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摘要：

半導體封裝技術總體上可以分為兩大類: (1) Wire Bonding 引線鍵合工藝，(2) Non-Wire Bonding 非鍵合工藝，如FC、Clip bond等封裝技術。據相關數據統計，使用引線鍵合這種傳統封裝工藝的器件仍占據近70%的出貨量。雖然近些年來以WLCSP為代表的先進封裝技術發展迅速，但傳統的封裝工藝不會被完全淘汰，兩者會長期共存發展。

談到半導體封裝就不得不提到其重要的封裝材料—鍵合線。目前市場上的鍵合線根據材質分為幾大類：金、銀、銅、鍍鈀銅、鋁等。這幾類線材已得到了廣泛應用，這里就不過多贅述，我們就談談最新一代的鍵合線產品—鍍金銀線。

1鍵合線市場信息：

由于黃金具有出色的抗氧化、抗腐蝕能力，及良好的電特性等優點, 被廣泛的用于半導體封裝中，早期的封裝工藝使用的鍵合線只有金線。但隨著黃金價格的不斷攀升，在單顆器件中，金線的成本僅次于基板位居第二位（芯片除外），成為封裝廠降低成本的主要目標。此時，銅線、鍍鈀銅線、銀合金線等低成本的材料先后被推向市場，在各自的應用領域占據了一定市場份額。

下圖為不同鍵合線的市場用量分析和預測：

2為何是鍍金銀線？

目前金線的主要應用領域為存儲器、高可靠性汽車電子、高端LED、攝像頭模組、軍工、航空等，這些領域里的產品由于其產品特點決定了不適合使用銅線、銀合金線等低成本線材。

為何不能用銅線？由于銅線的硬度比金線高了約25%左右，在一些Pad鋁層較薄的產品中，如存儲器中Nand Flash有的薄至0.5um，如果打銅線很容易出現Pad Peeling、Crack等問題。相反，有部分產品Pad 鋁層較厚，甚至達到4um以上，如果Pad焊點開窗較小，鋁層飛濺將是銅線鍵合的主要挑戰。

圖1.銅與金對比，數據來源：賀利氏電子

為何不能用銀合金線？由于銀離子相對比較活躍，尤其在一些高濕的環境中，會產生銀離子遷移的情況。同時，在有電流通過的情況下，銀離子遷移速率會提高。銀離子遷移會導致兩個Pad之間短路，最終導致產品失效，尤其是在一些小間距產品上的挑戰很大。此外，銀容易與硫反應生成硫化銀，從而產生可靠性問題。

通常我們在純銀里會參雜一些微量元素以改善上述性能，金（Au）、鈀（Pd）常常被選為主要參雜元素。鈀會形成氧化鈀層從而抑制銀離子析出的速度，金會減少自由的銀離子的數量從而減少銀離子遷移。

圖2. PdO 層抑制銀離子析出，

圖片來源: Kim Vu, Silver Migration – The Mechanism and Effects on Thick-Film Conductors, Material Science Engineering 234 – Spring 2003.

以下是不同純度的銀合金線的銀遷移速率的對比。雖然合金會延緩銀離子遷移速率，但在一些高濕度的可靠性測試中，銀合金線表現出的可靠性還是比金線要差。所以，銀合金線通常會在一些低可靠性要求的產品中才有應用。

圖3.銀離子遷移實驗，數據來源：賀利氏電子

針對以上銅線、銀合金線產品的不足之處，鍍金銀線被認為是目前這部分金線產品理想的替代品。它具體有哪些優勢呢，下面會詳細介紹一下。

3 鍍金銀線的特點：

在介紹產品特性前，先了解一下它的加工過程。顧名思義，鍍金銀線是在銀外面電鍍一層金，以下是鍍金銀線簡單的生產工藝流程圖：

圖4. 鍍金銀線工藝流程圖

核心材料為Ag加入少量Pd，Pd的添加可有效延緩IMC的生長，從而提高了高溫存儲的可靠性。

圖5. 反應機理示意圖

為何選擇Au作為鍍層材料？眾所周知，金具有非常出色的抗氧化、抗腐蝕的特性，并與很多材料都有著良好的結合效果。因此，電鍍一層金，對里面的銀起到了很好的保護作用，從而提升了銀線的抗硫化和抗腐蝕能力，也改善了銀離子遷移的問題，提高了可靠性。

但是，由于Au與Ag 的材料屬性決定了它們之間易融合從而相互擴散形成固容體，影響Au的表面覆蓋率。所以，提高Au在Ag表面的覆蓋率對于此類鍍金銀線的可靠性尤為重要。為了解決這個問題，通常會在Au與Ag之間加入阻礙層以延緩Au擴散到Ag內部。

圖6. Au &Ag 材料屬性對比，數據來源：賀利氏電子

FAB抗氯離子腐蝕對比實驗結果表明，與銀合金線相比，鍍金銀線有著非常出色的抗氯離子腐蝕的性能，這是因為FAB表面Au包覆性非常好。為何會有如此好的包覆性？這也是得益于阻礙層起到了作用，減少了Au向融化后的銀球里擴散。另外，電鍍時特殊的添加物會使Au 具有良好的表面張力及潤濕性，在FAB 形成時會更多的Au流下來覆蓋FAB。