第１章導論

１.１電子學的進展

１.2碳化硅的特性和簡史

１.３本書提綱

第２章碳化硅的物理性質

2.4 總結

2.3 熱學和機械特性

2.2.6 擊穿電場強度

2.2.5 漂移速率

2.2.4 遷移率

2.2.3 雜質摻雜和載流子濃度

2.2.2 光吸收系數和折射率

2.2.1 能帶結構

2.1 晶體結構

第３章碳化硅晶體生長

3.9 總結

3.8 切片及拋光

3.7 化學氣相淀積法生長3C-SiC晶圓

3.6 溶液法生長

3.5 高溫化學氣相沉淀

3.4.3 p型摻雜/3.4.4 半絕緣型

3.4.2 n型摻雜

3.4.1 雜質摻雜
3.3.5 減少缺陷

3.3.4 貫穿刃型位錯及基矢面位錯

3.3.3 貫穿螺型錯位

3.3.2 微管缺陷

3.3.1 堆垛層錯

3.2 升華法生長中多型體控制

3.1.3 建模與仿真

3.1.2 .1 熱力學因素、3.1.2.2 動力學因素

3.1.2 升華（物理氣相運輸）法過程中的基本現象

3.1.1 Si-C相圖

第４章碳化硅外延生長

4.8 總結

4.7.2 3C-SiC在六方SiC上的異質外延生長

4.7.1 3C-SiC在Si上的異質外延

4.6 其他SiC同質外延技術

4.5.3 SiC嵌入式同質外延

4.5.2 SiC在非基矢面上的同質外延

4.5.1 SiC在近正軸{0001}面上的同質外延

4.4 SiC快速同質外延

4.3.2 深能級缺陷

4.3.1.4 次生堆垛層錯

4.3.1.3 位錯

4.3.1.2 微管

4.3.1.1 表面形貌缺陷

4.2.3 p型摻雜

4.2.2 n型摻雜

4.2.1 背景摻雜

4.1.5 SiC外延的反應室設計

4.1.4 表面形貌及臺階動力學

4.1.3 生長速率及建模

4.1.2 SiC同質外延的理論模型

4.1.1 SiC外延的多型體復制

第５章碳化硅的缺陷及表征技術

5.4 總結

5.3.2.1 壽命控制

5.3.2 載流子壽命“殺手”

