EMI分傳導(dǎo)和輻射兩部分,傳導(dǎo)EMI噪聲可通過纜線或其他導(dǎo)體傳到受害設(shè)備,輻射EMI噪聲則是直接通過空間耦合到受害設(shè)備上。
對于工程師朋友們來說,EMI問題往往有很多的不確定性,有可能設(shè)計到了最后的階段,EMI反而難以滿足需求。
而對EMI問題的建模分析,會極為有效的幫助我們進行EMI的設(shè)計和優(yōu)化,甚至從設(shè)計之初,就可以對EMI進行預(yù)測。
EMI分傳導(dǎo)和輻射兩部分,傳導(dǎo)EMI噪聲可通過纜線或其他導(dǎo)體傳到受害設(shè)備,輻射EMI噪聲則是直接通過空間耦合到受害設(shè)備上。
這兩種噪聲因為傳播途徑的不同,建模和分析方法則需要分別來進行探討。
傳導(dǎo)EMI
那傳導(dǎo)EMI怎么來分析?
我們一般把它分為兩種:差模和共模。
差模噪聲(DM)主要在兩條線間流動,而共模電流則可通過設(shè)備對地的雜散電容以位移電流的形式流到地上,再流回電網(wǎng)。
因為這兩種噪聲的傳播途徑和抑制機理不同,我們需要分別進行建模分析。
另外,在測量中,我們可以使用噪聲分離器來得到它們(如圖1所示),據(jù)此就可知道造成EMI超標的原因到底是差模還是共模噪聲。
圖1 傳導(dǎo)EMI中的共模和差模噪聲
在傳導(dǎo)EMI的分析建模中,首先要做的就是把差模和共模路徑畫出來,并分別進行分析。
圖2即為一個Buck電路的共模與差模路徑。其中,LF和CF代表輸入濾波器的電感和電容。CP和CPO分別代表開關(guān)節(jié)點和EVB板的地對測試參考地的雜散電容。
圖2 Buck電路傳導(dǎo)EMI中的共模和差模路徑
對于不同的路徑來說,EMI建模的第一步是根據(jù)替代定理,把開關(guān)用電流源或電壓源進行等效。以Buck電路的差模分析為例,等效之后,電路各處的電流和電壓依然不變(如圖3a所示)。
然后可以使用疊加定理來具體分析每一個源的影響(如圖3b所示),由于只有經(jīng)過LISN的電流才會成為EMI噪聲,因此我們可以忽略不產(chǎn)生EMI噪聲的源(如圖3b中的VS2)。
最終,如圖4所示,我們就得到了差模噪聲模型。可以發(fā)現(xiàn),Buck的差模噪聲源即為上管電流,從模型上來看,輸入差模噪聲的抑制可以通過選擇輸入電容以及輸入濾波器來實現(xiàn)。
圖3 使用替代定理和疊加定理對差模噪聲進行建模分析
圖4 Buck變換器的差模噪聲模型
同理,如圖5,圖6所示,Buck電路的共模模型也可以使用類似的方法進行分析。在共模分析中,由于輸入,輸出電容(如CIN,COUT)的阻抗遠小于CP和CPO,在分析時,可以認為它們是短路的。找元器件現(xiàn)貨上唯樣商城
從圖6可以看出,對于Buck來說,共模噪聲的抑制則可以通過減小CP來實現(xiàn),具體的做法包括減小開關(guān)節(jié)點面積、對開關(guān)節(jié)點進行屏蔽等等。
圖5 使用替代定理和疊加定理對共模噪聲進行建模分析
圖6 Buck變換器的共模噪聲模型
值得一提的是,以上的分析方法也適用于其他的非隔離變換器,如Boost、Buck-Boost等。
到了這一步,我們就有了基本的EMI模型了,但是如果想要準確預(yù)測高頻率的EMI(如30MHz以上),我們往往需要考慮各個元件的寄生參數(shù)的影響。
圖7a展示了常見的EMI被動元件,圖7b和7c則分別是電容和電感的高頻阻抗模型。在很高的頻率下,電容往往會體現(xiàn)出電感的特性,電感也會體現(xiàn)出電阻或者是電容的特性。
a
b
c
圖7 (a)常見EMI元件(b)電容的高頻等效模型(c)電感的高頻等效模型
那么我們?nèi)绾蔚玫紼MI元件的各個雜散參數(shù)呢?
