前幾天看了下阿莫論壇,一個(gè)帖子引起了我的注意,作者宋工的一批產(chǎn)品出了大問(wèn)題,帖子也是非?;?,蓋了100多樓,目前為止還沒(méi)有測(cè)試完畢,還沒(méi)有解決,大伙兒一起分析圍觀下!
背景
有個(gè)項(xiàng)目用NMOS管控制開(kāi)關(guān)電磁閥,不是頻繁動(dòng)作,只做開(kāi)關(guān)用。安裝到現(xiàn)場(chǎng)后在工作過(guò)程中大概有五分之一的MOS管燒毀,MOS管燒出一個(gè)黑洞或者直接冒煙燒焦,電磁閥和MOS管之間連接線大概有8米左右,電磁閥功率也不大,是24V 6.5W的。感覺(jué)能加保護(hù)的地方都加了,也加了續(xù)流二極管,為什么會(huì)導(dǎo)致MOS管燒掉,江蘇長(zhǎng)電的正品貨,應(yīng)該不少假貨,百思不得其解,求大神分析下原因。
電路圖手冊(cè)
現(xiàn)場(chǎng)照片
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部分網(wǎng)友回復(fù)
網(wǎng)友zqf441775525:感覺(jué)R15有點(diǎn)大,充電速度太慢,導(dǎo)致MOS管長(zhǎng)時(shí)間處于半導(dǎo)通狀態(tài)。R15可改成2K試試(改成1K貌似功率不夠)。
網(wǎng)友dog:應(yīng)該是擊穿損壞,那個(gè)鉗位到24V算不算【電磁閥】的正端?其實(shí)我覺(jué)得反而應(yīng)該用二極管把它隔離,高電壓放到電源上,會(huì)影響電源。電磁閥【負(fù)端】到【正端】用二極管鉗位,同時(shí)并聯(lián)多個(gè)【小ESR的電容】吸收自感產(chǎn)生的電壓。一定要在最近【電磁閥】屁股的地方。還有上面說(shuō)的VGS,一般的沒(méi)有24V。
作者songxunwen回復(fù):電磁閥正端接的電源24V,MOS控制負(fù)端的通斷。D19負(fù)極接24V,正極接MOS的漏極是為了在控制器這邊給電磁閥續(xù)流用的,因?yàn)橄喈?dāng)于二極管反向并聯(lián)在了電磁閥正負(fù)極上,但這個(gè)續(xù)流二極管距離電磁閥線路比較長(zhǎng),是不是效果受到了影響。可能如你所說(shuō)真的要在電磁閥上近端直接安裝二極管和電容。
網(wǎng)友dog:是的,一般人我不告訴他。在屁股上面消除高頻電磁干擾。到了板上,就無(wú)力回天。
網(wǎng)友linyibinleo:看著應(yīng)用應(yīng)該是MOS管驅(qū)動(dòng)能力弱了,處于半導(dǎo)通狀態(tài)燒壞的。
網(wǎng)友a(bǔ)lexcnsz:R15阻值太大,光耦次級(jí)信號(hào)拖尾,會(huì)導(dǎo)致MOS管不能完全飽和導(dǎo)通。
網(wǎng)友goodjob2:R15和R16太大了,充放電都慢。最好用MOS驅(qū)動(dòng)IC來(lái)驅(qū)動(dòng)MOS管,一勞永逸。不是高手的話自己搭驅(qū)動(dòng)電路再怎么改也總是各種問(wèn)題很難穩(wěn)定(血的教訓(xùn))。
網(wǎng)友polarbear:拿個(gè)示波器去測(cè)試下波形,這樣才好分析;電路看不出啥問(wèn)題,該加的都加了。
網(wǎng)友tomzbj:我感覺(jué)就是R15太大了, 導(dǎo)通太慢. 推mos還是盡可能用推挽驅(qū)動(dòng)吧, 要么就換成達(dá)林頓得了。
網(wǎng)友keshipt:
1、由于導(dǎo)線較長(zhǎng)會(huì)產(chǎn)生壓降,建議量一下電磁鐵兩端的電壓,看看是否大于21.6V(電壓過(guò)低的話 電流會(huì)劇增);
