全棧式信號鏈芯片供應(yīng)商列拓科技Leto宣布，最新推出高性能、高閃存、低功耗微控制器芯片LTM32F103ZET6。 LTM32F103ZET6芯片使用ARM 32位Cortex-M3內(nèi)核，最高工作頻率 96MHz；LTM32F103ZET6芯片內(nèi)置512KB的FLASH、64KB的SRAM等大容量高速存儲器；并且可以通過FSMC模塊掛載最多1GB容量的 NOR/PSRAM/NAND/PC Card外部存儲器。LTM32F103ZET6芯片支持多種省電模式，使其能夠滿足各種低功耗應(yīng)用的要求，其內(nèi)部框架圖如下：

LTM32F103ZET6芯片主要特性：

ARM 32位Cortex-M3內(nèi)核

512KB閃存、64KB SRAM高速存儲器

高達(dá)96MHz工作頻率

2.0V~3.6V工作電壓范圍

-40℃~85℃工作溫度范圍

多達(dá)11個(gè)16位定時(shí)器

12位的ADC/DAC數(shù)模轉(zhuǎn)換器

集成USB全速接口和CAN以及FSMC外設(shè)

多達(dá)13個(gè)I2C/UART/SPI/SDIO通信接口

12通道DMA控制器

支持睡眠、停機(jī)、待機(jī)三種低功耗模式

封裝尺寸：LQFP144(20x20mm)

應(yīng)用場景： LTM32F103ZET6可以廣泛應(yīng)用于電機(jī)驅(qū)動(dòng)器、數(shù)模轉(zhuǎn)換模塊、數(shù)據(jù)通信設(shè)施、應(yīng)用控制設(shè)備、醫(yī)療與手持設(shè)備。 應(yīng)用產(chǎn)品（例）：

LTM32F103ZET6預(yù)計(jì)7月份量產(chǎn)，目前已經(jīng)送樣中。列拓科技高性能、高閃存、低功耗微控制器系列產(chǎn)品已經(jīng)開放樣片申請，免費(fèi)申請樣片請發(fā)郵件至sales@leto-ic.com。您可以訪問列拓科技官方網(wǎng)站http://www.leto-ic.com選擇適用的型號。