G-MRCO-016磁性AMR角度傳感器包含兩個平行的惠斯通電橋,每個電橋可以測量 45度。 平行于芯片的表面上的旋轉磁場將因此提供兩種獨立的正弦曲線輸出信號,一種按照 cos函數計算,另一種按照 sin函數計算,在傳感器和磁場方向之間形成角度。G-MRCO-016磁場傳感器適合在常規磁場強度H0 ≥ 25 kA/m 的情況下(例如,在室溫下距離為 5.2 mm 時,來自Magnetfabrik Bonn的磁體 67.044 生成的磁場強度)高精確角度測量應用。如降低精度,KMT32B AMR 角度傳感器可用于磁場強度 H0 ≥ 14 kA/m 的情況。大多數磁體的磁場強度隨溫度改變,但磁場方向不變。
出于多種原因,磁場傳感器是位置傳感器的流行選擇。 它們是非接觸式傳感器,這意味著沒有部件磨損。 要了解磁傳感器技術,我們先從常見的霍爾元件開始。
霍爾元件
霍爾元件是使用霍爾效應的設備?!盎魻枴痹从诨魻柌┦恳虬l現霍爾效應而得名。 它是基于這樣的現象,即當對通過的物體施加垂直于電流的磁場時,電動勢出現在與電流和磁場正交的方向上。當向薄膜半導體施加電流時,通過霍爾效應輸出與磁通密度及其方向相對應的電壓。 霍爾效應用于檢測磁場(如下圖所示)。
霍爾元件即使在存在靜磁場的情況下也可以檢測磁場,而不會改變磁通密度。 因此,霍爾元件用于各種應用,例如與磁鐵、角度傳感器和電流傳感器結合使用的非接觸式開關。 使用霍爾元件的地磁傳感器廣泛用于智能手機和其他應用。
磁阻元件
使用材料來檢測在施加磁力時其電阻會發生變化的磁場的元件稱為磁阻(MR)元件。 除了半導體磁阻元件(SMR)之外,作為使用鐵磁薄膜材料的磁阻元件的代表示例,存在三種類型的傳感器,例如各向異性磁阻元件(AMR)、巨磁阻元件(GMR)和隧道磁阻元件(TMR)
金屬中的各向異性磁阻效應描述了材料的電阻如何與電流和磁場之間的方向相關 - 當電流和磁場彼此成直角時達到最小值。
巨磁阻效應是指由非磁性導體隔開的兩個鐵磁層之間的電阻發生很大變化。 當兩層中的磁場平行時,電阻減小,當磁場反平行時,電阻增大。
這兩種方法的問題是電阻變化比較小,需要惠斯通電橋和信號放大器來檢測。 傳感器和惠斯通電橋中的熱噪聲被放大并降低了設備的整體靈敏度。 在整個工作范圍內,溫度變化也會對傳感器產生重大影響。
考慮到這一點,一些傳感器開發人員專注于通過利用第三種現象(隧道磁阻)來降低噪聲。
隧道磁阻元件 (TMR) 的工作原理:在鐵磁材料(固定層)、絕緣體和鐵磁材料(自由層)的層壓薄膜的情況下,通過絕緣體的電子比例會因隧道效應而發生變化 ,并且電阻值取決于被釘扎層和自由層的磁化是反平行(a)還是平行(b)。
TMR傳感器廣泛應用于汽車,包括油門踏板傳感器、轉向角傳感器、BLDC電機磁編碼器、發動機轉速(曲軸)傳感器、發動機相位(凸輪軸)傳感器、變速器轉速傳感器、電子油門傳感器、輪速傳感器、 等等
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