1、在樣品斷電的狀態下，先將溫度下降到-50°C，保持4個小時;請勿在樣品通電的狀態下進行低溫測試，非常重要，因為通電狀態下，芯片本身就會產生+20°C以上溫度，所以，在通電狀態下，通常比較容易通過低溫測試，必須先將其“凍透”，再次通電進行測試。
2、開機，對樣品進行性能測試，對比性能與常溫相比是否正常。
3、進行老化測試，觀察是否有數據對比錯誤。
4、升溫到+90°C，保持4個小時，與低溫測試相反，升溫過程不斷電，保持芯片內部的溫度一直處于高溫狀態，4個小時后，執行2、3、4測試步驟。
5、高溫和低溫測試分別重復10次。
如果測試過程出現任何一次不能正常工作的狀態，則視為測試失敗。
高溫環境對設備的主要影響有：
1. 填充物和密封條溶化或融化；
2. 潤滑劑粘度降低，揮發加速，潤滑作用減小；
3. 電子電路穩定性下降，絕緣損壞；
4. 加速高分子材料和絕緣材料老化，包括氧化、開裂、化學反應等；
5. 材料膨脹造成機械應力加大或磨損加大。