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車載IGBT可靠性及其壽命評估研究

貞光科技 ? 2023-05-05 17:27 ? 次閱讀

貞光科技從車規微處理器MCU、功率器件、電源管理芯片、信號處理芯片、存儲芯片、二、三極管、光耦、晶振、阻容感等汽車電子元器件為客戶提供全產業鏈供應解決方案。

摘要

IGBT作為新能源汽車電機控制器的核心部件,直接決定了電動汽車的安全性和可靠性。本文主要介 紹采用熱敏感電參數法提取IGBT結溫,并結合CLTC等試驗工況得出對應結溫曲線,通過雨流分析、Miner線性累 積損傷準則等評估整車壽命周期內IGBT模塊的熱疲勞壽命,最后結合電機控制器總成的試驗現狀,提出總成級試 驗中進行IGBT加速試驗的可行性方案。

IGBT是能源變換與傳輸的核心器件,俗稱電力電子裝置 的“CPU”。在新能源汽車中,IGBT直接控制驅動系統直、交 流電的轉換,決定了車輛的扭矩和最大輸出功率等,是汽車 動力總成系統的“心臟”。在新能源汽車中大量使用了IGBT功率器件,例如:電控、OBC、空調系統及充電樁等,如圖1所示。據統計,IGBT等功率器件占到整車成本的7%~10%。

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電機控制器中,IGBT將動力電池的高壓直流電轉換 為驅動三相電機的交流電,為電機提供動力。在汽車運行 過程中,啟停、頻繁加減速等會使IGBT模塊功率發生變化,IGBT結溫也會隨之不斷循環變化,溫度變化產生的熱應力 會使模塊內部焊層之間產生蠕變熱疲勞或失效。因此,IG-BT模塊的結溫變化是影響其工作壽命與可靠性的主要因素。本文采用熱敏感電參數法提取IGBT結溫,并結合CLTC等試 驗工況得出對應結溫曲線,通過雨流分析、Miner線性累積 損傷準則等分析和評估整車壽命周期內IGBT模塊的熱疲勞 壽命,提出在總成級試驗中進行IGBT加速試驗的可行性方案。

1 IGBT概述




1.1什么是IGBT?

IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor,絕緣柵雙極型 晶體管) 是由雙極結型晶體管 (BJT) 和金屬-氧化物-半導 體場效應晶體管 (MOSFET) 復合而成的結構,如圖2所示。

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它結合了兩者的優點,具有輸入阻抗高、功耗小、熱穩定 性好、驅動簡單、載流密度大、通態壓降低等優勢。

1.2 IGBT的結構

IGBT由芯片、覆 銅陶瓷襯底、基板、 散熱器等通過焊接而 成,如圖3所示。

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1.3 IGBT的熱特性

熱特性是IGBT功 率器件的靈魂。芯片 工作產生的熱量通過 不同的介質、界面傳 遞到散熱器,將熱量 散出,傳遞路徑的熱阻用Rthjc來表示,如圖4所示。

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IGBT模塊的發熱主要來源于功率損耗。功率損耗包括IGBT損耗和FWD損耗,其又分為開關損耗和導通損耗,如 圖5所示。功率損耗與電流Ic、飽和壓降Vce、開關頻率等多 因素有關。

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2 IGBT可靠性要求

2.1 IGBT模塊可靠性要求

對于車規級IGBT模塊,由于使用環境嚴酷,工況復雜, 壽命要求高,因此對IGBT模塊性能和可靠性提出了越來越 高的要求,如圖6所示。

2.2電控總成可靠性試驗現狀

據統計,IGBT損壞引起的故障占電控售后問題的首位, 是電控總成的短板。根據“木桶”原理,解決IGBT失效問 題對于降低電控總成失效率非常重要。但是,目前電控總 成可靠性試驗主要參考707企標,沒有考慮功率器件產品自 身發熱引起的溫度變化,也沒有考慮冷卻液循環帶來的溫 度穩定,比較適用于低壓電氣產品可靠性試驗,對功率器 件產品不適用。如何在電控總成試驗中加速IGBT的老化磨 損將是我們需要重點研究的課題。電控問題統計柏拉圖如 圖7所示。

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2.3 IGBT模塊可靠性試驗

對于車規級IGBT模塊,AQG 324、QC/T 1136等標準對 可靠性均有相關要求。以QC/T 1136為例,IGBT模塊可靠性 包括芯片可靠性和封裝可靠性,如表1所示。

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2.3.1功率循環試驗 (主動)

