太陽能光伏逆變器可以實現直流電到交流電的轉換，是所有光伏發電系統中最關鍵的部分。典型的太陽能發電框圖如下圖所示，主要由三部分組成，MPPT、直流濾波、DC-AC逆變并網。

太陽能逆變器框圖

為了獲得高發電量，逆變器效率的提高必不可少，在三相光伏逆變器上的升壓部分通常會放置一顆1200V的SiC MOSFET來替代普通的1200V的SI器件，相比具有相同額定值的1200V硅器件，基本半導體碳化硅MOSFET系列的能效更高，系統尺寸/重量得到縮減，電力電子系統中的功率密度也有所增加。即便在高溫（150°C）下運行，也能發揮一流的耐用性與卓越性能。

基本半導體碳化硅MOSFET B1M080120HC，該器件符合RoHS標準、無鉛、不含鹵素，非常適用于光伏逆變器等效率、體積及發熱要求較高的應用。

碳化硅MOSFET B1M080120HC具有超低導通電阻(RDS(ON))，分別僅為80mΩ，可在各種電力轉換系統中用作電源半導體開關，其在阻斷電壓、特征導通電阻和結電容方面的性能顯著優于其他碳化硅MOSFET。同時還兼具高工作電壓和超高切換速度。碳化硅MOSFET B1M080120HC可以和WOLFSPEED的C2M0080120D、羅姆的SCT2080KE、英飛凌的IMW120R090M1H、ST的SCT30N120、安森美的NTHL080N120SC1實現pin to pin替換。

1200V碳化硅MOSFET B1M080120HC的功能與特色如下：

?專為高頻、高效應用優化

?極低柵極電荷和輸出電容

?低柵極電阻，適用于高頻開關

?在各種溫度條件下保持常閉狀態

?超低導通電阻

注：如涉及作品版權問題，請聯系刪除。