說明
碳化硅(SiC)是一種應用十分普遍的人造材料,與Si器件相比,以碳化硅(Silicon Carbide SiC)為代表的寬禁帶半導體功率器件具有更高的電壓等級、更高的開關速度、更高的結溫、更低的開關損耗等優勢。系統優點包括最高能效、更快的運行頻率、提高的功率密度、降低的 EMI,以及減小的系統尺寸和成本。
詳情
SiC二極管如650V和1200V,32AMS2H32120G1就是個例子,Sic開關時間很快,開關損耗幾乎為0,具有電流不受溫度影響的開關特性,因此非常適用于先進的太陽能發電應用。美浦森SiC二極管,已通過車規級認證,有650V和1200V兩個電壓平臺可供選擇,電流從2A到60A。
相應型號如下表所示。
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