2、串個(gè)電流表測(cè)一下負(fù)載工作時(shí)的額定電流及峰值電流;
3、D19續(xù)流二極管有條件的話放在電磁鐵旁邊;
4、R15建議減小。
如果電壓和電流都達(dá)標(biāo) 那就有可能是器件問(wèn)題了
網(wǎng)友Romate:悄咪咪的告訴你 在負(fù)載兩端并聯(lián)一個(gè)474/100v的cbb電容,你會(huì)發(fā)現(xiàn)問(wèn)題解決了,不要問(wèn)我為什么知道,因?yàn)樗麐尷献痈刹冗^(guò)這個(gè)坑,加了二極管什么的一點(diǎn)作用沒(méi)有的,并上cbb啥問(wèn)題沒(méi)有了。
網(wǎng)友huike:大概率是關(guān)斷時(shí)振蕩燒的。關(guān)斷時(shí)的反峰沖擊,導(dǎo)致電源有干擾,導(dǎo)致了MOS管該關(guān)不關(guān),僅靠10K的電阻讓MOS主動(dòng)關(guān)斷,是很傻的!這個(gè)10K電阻只是用于斷電時(shí)MOS有一個(gè)電阻,不會(huì)讓電荷累積而導(dǎo)通,而你連帶電工作時(shí)的關(guān)斷都靠這個(gè),,,很簡(jiǎn)單,關(guān)斷加一個(gè)下拉三極管,如果還會(huì)燒,你來(lái)找我!
網(wǎng)友kitten:MOS最好用推挽的方式驅(qū)動(dòng)。你這個(gè)光耦意義不大,要保護(hù)的話,可以串電阻。
網(wǎng)友chunjiu:
這還要分析嗎?老鳥(niǎo)都知道那兒就不該用 MOS
1、光耦關(guān)斷時(shí)有個(gè)很長(zhǎng)的斜坡,MOS 會(huì)進(jìn)入放大區(qū),變成電阻絲(電熱絲)
2、我們的主控板懸空拿著靠近大功率逆變器,上面的 LED 會(huì)閃爍,所以光耦能保證可靠的開(kāi)關(guān)嗎?
3、那么長(zhǎng)的連接線,MOS 上的柵極就無(wú)法保證干凈的 0 電平,會(huì)引進(jìn)各種莫名的感應(yīng)電動(dòng)勢(shì)
4、線圈開(kāi)關(guān)時(shí)激蕩的電動(dòng)勢(shì)和 Layout、接線方式都有關(guān)聯(lián),接錯(cuò)位必然導(dǎo)致 MOS 被擊穿
5、地線對(duì)外連接會(huì)有傳導(dǎo)干擾的沖擊,MOS 很難扛得住
作者songxunwen回復(fù):我這幾天沒(méi)在公司,但公司技術(shù)人員也一直在測(cè)試,5秒開(kāi)5秒關(guān),甚至0.5s開(kāi)關(guān),一直循環(huán)都測(cè)試了好幾天了,沒(méi)有一個(gè)壞的,甚至mos幾乎不熱。線長(zhǎng)也是模擬現(xiàn)場(chǎng)的長(zhǎng)度。波形也抓過(guò),電磁閥開(kāi)關(guān)時(shí)漏極瞬時(shí)電壓到25.4V左右,續(xù)流二極管應(yīng)該起作用了。輸出短路也測(cè)試過(guò),自恢復(fù)保險(xiǎn)起作用,不會(huì)燒mos。還是沒(méi)搞懂什么原因。因?yàn)榇蟛糠謮逊治鍪菛艠O電阻太大,如果是這個(gè)原因?qū)е聼龤?,測(cè)試過(guò)程中mos應(yīng)該發(fā)熱才對(duì)。
責(zé)任編輯:彭菁
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原文標(biāo)題:現(xiàn)場(chǎng)的MOS管大面積燒毀,求大神們分析原因
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