1) 功率循環試驗(PCsec/PCmin):檢驗綁定線與芯片的 連接點可靠性以及芯片與DCB焊接層的可靠性。功率循環試 驗 (PCsec) 曲線如圖8所示。

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2) 功率循環(PCmin):檢驗綁定線與芯片的連接點可靠性,芯片與DCB焊接層的可靠性以及DCB與Baseplate焊接 層的可靠性。

2.3.2溫度循環/沖擊試驗 (被動)

溫度循環(TC):從Baseplate底部緩慢加熱整個封裝,檢 驗具有不同熱膨脹系數的材料之間連接的可靠性。熱膨脹 系數如圖9所示。

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2.4 IGBT模塊失效模式

IGBT模塊失效主要分為機械失效和電氣失效,其中機 械失效包括綁定線、焊接層及封裝/端子的老化所造成的使 用壽命終結,其主要是由功率循環產生結溫變化引起。此 外,還包括過壓、過流、其它因素 (如氣候變化、化學腐 蝕) 所造成的失效,如圖10所示。

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IGBT失效同樣適用可靠性“浴盆”曲線,在不同階段 呈現不同表現形式,如圖11所示。本文重點研究耗損失效中由于熱機械應力導致的IGBT失效,而這一部分正是IGBT耐久失效的主要原因。IGBT耗 損失效如圖12所示。

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3 IGBT使用壽命分析與評估


3.1研究思路

根據IGBT失效模式可知,結溫變化是影響其使用壽命的主要因素。評估IGBT的使用壽命就需要首先獲得其在用 戶工況下的結溫曲線,然后結合IGBT功率循環壽命曲線, 應用累積損傷理論評估IGBT的使用壽命,具體分析步驟如 圖13所示。這其中主要關鍵點及難點如下所述。

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1) 用戶代表工況選取,目前采用NEDC或者CLTC工況。

2) 工況中結溫測量和結溫曲線的獲取,實車中很難通 過布置傳感器的方案來直接獲取結溫曲線。目前有兩種可 行方法:一種是通過計算功率損耗,結合熱仿真模型獲得;另一種是通過間接的熱敏感電參數法獲取相應的結溫曲線, 詳見3.3.2分析。

3) 溫度分布:采用雨流法分析。

4)IGBT壽命曲線,一般由IGBT模塊廠家提供。

5) 壽命評估,使用溫度分布數據和IGBT壽命曲線結合 損傷理論進行壽命評估。

3.2 IGBT結溫測試的幾種方法

3.2.1物理接觸測量法

把熱敏電阻或熱電偶等測溫元器件焊接于IGBT內部, 從而獲取模塊內部基板的溫度。測試方便但存在較大測量 誤差,如圖14所示。

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3.2.2光學非接觸測量法

先將IGBT模塊打開, 除去透明硅脂,然后將IG-BT芯片表面涂黑,以提高 溫度測量準確性,最后通 過熱像儀等采用紅外熱成像 方法測試結溫。屬于破壞性 測量方法,如圖15所示。3.2.3熱敏感電參數法 利用半導體功率器件內部微觀物理參數與器件溫度具 有一一對應的映射關系,將芯片本身作為溫度傳感部件, 將其自身難測的內部溫度信息反映在模塊外部易測的電氣 信號上,對芯片結溫進行逆向提取,如圖16所示。

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3.3試驗方案

3.3.1任務曲線建立

為了保證IGBT模塊使用壽命的可比性,通常采用標準 的駕駛循環作為基本工況。國內一般采用NEDC(New Eu-ropean Driving Cycle,新標歐洲循環測試) 或CLTC(China Light-duty Vehicle Test Cycle,中國輕型汽車行駛工況) 作 為基本工況。以CLTC工況為例,采集電機控制器在此工況 下的電壓電流值,如圖17所示。

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3.3.2結溫曲線

本文采用熱敏感電參數法反推獲得IGBT模塊在CLTC工 況下的結溫曲線。

1) 溫度系數 (K-factor) 測試

參考JESD51-1《集成電路熱測試方法》 測試K系數。測 試步驟如下:設定好溫度環境TL0,當器件外殼溫度穩定時 給IGBT模塊施加小電流 (10mA) 記錄集電極和發射極間壓 降大小VL0,然后將環境溫度升高到THi,按上述要求記錄此 時壓降。兩次溫度值的差值除以電壓差值即為K系數。

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通過Power Tester 1800A功率循環測試儀測試K系數 (圖18),結果如下:K-Factor:-2.694mV/℃。

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2) 瞬態熱測試 (負載)

