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通用分立功率半導(dǎo)體
測試評估平臺
型號為EVAL_PS_DP_MAIN,適用產(chǎn)品為600-1200V的TO-247-3/4封裝的IGBT,MOSFET,SiC MOSFET。
該評估平臺的開發(fā)是為了讓工程師研究MOSFET、IGBT及其驅(qū)動器的開關(guān)行為,適用產(chǎn)品為600-1200V的TO-247-3/4封裝的IGBT,MOSFET, SiC MOSFET,它是現(xiàn)有雙脈沖平臺的改進(jìn)版,該主板的最大電壓為800V,最大脈沖電流為130A。
評估平臺包括主板和目前的兩個驅(qū)動子板。模塊化設(shè)計是為了使該平臺能夠在將來用新的驅(qū)動子板進(jìn)行擴(kuò)展。
第一塊驅(qū)動卡
REF-1EDC20I12MHDPV2
包含EiceDRIVER 1EDC Compact 1EDC20I12MH,它集成了一個有源米勒鉗,防止寄生開啟。
第二塊驅(qū)動卡
REF-1EDC60H12AHDPV2
包括EiceDRIVER 1EDC Compact 1EDC60H12AH,允許正負(fù)電源供電,其中VCC2為+15V,GND2為負(fù)極。
產(chǎn)品特點
VCC2柵極驅(qū)動電壓供應(yīng),從-5V到+20V
VCC1電源固定在+5V
通過SMA-BNC連接器進(jìn)行柵極測試點連接
通過可選的同軸分流器測量電流
優(yōu)化的換流回路
外部負(fù)載電感器連接
散熱器設(shè)計允許在各種溫度下進(jìn)行測試
應(yīng)用價值
可以作為客戶系統(tǒng)中驅(qū)動設(shè)計的參考
可以對TO-247-3/4封裝的IGBT,MOSFET, SiC MOSFET進(jìn)行對比測試
模塊化平臺允許未來進(jìn)行擴(kuò)展
平臺框圖
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