聲明:本文內容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網站授權轉載。文章觀點僅代表作者本人,不代表電子發燒友網立場。文章及其配圖僅供工程師學習之用,如有內容侵權或者其他違規問題,請聯系本站處理。
舉報投訴
-
碳化硅
+關注
關注
25文章
2902瀏覽量
49504
發布評論請先 登錄
相關推薦
碳化硅功率器件的散熱方法
產生大量熱量,如果散熱不良,會導致器件性能下降甚至失效。因此,高效的散熱方法對于確保碳化硅功率器件的穩定運行至關重要。本文將詳細介紹
什么是MOSFET柵極氧化層?如何測試SiC碳化硅MOSFET的柵氧可靠性?
隨著電力電子技術的不斷進步,碳化硅MOSFET因其高效的開關特性和低導通損耗而備受青睞,成為高功率、高頻應用中的首選。作為碳化硅MOSFET器件
發表于 01-04 12:37
碳化硅功率器件的技術優勢
隨著電力電子技術的飛速發展,傳統的硅基功率器件因其物理特性的限制,已經逐漸難以滿足日益增長的高性能、高效率、高可靠性的應用需求。在這一背景下
碳化硅器件的類型及應用
碳化硅是一種廣泛用于制造半導體器件的材料,具有比傳統硅更高的電子漂移率和熱導率。這意味著碳化硅器件能夠在更高的溫度和電壓下工作,同時保持穩定
發表于 04-16 11:54
?873次閱讀
評論