一般來說,我們可以從供應(yīng)商處得到,如果供應(yīng)商無法提供,我們也可以通過阻抗分析儀或者是網(wǎng)絡(luò)分析儀進行測量。
以一個電感為例,圖8即為測量得到的阻抗曲線。由于在不同頻段,對阻抗有決定性影響的參數(shù)也不同,因此,通過在不同頻段取點計算,即可分別得到各個雜散參數(shù)。
圖8 電感的阻抗曲線測量結(jié)果
分析高頻EMI的時候,PCB走線產(chǎn)生的電感往往不能忽略,在EMI建模的時候也要加以考慮。阻抗分析儀或者網(wǎng)絡(luò)分析儀不僅可以幫助測量EMI元件,也可以幫助提取PCB板上面的雜散參數(shù)。
在我們得到EMI元件和PCB雜散參數(shù)后,我們就可以改進圖2所示的模型,并進行仿真了。開關(guān)上的電壓和電流既可以通過實際提取得到,也可以在仿真中使用開關(guān)或者IC的模型進行模擬。
圖9 利用仿真軟件進行EMI預(yù)測
如圖10所示,在準確提取EMI元件和PCB阻抗的前提下,EMI仿真可以較為準確地預(yù)測一個變換器的傳導(dǎo)EMI結(jié)果。
圖10 EMI仿真結(jié)果與實際測量對比
輻射EMI
對于輻射EMI來說,傳統(tǒng)手段是使用電磁場理論進行推導(dǎo)和分析,然而,對于工程應(yīng)用和建模來講,繁復(fù)的公式推導(dǎo)對于理解和解決EMI問題幫助是有限的,而一個有明確物理意義的電路模型將更有幫助。
如下圖所示,輻射EMI可以認為主要通過輸入線和輸出線組成的偶級子天線向空間輻射,而其驅(qū)動源則為變換器本身的共模噪聲源。
因此,變換器本身可以通過戴維南定理等效為一個電壓源和它的串聯(lián)阻抗,而天線則使用三個阻抗來分別表示其自身損耗,向外輻射的能量,以及儲存的近場能量。
圖11 輻射EMI的產(chǎn)生機理與模型
對于變換器來說,顯然,變換器的源越小,輻射的能量也就越小。
如下圖所示,理想狀況下,對于非隔離性變換器來說,輸入與輸出地之間沒有阻抗,而等效的源(VCM)為零,也就不會產(chǎn)生EMI輻射。
但實際上,由于地之間的PCB走線會產(chǎn)生電感,輸入端(P1)與輸出端(P3)之間也會產(chǎn)生壓降,這樣就導(dǎo)致了輻射EMI的產(chǎn)生。
圖12 理想與實際Buck-Boost變換器電路模型
據(jù)此,我們可以進行EMI建模,這部分的原理和傳導(dǎo)分析是一致的。
首先使用電壓源(VSW)和電流源(ID)對開關(guān)等效,并使用疊加定理分別分析它們的影響。
如圖13所示,我們發(fā)現(xiàn)電壓源和電流源都會產(chǎn)生輻射噪聲。
圖13 Buck-Boost變換器輻射EMI的噪聲源:(a)電壓源(b)電流源
而根據(jù)模型,我們可以得到各個源對變換器等效源的傳遞函數(shù)。
在實驗中,用示波器可以測量電壓源、電流源的大小;用阻抗分析儀可以測量模型中各個阻抗的大小;再進行計算即可預(yù)測等效源的大小。
如下圖所示,預(yù)測值與實際測量的等效源的值相符。模型的合理性即得到證明。
圖14 預(yù)測與實際測量的Buck-Boost變換器等效源
另一方面,對于天線來說,由于在測試中,線束長度往往是確定的,我們可以根據(jù)某個標準下EMI測試中的線束長度和擺放方式,來測量得到它的天線增益。
結(jié)合我們之前得到的變換器等效源與等效阻抗,我們即可預(yù)測實際的輻射EMI噪聲。圖15a展示了預(yù)測的流程和方法,圖15b則是預(yù)測結(jié)果和實際結(jié)果的比較。可以看出,兩者有很好的吻合度。
圖15 (a)輻射噪聲預(yù)測流程與方法(b)輻射噪聲預(yù)測與實際測量的EMI對比
在本文中,我們分享了非隔離變換器傳導(dǎo)與輻射EMI的建模方法,并以Buck變換器和Buck-boost變換器作為例子進行了演示。而根據(jù)EMI模型,我們既可以分析如何降噪,也可以通過仿真直接對EMI進行預(yù)測,以幫助我們進行EMI設(shè)計。
審核編輯:湯梓紅
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