和熱導率。這意味著碳化硅器件能夠在更高的溫度和電壓下工作,同時保持穩定
發表于 04-16 11:54
?758次閱讀
碳化硅(SiC)功率器件特性及應用
碳化硅是一種寬帶隙半導體材料,相比于傳統的硅材料,具有更高的熱導率、更大的電場擊穿強度和更高的載流子遷移率等特點。
發表于 04-10 14:39
?1419次閱讀
碳化硅功率器件的優勢 開啟高效能源轉換新紀元
引領能源轉換和電力電子技術的革命,為各行各業提供了更高效、更可靠的電力解決方案。 一、碳化硅材料簡介 碳化硅是一種由硅和碳組成的化合物半導體材料,具有寬能隙、高電子遷移率、高熱導率和強
碳化硅壓敏電阻 - 氧化鋅 MOV
的碳化硅壓敏電阻由約90%的不同晶粒尺寸的碳化硅和10%的陶瓷粘合劑和添加劑制成。將原材料制成各種幾何尺寸的壓敏電阻,然后在特定的大氣和環境條件下在高溫下燒結。然后將一層黃銅作為電觸點噴上火焰。其他標準
發表于 03-08 08:37
碳化硅功率器件的基本原理、性能優勢、應用領域
碳化硅功率器件主要包括碳化硅二極管(SiC Diode)、碳化硅晶體管(SiC Transistor)等。這些器件通過利用
發表于 02-29 14:23
?1670次閱讀
簡單認識碳化硅功率器件
隨著能源危機和環境污染日益加劇,電力電子技術在能源轉換、電機驅動、智能電網等領域的應用日益廣泛。碳化硅(SiC)功率器件作為第三代半導體材料的代表,具有高溫、高速、高效、高可靠性等優點,被譽為“未來電力電子的新星”。本文將詳細介
碳化硅逆變器是什么 功能介紹
等。這些特性使得碳化硅逆變器在電力電子領域具有廣泛的應用前景,特別是在新能源、電動汽車、軌道交通等領域。碳化硅逆變器的工作原理是利用碳化硅半導體材料的高載流子遷移率和低導通電阻特性,實
評論