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博捷芯:半導體劃片設備之脆性材料切割方式

博捷芯半導體 ? 2023-03-28 09:48 ? 次閱讀

博捷芯:半導體劃片設備之脆性材料切割方式

單次劃片,即一次完全劃片硅片,切割深度達到UV膜厚的1/2,如下圖所示。 該方法工藝簡單,適用于切割超薄材料。 但刀具在切削過程中磨損嚴重,切削路徑邊緣易產生崩刃和毛刺。 由于磨削力的影響,材料的表面和亞表面容易產生裂紋等缺陷。

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針對硬脆材料劃切工藝存在的缺陷,本文提出分層劃切工藝方法,如下圖所示。 根據被切削材料的厚度,在切削深度方向采用分層(階梯式)進給方式進行切削。 首先進行開槽切削,采用比較小的進給深度,保證對刀具的受力小,減少刀具。 磨損,減少切割線正面的崩邊,然后沿第一條切割線繼續切割。

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需要保證兩種切割方式切割過程中切割膜的厚度。 切膜過深時,會切穿膜,導致工件板失去真空能力,無法固定硅片; 切膜過淺會造成硅片背面塌陷。 因此,嚴肅地說,切割過程必須保證最后切割的深度。

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