本設計筆記顯示了用于工作站和服務器的高速內存系統的雙倍數據速率 （DDR） 同步 DRAM （SDRAM）。使用MAX1864 xDSL/電纜調制解調器電源，電路產生等于并跟蹤VREF的終止電壓（VTT）。

雙倍數據速率 （DDR） 同步 DRAM （SDRAM） 用于工作站和服務器的高速內存系統。這些存儲器IC使用2.5V或1.8V電源電壓。它們需要等于電源電壓一半的基準電壓 （VREF = VDD/2）。其邏輯輸出通過電阻端接至終止電壓 （VTT），該電阻等于并跟蹤 VREF。VTT 必須在保持 VTT = VREF ±0.04V 的同時提供或吸收電流。

圖1所示電路為2.5V和1.8V存儲器系統提供終止電壓，并提供高達6A的電流。U1 包括一個降壓控制器和兩個線性穩壓控制器，工作在 4.5V 至 28V 的輸入電壓范圍內。其固定的 200kHz PWM 控制器通過拉電流和灌電流來維持輸出電壓。最大灌電流等于最大源電流，但灌電流沒有電流限制。當灌電流時，器件將一些電流返回到輸入電源。

圖1.該電路產生DDR同步DRAM的終止電壓。

為了實現跟蹤功能，U1的一個額外的線性穩壓器控制器被配置為反相放大器。該放大器將VDD/2（由R11和R12創建）與U1的VREF進行比較，并產生一個誤差信號，該信號通過R6施加到U1的FB引腳，從而迫使VOUT跟蹤VDD/2。需要10mA負載（R10）來偏置反相放大器以實現精確跟蹤。VOUT 可以跟蹤 VDD/2 的 VDD/2，范圍為 1V 至 4V。

審核編輯：郭婷