6.3.3 熱氧化氧化硅的結構和物理特性
6.3 氧化及氧化硅/SiC 界面特性
第6章碳化硅器件工藝
《碳化硅技術基本原理——生長、表征、器件和應用》
聲明:本文內容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權轉載。文章觀點僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場。文章及其配圖僅供工程師學習之用,如有內容侵權或者其他違規(guī)問題,請聯(lián)系本站處理。
舉報投訴
-
元器件
+關注
關注
112文章
4709瀏覽量
92209
發(fā)布評論請先 登錄
相關推薦
碳化硅MOSFET柵極氧化層缺陷的檢測技術
碳化硅材料在功率器件中的優(yōu)勢碳化硅(SiC)作為第三代化合物半導體材料,相較于傳統(tǒng)硅基器件,展現(xiàn)出了卓越的性能。SiC具有高禁帶寬度、高熱導率、高的擊穿電壓以及高功率密度
碳化硅的應用領域 碳化硅材料的特性與優(yōu)勢
碳化硅的應用領域 碳化硅(SiC),作為一種寬禁帶半導體材料,因其獨特的物理和化學特性,在多個領域展現(xiàn)出廣泛的應用潛力。以下是碳化硅的一些主
碳化硅功率器件在能源轉換中的應用
碳化硅(SiC)功率器件作為一種新興的能源轉換技術,因其優(yōu)異的性能在能源領域受到了廣泛的關注。本文將介紹碳化硅功率器件的
碳化硅功率器件的技術優(yōu)勢
隨著電力電子技術的飛速發(fā)展,傳統(tǒng)的硅基功率器件因其物理特性的限制,已經逐漸難以滿足日益增長的高性能、高效率、高可靠性的應用需求。在這一背景下,碳化硅
碳化硅壓敏電阻 - 氧化鋅 MOV
碳化硅圓盤壓敏電阻 |碳化硅棒和管壓敏電阻 | MOV / 氧化鋅 (ZnO) 壓敏電阻 |帶引線的碳化硅壓敏電阻 | 硅金屬陶瓷復合電阻器 |ZnO 塊壓敏電阻 關于EAK
發(fā)表于 03-08 08:37
碳化硅功率器件的基本原理、性能優(yōu)勢、應用領域
碳化硅功率器件主要包括碳化硅二極管(SiC Diode)、碳化硅晶體管(SiC Transistor)等。這些器件通過利用
發(fā)表于 02-29 14:23
?1636次閱讀
碳化硅功率器件的特點和應用
隨著全球能源危機和環(huán)境問題的日益突出,高效、環(huán)保、節(jié)能的電力電子技術成為了當今研究的熱點。在這一領域,碳化硅(SiC)功率器件憑借其出色的物理性能和電學
簡單認識碳化硅功率器件
隨著能源危機和環(huán)境污染日益加劇,電力電子技術在能源轉換、電機驅動、智能電網(wǎng)等領域的應用日益廣泛。碳化硅(SiC)功率器件作為第三代半導體材料的代表,具有高溫、高速、高效、高可靠性等優(yōu)點,被譽為“未來電力電子的新星”。本文將詳細介
碳化硅功率器件簡介、優(yōu)勢和應用
碳化硅(SiC)是一種優(yōu)良的寬禁帶半導體材料,具有高擊穿電場、高熱導率、低介電常數(shù)等特點,因此在高溫、高頻、大功率應用領域具有顯著優(yōu)勢。碳化硅功率器件是利用碳化硅材料制成的電力電子
碳化硅器件領域,中外的現(xiàn)況如何?
導電型碳化硅功率器件主要是通過在導電型襯底上生長碳化硅外延層,得到碳化硅外延片后進一步加工制成,品種包括SBD(肖特基二極管)、MOSFET
發(fā)表于 12-27 10:08
?441次閱讀
評論