電子電路中常用的器件包括：電阻器、電容器、電感器、變壓器、二極管、三極管、晶閘管、光電器件、電聲器件等。今天我們就來(lái)一一了解它們的類型與符號(hào)。

壹

三極管

三極管是半導(dǎo)體基本元器件之一，具有電流放大的作用，是電子電路的核心元件。狹義上的三極管指雙極型三極管，也是最基本最通用的三極管。廣義上的三極管有很多種，包括雙極型三極管、達(dá)林頓管、晶閘管等。

貳

晶閘管（可控硅）

一種大功率電器元件，也稱可控硅（Silicon Controlled Rectifier，SCR），具有體積小、效率高、壽命長(zhǎng)的特點(diǎn)。晶閘管作為一種功率開關(guān)器件，常替代繼電器用于大功率電路控制中。普通的晶閘管與三極管的外形十分相似。晶閘管有三個(gè)極，分別是A極（陽(yáng)極）、K極（陰極）、控制極（G極），常見的有單向晶閘管和雙向晶閘管。

單向晶閘管：同二極管一樣，電流只能從A極流到K極。

雙向晶閘管：不分A極和K極，只區(qū)分G極，電流方向是雙向的。

叁

二極管

二極管又稱半導(dǎo)體二極管，是半導(dǎo)體晶體管類器件中最常用也是最基本的器件。二極管最大的特性就是單向?qū)щ姡鶕?jù)二極管的不同用途，可分為普通二極管、發(fā)光二極管、肖特基二極管、穩(wěn)壓二極管等。

開關(guān)二極管：開關(guān)二極管的正向偏置導(dǎo)通電阻很低，施加反向偏置時(shí)關(guān)斷電阻很大。利用二極管的單向?qū)щ娞匦裕娏骺梢詫?shí)現(xiàn)開關(guān)。

穩(wěn)壓二極管：利用PN結(jié)反向擊穿時(shí)電壓基本不隨電流變化而變化的特點(diǎn)，達(dá)到調(diào)壓的目的。

發(fā)光二極管：可以直接將電能轉(zhuǎn)換為光能。具備耗電低、壽命長(zhǎng)、體積小、驅(qū)動(dòng)電壓低、工作電流小等優(yōu)點(diǎn)，多用于信號(hào)顯示等電路中。

光電二極管：光控制元件，外殼裝有玻璃窗，便于接收光。

變?nèi)荻O管：利用反向偏壓改變PN結(jié)的電容，PN結(jié)兩端的電容隨反向電壓的大小而變化，相當(dāng)于可變電容器。

肖特基二極管：其特點(diǎn)是低功耗、大電流、超高速、反向恢復(fù)快。因此肖特基二極管常用于高頻、大電流、低壓整流電路中。

快恢復(fù)二極管：一種新型半導(dǎo)體二極管，具有良好的開關(guān)特性和較短的反向恢復(fù)時(shí)間，通常用作高頻開關(guān)電源的整流二極管。

瞬態(tài)電壓抑制器（TVS）：一種常用的電路保護(hù)裝置，具有響應(yīng)時(shí)間快、浪涌吸收能力強(qiáng)的特點(diǎn)，主要用于瞬態(tài)電壓抑制。

肆

場(chǎng)效應(yīng)管與IGBT

場(chǎng)效應(yīng)晶體管與IGBT：場(chǎng)效應(yīng)晶體管（Field Effect Transistor），是晶體管的一種。MOS管和IGBT管在外形及特性參數(shù)也比較相似，通常可作為開關(guān)元件使用。

MOS管即MOSFET，又叫絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)管。優(yōu)點(diǎn)是高頻特性好。

IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor)，絕緣柵雙極型晶體管，是由晶體三極管和MOS管組成的復(fù)合型半導(dǎo)體器件。導(dǎo)通電阻小，耐壓高。

伍

電阻器

電阻器也叫電阻，是一個(gè)限流元件，電阻在電路中通常起分壓、分流的作用。

陸

電容器

電容器是一種容納電荷的器件，用字母C表示，是電子設(shè)備中常用的電子元件之一。

柒

電感器與變壓器

電感器和變壓器均是用絕緣導(dǎo)線繞制而成的電磁感應(yīng)元件。電感器主要作用：對(duì)交流信號(hào)進(jìn)行隔離、濾波或與電容器、電阻器等組成諧振電路；變壓器主要作用：降低交流電壓、提升交流電壓、信號(hào)耦合、變換阻抗、隔離等。

今天的文章就分享到這里啦。大家還想了解哪些電子元件的符號(hào)和實(shí)物圖，可以在下方評(píng)論，下次再整理出來(lái)哦。整理碼字不易，喜歡的話就給小編點(diǎn)個(gè)贊吧~