PL7512A是一顆電流控制模式升壓轉(zhuǎn)化器，脈波寬度調(diào)變(PWM)， 內(nèi)置 15m?/10A/14VMOSFET， 能做大功率高轉(zhuǎn)換效率， 周邊元件少節(jié)省空間， 適合用在行動裝置，寬工作電壓2.7V~12V， 單節(jié)與雙節(jié)鋰電池都能使用， 精準反饋電壓 1.2V(±2%)， 過電流保護通過外部電阻調(diào)整， 電流控制模式讓暫態(tài)響應與系統(tǒng)穩(wěn)定性佳， 輕載進入省電模式(Skip Mode)， 達到輕載高效率，封裝為 SOP-8L(EP)。

特性
? 工作電壓范圍 2.7V~12V
? 可調(diào)輸出電壓最高 13V
? 固定工作頻率 400kHz
? VFB 反饋電壓1.2V(±2%)
? 內(nèi)置 15m?,10A,14V MOSFET
? 關(guān)機耗電流最大1μA
? 過溫保護 150℃
? 內(nèi)置軟啟動
? 可調(diào)過電流保護 2A~10A
? 封裝 SOP-8L(EP)

應用范圍
? 快充移動電源
? 藍牙音箱
? 手持式產(chǎn)品
? 充電器
? 電子煙

功能說明

軟起動
IC 內(nèi)置軟起動功能，開機利用軟啟動限制 PWM 占空比，讓占空比慢慢打開，避免瞬間輸入涌浪電流過大。

EN 開關(guān)控制
EN 小于 0.6V 將 IC 關(guān)閉，關(guān)機 HVDD 最大耗電流 1ìA，EN 大于 1.1V 啟動 IC；輸入電壓大于 5V，在輸入與 EN 之間接 200k?。

過電流保護(OCP)
檢測通過 LX 與 GND 之間 MOS 電流，也就是電感峰值電流，觸發(fā)過電流會將占空比縮小，限制電感電流，輸出電壓也會降低；當占空比 50%以上觸發(fā) OCP，為了讓 PWM 穩(wěn)定方波，IC內(nèi)部做斜率補償，占空比越大 OCP 會降低，透過外部電阻 R3 調(diào)整 OCP，R3 選用參考以下圖表，電阻值 150k?~51k?，OCP 2A~10A，OC Pin 不能空接。