基于節能減碳意識高漲及電力供應偶有突發不足情況，高耗能且效率不佳的設備總會列入優先檢討的對象，除了占最大耗能的馬達族群外，像電焊／電鍍／電漿等動輒數千瓦起跳的電能轉換族群，若轉換效率能再優化，多少為節能減碳會有些許的貢獻。

而這類型高耗能產品因為耗能高，所以大都采用交流380V或交流480V的電源供電，相對于如此高壓的功率元件選擇性不多，主要是以IGBT為主，但IGBT元件本身有先天上的限制，例如較大的電流必需工作在較高的VCE條件下及較高的溫度會伴隨著較大的遍移量和較長的逆回復時間時等限制會讓IGBT不適合在使用在較高的操作頻率及較高溫的工作環境中。

安森美針對高電壓大功率能量轉換應用推出專用的整合元件NXH010P120MNF1產品，其包含了二顆10 mR/1200V SiC MOSFET及一顆NTC電阻所組成的半橋模組，其提供設計者線路設計便利性及功率元件散熱結構考量之困擾，更可適當的提高操作頻率得以有效的縮小能量轉換的變壓器體積進而縮小整體電源轉換架構總材積以達到提高效率優化材積的雙重優勢。

模塊介紹：

NXH010P120MNF1 是一種SIC-MOSFET功率元件整合模塊，包含一個半橋架構電路，該電路由二顆帶反向二極管的10mR、1200 V SIC-MOSFET 組成同時內建一組熱敏電阻，接腳會有帶預涂熱界面材料 (TIM) 和不預涂 TIM 的選項。同系列產品有不同阻抗的或不同電壓的半橋或全橋模組，零件編號分別為 NXH006P120MNF2PTG / NXH040P120MNF1PG / NXH010P90MNF1PG / NXH020F120MNF1PG / NXH040F120MNF1PG / NVXK2TR40WXT / NVXK2TR80WDT 。

NXH006P120MNF2PTG 是二顆帶反向二極管的6mR、1200 V SIC-MOSFET及熱敏電阻所組成的半橋功率模組。

NXH040P120MNF1PG 是二顆帶反向二極管的40mR、1200 V SIC-MOSFET及熱敏電阻所組成的半橋功率模組。

NXH010P90MNF1PG 是二顆帶反向二極管的10mR、900 V SIC-MOSFET及熱敏電阻所組成的半橋功率模組。

NXH020F120MNF1PG 是四顆帶反向二極管的20mR、1200 V SIC-MOSFET及熱敏電阻所組成的全橋功率模組。

NXH040F120MNF1PG 是四顆帶反向二極管的40mR、1200 V SIC-MOSFET及熱敏電阻所組成的全橋功率模組。

NVXK2TR40WXT 是四顆車規帶反向二極管的40mR、1200 V SIC-MOSFET及熱敏電阻所組成的全橋功率模組且符合AEC-Q101 和 AQG324 的汽車認證。

NVXK2TR80WDT 四顆車規帶反向二極管的80mR、1200 V SIC-MOSFET及熱敏電阻所組成的全橋功率模組且符合AEC-Q101 和 AQG324 的汽車認證。

模塊內部線路及外觀示意圖：

模塊內部線路及外觀示意圖

半橋隔離驅動器介紹：

NCP51561是隔離式雙通道柵極驅動器，具有分別為4.5A/9A開啟和關閉峰值電流，是設計用于快速開關以驅動功率MOSFET和SiC-MOSFET功率元件。同時提供較短的傳遞延遲讓設計者得以使用較高的脈寬占比以優化效率或控制行為。該驅動器可用于兩個低側、兩個高側開關或具有可編程死區時間的半橋驅動器的任何可能應用。其主要特征為：

5 A開啟峰值、9 A關閉峰值輸出電流能力;

雙低側、雙高側或半橋柵極驅動架構均適用;

兩個輸出驅動器的獨立欠電壓保護功能;

共模瞬態抗噪能力 CMTI > 200 V/ns;

傳遞延遲典型值為 36 ns、每通道 5 ns 最大延遲匹配、 5 ns 最大脈寬失真;

用戶可編程輸入邏輯：通過 ANB 的單輸入或雙輸入模式、啟用或禁用模式 ENA/DIS 引腳分別在啟用或禁用模式設置為低或高時同時關閉兩個輸出;

用戶可編程死區時間;

隔離與安全：5 kVRMS 隔離 1 分鐘（根據 UL1577 要求）和輸出通道之間的 1500 V 峰值差分電壓、8000 VPK 增強隔離電壓（根據 VDE0884-11 要求）、CQC 認證符合1?2011 、符合 IEC 62386?1 的 SGS FIMO 認證。

內部功能方塊示意圖：

內部功能方塊示意圖

?場景應用圖

?產品實體圖

?展示板照片

?方案方塊圖

?核心技術優勢

SIC-MOSFET相對于IGBT技術優勢:

1.更低的切換損耗：基于材料特性具備較低反向恢復時間，可快速關斷SIC-MOSFET的導通電流，且由于低柵極啟動電荷和低反向恢復時間所以能快速開啟SIC-MOSFET。

2.更低的傳導損耗：基于低導通電壓可改善IGBT導通前的不作動行為，配合較低的內阻溫度漂移系數可在較高的功率或溫度較高的環境下工作時，不會有太大的內阻變化而造成過多功率損耗。

SIC-MOSFET相對于MOSFET技術優勢:

1. 10倍介電擊穿場強度

2. 2倍電子飽和／移動速度

3. 3倍能隙

4. 3倍熱傳導率

?方案規格

方案規格及模塊特性 :

? 適用交流480V以下電源系統

? 高度整合的功率級驅動模塊

? 2個半橋隔離式柵極驅動器Source 4.5A/Sink 9A，具有5KV絕緣

? 半橋隔離柵極驅動器內置欠壓保護功能

? 半橋隔離柵極驅動器共模抗噪能力>200 V/ns

? 半橋隔離柵極驅動器可設置死區時間

? 模組單體內建過溫偵測功能

? 實際電氣驅動功能及規格需搭配外置之微處理器配合所需功能之線路來決定最終功能