6.1.6 離子注入及后續退火過程中的缺陷行成∈《碳化硅技術基本原理——生長、表征、器件和應用》
6.1.6 離子注入及后續退火過程中的缺陷行成
6.1 離子注入
第６章碳化硅器件工藝
《碳化硅技術基本原理——生長、表征、器件和應用》
聲明：本文內容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網站授權轉載。文章觀點僅代表作者本人，不代表電子發燒友網立場。文章及其配圖僅供工程師學習之用，如有內容侵權或者其他違規問題，請聯系本站處理。
舉報投訴
-
碳化硅
+關注
關注
25文章
2748瀏覽量
49019
發布評論請先 登錄
相關推薦
碳化硅MOSFET柵極氧化層缺陷的檢測技術
碳化硅材料在功率器件中的優勢碳化硅（SiC）作為第三代化合物半導體材料，相較于傳統硅基器件，展現出了卓越的性能。SiC具有高禁帶寬度、高熱導
碳化硅功率器件在能源轉換中的創新應用
能源轉換、電力傳輸和電動汽車等領域具有廣闊的應用前景。本文將介紹碳化硅功率器件的基本原理和特點，并探討其在能源轉換中的創新應用，引領高效能源轉換的未來之光。
碳化硅功率器件在能源轉換中的應用
碳化硅（SiC）功率器件作為一種新興的能源轉換技術，因其優異的性能在能源領域受到了廣泛的關注。本文將介紹碳化硅功率器件的
碳化硅功率器件的工作原理和應用
碳化硅（SiC）功率器件近年來在電力電子領域取得了顯著的關注和發展。相比傳統的硅（Si）基功率器件，碳化硅具有許多獨特的優點，使其在高效能、高頻率和高溫環境下的應用
碳化硅功率器件的優點和應用
碳化硅（SiliconCarbide，簡稱SiC）功率器件是近年來電力電子領域的一項革命性技術。與傳統的硅基功率器件相比，碳化硅功率
探究電驅動系統中碳化硅功率器件封裝的三大核心技術
在電動汽車、風力發電等電驅動系統中，碳化硅功率器件以其優異的性能逐漸取代了傳統的硅基功率器件。然而，要充分發揮碳化硅功率
日本住友重工將推出SiC離子注入機
住友重工離子技術公司，作為住友重工的子公司，計劃在2025年向市場推出專為碳化硅（SiC）功率半導體設計的離子注入機。SiC制程雖與硅生產線有諸多相似之處，但由于其高硬度等獨特性質，對
住友重工2025年擬推碳化硅離子注入機
盡管SiC制造過程中的多數設備與常規硅類通用，但因其具備高硬度特性，需要專屬設備支持，包括高級別的高溫離子注入機、強效的碳膜濺射儀以及大規模的高溫退火爐等。其中，能否擁有高溫離子注入機
SiC與GaN 功率器件中的離子注入技術挑戰
碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)等寬帶隙(WBG)半導體預計將在電力電子器件中發揮越來越重要的作用。與傳統硅(Si)設備相比，它們具有更高的效率、功率密度和開關頻率等主要優勢。離子注入是在硅
碳化硅壓敏電阻 - 氧化鋅 MOV
和發電機繞組以及磁線圈中的高關斷電壓。 棒材和管材EAK碳化硅壓敏電阻 這些EAK非線性電阻壓敏電阻由碳化硅制成，具有高功率耗散和高能量吸收。該系列采用棒材和管材制造，外徑范圍為 6 至 30
發表于 03-08 08:37
碳化硅功率器件的基本原理、性能優勢、應用領域
碳化硅功率器件主要包括碳化硅二極管（SiC Diode）、碳化硅晶體管（SiC Transistor）等。這些器件通過利用
發表于 02-29 14:23
?1636次閱讀
什么是離子注入？離子注入的應用介紹
離子注入是將高能離子注入半導體襯底的晶格中來改變襯底材料的電學性能的摻雜工藝。通過注入能量、角度和劑量即可控制摻雜濃度和深度，相較于傳統的擴散工藝更為精確。
簡單認識碳化硅功率器件
隨著能源危機和環境污染日益加劇，電力電子技術在能源轉換、電機驅動、智能電網等領域的應用日益廣泛。碳化硅（SiC）功率器件作為第三代半導體材料的代表，具有高溫、高速、高效、高可靠性等優點，被譽為“未來電力電子的新星”。本文將詳細介
碳化硅特色工藝模塊簡介
材料的生長和加工難度較大，其特色工藝模塊的研究和應用成為了當前碳化硅產業發展的關鍵。 碳化硅特色工藝模塊主要包括以下幾個方面： 注入摻雜 在碳化硅
碳化硅功率器件簡介、優勢和應用
碳化硅（SiC）是一種優良的寬禁帶半導體材料，具有高擊穿電場、高熱導率、低介電常數等特點，因此在高溫、高頻、大功率應用領域具有顯著優勢。碳化硅功率器件是利用碳化硅材料制成的電力電子
工商網監
評論