5.3.1.2 雜質

5.3.1.1 本征缺陷

5.3 SiC中的點缺陷

5.2.3 擴展缺陷對SiC器件性能的影響

5.2.1 SiC主要的擴展缺陷&5.2.2 雙極退化

5.2 SiC的擴展缺陷

5.1.6.2 電子順磁共振

5.1.6.1 深能級瞬態譜

5.1.5.3 光致發光映射/成像、5.1.5.4 表面形貌的高分辨映射

5.1.5.2 X射線形貌

5.1.5.1 化學腐蝕

5.1.4.4 襯底和表面處的載流子復合效應

5.1.4.3 反向恢復（RR）

5.1.4.2 光電導衰減（PCD）

5.1.3 霍爾效應及電容-電壓測試

5.1.2 拉曼散射

5.1.1.5 本征點缺陷

5.1.1.4 其他雜質

5.1.1.3 施主-受主對的復合

5.1.1.2 束縛于中性摻雜雜質的激子

5.1.1 光致發光

5.1 表征技術

第６章碳化硅器件工藝

6.5 總結

6.4.2.3 p型SiC的歐姆接觸

6.4.2.2 n型SiC的歐姆接觸

6.4.2.1 基本原理

6.4.1.2 SiC上的肖特基接觸

6.4.1.1 基本原理

6.3.7 遷移率限制因素

6.3.6 不同晶面上的氧化硅/SiC 界面特性

6.3.5.5 界面的不穩定性

6.3.5.4 其他方法

6.3.5.3 界面氮化

6.3.5.2 氧化后退火

6.3.5.1 界面態分布

6.3.4.8 其他方法

6.3.4.7 電導法

6.3.4.6 C-Ψs方法

6.3.4.5 高低頻方法

6.3.4.3 確定表面勢、6.3.4.4 Terman法

6.3.4.2 MOS電容等效電路

6.3.4.1 SiC特有的基本現象

6.3.3 熱氧化氧化硅的結構和物理特性

6.3.2 氧化硅的介電性能

6.3.1 氧化速率

6.2.3 濕法腐蝕

6.2.2 高溫氣體刻蝕

6.2.1 反應性離子刻蝕

6.1.6 離子注入及后續退火過程中的缺陷行成

6.1.5 高溫退火和表面粗糙化

6.1.4 半絕緣區域的離子注入

6.1.3 p型區的離子注入

6.1.1 選擇性摻雜技術

6.1.1 選擇性摻雜技術

第７章單極型和雙極型功率二極管

7.4 結勢壘肖特基（JBS）二極管與混合pin肖特基（MPS）二極管

7.3.4 電流-電壓關系

7.3.3 “i”區的電勢下降

7.3.2 “i”區中的載流子濃度

7.3.1 大注入與雙極擴散方程

7.3 pn與pin結型二極管

7.2 肖特基勢磊二極管（SBD）

7.1.3 雙極型功率器件優值系數

7.1.2 單極型功率器件優值系數

7.1.1 阻斷電壓

第８章單極型功率開關器件

8.2.12.1-4 開通過程

8.2.12 MOSFET 瞬態響應

8.2.11 氧化層可靠性

8.2.10.3 4H-SiC反型層遷移率的實驗結果

8.2.10.2 反型層遷移率的器件相關定義

8.2.10.1 影響反型層遷移率的機理

8.2.9 閾值電壓控制

8.2.8 UMOS的先進設計

8.2.7 DMOSFET的先進設計

8.2.6 功率MOSFET 的實施：DMOSFET和UMOSFET

8.2.5 比通態電阻

8.2.4 飽和漏極電壓

8.2.3 MOSFET電流-電壓關系

8.2.2 分裂準費米能級的MOS靜電學

8.2.1 MOS靜電學回顧

8.1.6 功率JFET器件的實現

8.1.5 增強型和耗盡型工作模式

8.1.4 比通態電阻

8.1.3 飽和漏極電壓

8.1.2 電流-電壓關系

8.1.1 夾斷電壓

8.1 結型場效應晶體管(JFET)

第９章雙極型功率開關器件

９.３.６.2負的柵極脈沖關斷

９.３.６.1電壓反轉關斷

９.３.５di/dt的限制

９.３.４dv/dt觸發

９.３.３開通過程

９.３.２正向阻斷模式和觸發

９.３.１正向導通模式

９.２.４器件參數的溫度特性

９.２.３開關特性

９.２.２阻斷電壓

９.２.１電流-電壓關系

９.２絕緣柵雙極型晶體管（IGBT）

９.１.１０阻斷電壓

９.１.９共發射極電流增益：復合效應

９.１.８共發射極電流增益：溫度特性

９.１.７集電區的大電流效應：二次擊穿和基區擴散效應

９.１.６基區中的大電流效應：Rittner效應

９.１.５集電區中的大電流效應：飽和和準飽和

９.１.４電流－電壓關系

９.１.３端電流

９.１.２增益參數

９.１.１內部電流

９.１雙極結型晶體管（BJT）

第10章功率器件的優化和比較

10.3 器件性能比較

10.2.2 橫向漂移區

10.2.1 垂直漂移區

10.2 單極型器件漂移區的優化設計

10.1.7 多浮空區（MFZ）JTE和空間調制（SM）JTE

10.1.6 浮空場環（FFR）終端

10.1.5 節終端擴展（JTE）

10.1.4 斜面邊緣終端

10.1.3 溝槽邊緣終端

10.1.2 二維電場集中和結的曲率

10.1.1 碰撞電離和雪崩擊穿

第11章碳化硅器件在電力系統中的應用

11.6 碳化硅和硅功率器件的性能比較

11.5 開關模式電源的電力電子學

11.4.2 風力機電源的變換器

11.4.1 光伏電源逆變器

11.3.5 混合動力和純電動汽車的電動機驅動

11.3.4 同步電機驅動

11.3.3 感應電動機驅動

11.3.2 直流電動機驅動

11.3.1 電動機和電動機驅動的簡介

11.2.3 開關模式逆變器

11.2.2 開關模式直流-直流變換器

11.2.1 工頻相控整流器和逆變器

11.1 電力電子系統的介紹

11.1 電力電子系統的介紹

第12章專用碳化硅器件及應用

12.3.3 光探測器

12.3.2 氣體探測器

12.3.1 微機電傳感器

12.3 傳感器

12.2 高溫集成電路

12.1.3 碰撞電離雪崩渡越時間(IMPATT)二極管

12.1.2 靜態感應晶體管（SIT）

12.1.1 金屬-半導體場效應晶體管(MESFET)

12.1 微波器件

12.3.3 光探測器

12.3.2 氣體探測器

12.3.1 微機電傳感器

12.3 傳感器

12.2 高溫集成電路

12.1.3 碰撞電離雪崩渡越時間(IMPATT)二極管

12.1.2 靜態感應晶體管（SIT）

12.1.1 金屬-半導體場效應晶體管(MESFET)

12.1 微波器件

附錄

附錄A 4H-SiC中的不完全雜質電離

附錄Ｂ雙曲函數的性質

附錄Ｃ常見SiC多型體主要物理性質

全書完結！！！