附錄C常見SiC多型體主要物理性質
附錄
《碳化硅技術基本原理——生長、表征、器件和應用》
聲明:本文內容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網站授權轉載。文章觀點僅代表作者本人,不代表電子發燒友網立場。文章及其配圖僅供工程師學習之用,如有內容侵權或者其他違規問題,請聯系本站處理。
舉報投訴
-
碳化硅
+關注
關注
25文章
2783瀏覽量
49117
發布評論請先 登錄
相關推薦
什么是MOSFET柵極氧化層?如何測試SiC碳化硅MOSFET的柵氧可靠性?
隨著電力電子技術的不斷進步,碳化硅MOSFET因其高效的開關特性和低導通損耗而備受青睞,成為高功率、高頻應用中的首選。作為碳化硅MOSFET器件的重要組成部分,柵極氧化層對
發表于 01-04 12:37
碳化硅SiC在光電器件中的使用
。 高熱導率 :SiC的熱導率是Si的三倍以上,有助于器件的散熱。 高電子飽和速度 :SiC的電子飽和速度高于Si,適合于高速電子器件。 化學穩定性 :
碳化硅SiC在電子器件中的應用
隨著科技的不斷進步,電子器件的性能要求也日益提高。傳統的硅(Si)材料在某些應用中已經接近其物理極限,尤其是在高溫、高壓和高頻領域。碳化硅(SiC)作為一種寬帶隙(WBG)半導體材料,
碳化硅功率器件的特點和應用
隨著全球能源危機和環境問題的日益突出,高效、環保、節能的電力電子技術成為了當今研究的熱點。在這一領域,碳化硅(SiC)功率器件憑借其出色的物理性
簡單認識碳化硅功率器件
隨著能源危機和環境污染日益加劇,電力電子技術在能源轉換、電機驅動、智能電網等領域的應用日益廣泛。碳化硅(SiC)功率器件作為第三代半導體材料的代表,具有高溫、高速、高效、高可靠性等優點
評論