測試原理圖如圖19所示。根據任務曲線得到的負載電 流,基于能量守恒,采用MATLAB軟件將電流譜處理成300個恒定電流值便于實際加載測試。測試方法如下:①在IG-BT Gate上加上15V電壓,使Gate完全打開,在CE之間用大 電流加熱,使之達到熱平衡;②在器件達到熱平衡之后, 瞬間從大電流切換到小電流 (10mA),測量壓降Vce;③測試 結果如圖20所示,根據K系數中結溫與Vce的之間的關系,得 出CLTC工況下的結溫曲線,如圖21所示。

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3.3.3溫度分布 (ΔT)

Ncode雨流分析流程如圖22所示。為了將任務曲線引起 的結溫變化與功率循環壽命曲線進行比較,采用雨流計 數法統計不同結溫變化ΔT出現的頻次。溫度分布ΔT如圖23所示。

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3.3.4功率循環壽命曲線

研究發現當溫度變化過程中的最高結溫小于120℃時, 可以利用Coffin-Manson模型進行預測,該模型被廣泛用于描 述半導體模塊PC過程的失效規律。后經Arrhenuis修正,將 平均結溫Tjm納入考核范圍,得到LESIT模型:

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隨著封裝技術的改進,IGBT模塊的壽命有了很大提高。焊 料層疲勞成為與鍵合線同等重要的失效機制。2008年Bayerer考慮到功率循環試驗中溫度波動范圍、最大結溫Tjmax、模塊 鍵合線直徑D、直流端電流i、阻斷電壓V等因素都會對器件 壽命造成影響,得到了CIPS多參數模型:

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通過功率循環試驗確定模型參數,繪制如圖24所示的 功率循環壽命曲線。

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3.3.5IGBT壽命評估

根據溫度分布ΔT,并參考功率循環壽命曲線,將一個 駕駛循環中所有ΔT下的損傷相對其出現的頻次加權求和, 可得到一個駕駛循環下的累積損傷。該累積損傷的倒數即 是功率模塊的使用壽命,即:

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式中:ni———在一個駕駛循環中,ΔTj出現的次數;Ni———在功率循環壽命曲線中,ΔTj對應的循環次數;Nf———功率模塊使用壽命。

通常整車的使用壽命是30萬公里,一個CLTC的行駛里 程大約是14.48km,則整車至少需要運行20718個CLTC才滿 足壽命要求,通過計算Nf =13973605,遠大于20718,滿足整 車的使用壽命要求。



4電控總成IGBT加速試驗


既然IGBT失效占電控總成失效的絕大多數,那么電控總 成試驗中IGBT的考核是否足夠?如何進行IGBT加速試驗呢?

通過上述分析可知,IGBT模塊的結溫變化是影響其工 作壽命與可靠性的主要因素。因此在總成試驗中,結溫變 化的幅度和頻次將直接影響其使用壽命。以冷熱沖擊試驗 為代表的被動“功率循環試驗”將是一個很好的試驗方案。

由于該試驗工作模式1.1,屬于被動加熱引起的結溫變 化,其中ΔT=125℃、N0=215次,遠低于行標要求。根據IG-BT熱循環壽命曲線 (圖25),當ΔT=125℃時壽命循環數N1約3000次,故冷熱沖擊試驗考核僅占全壽命周期的7.2%,屬 于考核偏弱,可適當增加循環數或加大溫度變化范圍,如 表2所示。

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此外,通過分析NEDC或CLTC等駕駛工況可知,主動 “功率循環”產生的結溫變化頻次較多,但幅度偏小。以CLTC工況為例,根據3.3.3雨流分析結果可知ΔTmax=25℃,根 據IGBT壽命曲線則需要至少107循環數。在兼顧其它部件的 考核基礎上合理修正工況,如增加啟停或急加/減速工況也 是一種可行的加速試驗方案。

5總結


本文通過介紹IGBT模塊的結構、失效模式等說明熱疲 勞是影響IGBT使用壽命的主要因素。并基于此建立了IGBT使用壽命評估方法,將整車設計壽命與IGBT使用壽命結合 起來,從而能夠從行駛里程的角度快速評估IGBT功率模塊 是否能夠滿足整車使用壽命的要求。此外,針對電控總成 的試驗現狀,提出在總成級試驗中進行IGBT加速試驗的可行性。對于主動“功率循環”試驗,如何優化試驗工況, 提升ΔTmax進行加速試驗還需要進一步研究。當前以SiC和GaN為代表的第三代寬禁帶半導體材料開始逐漸應用在新能 源汽車上,其可靠性也將是我們后續關注的方向。

*免責聲明:本文由作者原創。文章內容系作者個人觀點,貞光科技二次整理,不代表貞光科技對該觀點贊同或支持,僅為行業交流學習之用,如有異議,歡迎探討。

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