激勵功率的變化會引起晶體頻率和諧振阻抗的變化，S&A250B測試數(shù)據(jù)中的DLD2指的是：不同激勵電平下的負(fù)載諧振電阻的最大值與最小值的差值，值越小越好。

激勵電平相關(guān)性

DLD: Drive Level Dependency

晶振DLD2值過大，會怎么樣????????????????????

如果激勵功率過大可能破壞晶體的內(nèi)部機(jī)理，引起振蕩頻率異常、穩(wěn)定度下降、頻率失真、晶片破損等現(xiàn)象，更為嚴(yán)重的導(dǎo)致電極受損。

在電路設(shè)計時，KOAN小妹建議您確認(rèn)所使用的激勵等級絕對不超過最大激勵等級。如果激勵功率過低，也會帶來DLD問題或者不起振。

DLD2值過高的原因???????

除電路設(shè)計的因素，晶振制作過程中殘留應(yīng)力和制造污染也會造成DLD2值高。《晶振的制作過程》中，第七步“晶振焊封”中：無源諧振器真空密封/充氮氣;有源晶振還需要加入芯片，用金線與底座各引腳連接，最后用真空密封/充氮氣。

在沒有真空的情況下，晶振內(nèi)部存有少量水蒸氣，在低溫環(huán)境下會凝結(jié)成水滴附著于晶片表面。晶振內(nèi)部充氮氣優(yōu)于僅抽真空。氮氣是防止內(nèi)部金屬氧化，例如電極等，以進(jìn)一步提升晶振的穩(wěn)定性。

晶振的設(shè)計關(guān)鍵：頻率穩(wěn)定?

晶振頻率穩(wěn)定是振蕩電路設(shè)計的關(guān)鍵點。振蕩電路設(shè)計中需要考慮的6大因素：

01 選用公差和諧振阻抗較小的晶體

02 選擇合適的激勵功率

03 合適的匹配電容(滿足相位條件)

04 振蕩寬限(滿足振幅條件)

05 選用合適的振蕩IC

06 其它因素：電路，環(huán)境……

審核編輯：湯梓紅