D類功放芯片損壞的解決方法
問題
產線生產某款電子產品過程中，發現有很大比例的D類功放芯片損壞。
分析
1、從拿到的壞機芯片樣品來看，芯片有燒壞的痕跡，明顯是電應力損壞的。
2、用萬用表量芯片的各個引腳，輸出腳直接對地短路了。很可能過壓導致芯片內的mos管損壞。
3、用示波器量正常板子的輸出引腳波形，發現電壓峰值達到6.8V，而規格書上要求的電壓只有5.5V，可以判斷是過壓導致的損壞（喇叭線圈上產生的反向電動勢導致電壓過高）。
解決
由于D類功放芯片的電源是5V，加上喇叭線圈上的反向電動勢，很容易使得電壓超過5.5V，導致芯片損壞。因此，整改方案直接降低5V電源為4V（滿足產品喇叭功率的要求）。
如果板子上D類功放輸出有LC位置，可以直接上磁珠和電容，吸收尖峰，測試的電壓峰值也會低很多。
小結
1、采用新芯片方案時，需要把規格書的關鍵參數弄清楚，設計上考慮余量；
2、D類功放設計要考慮喇叭線圈導致的反向電動勢；
3、D類功放設計輸出最好預留RC或LC位置，遇到問題可以調整參數解決，比如輻射。
D類功放原理：
D類功放芯片的典型電路圖：
D類功放芯片規格：VDD最高電壓是6V，其他管腳（包括輸出）最高電壓是5.5V
D類功放芯片輸出的磁珠和電容：
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