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LED芯片暗裂和漏電的主要原因

要長高 ? 來源:21ic電子網 ? 2023-07-09 09:55 ? 次閱讀

一、LED芯片

LED芯片是一種固態的半導體器件,LED的心臟是一個半導體的晶片,晶片的一端附在一個支架上,一端是負極,另一端連接電源的正極,使整個晶片被環氧樹脂封裝起來。

LED芯片因為大小一般都在大小:小功率的芯片一般分為8mil、9mil、12mil、14mil等,跟頭發一樣細,以前人工計數時候非常辛苦,而且準確率極底,2012年廈門好景科技有開發一套專門針對LED芯片計數的軟件,儀器整合了高清晰度數字技術來鑒別最困難的計數問題,LED芯片專用計數儀設備是由百萬象素工業專用的CCD和百萬象素鏡頭的硬件,整合了高清晰度圖像數字技術的軟件組成的,主要用來計算出LED芯片的數量。該LED芯片專用計數儀通過高速的圖像獲取及視覺識別處理,準確、快速地計數LED芯片,操作簡單,使用方便。

二、LED芯片暗裂主要原因

LED芯片暗裂主要包括三大不當操作:

(一)參數調整不當

1、其它參數設定不當

2、頂針高度設定不當

3、固晶高度設定不當

4、吸晶高度設定不當

(二)機構調整不當

1、三點不線不正確

2、焊頭壓力不當

(三)工具不良

1、真空壓力不足

2、吸咀、頂針磨損

三、LED芯片常見漏電原因

1、被污染(是重要的高發問題)

LED芯片很小,并且灰塵等可以很容易地將其污染。 重要的是,灰塵,水蒸氣和各種雜質離子會粘附在芯片表面上,而不僅是表面上。

芯片內部有一個效果,它也會擴散到芯片內部以產生效果。 例如,銅離子和鈉離子容易擴散到半導體材料中,并且非常少量會嚴重惡化半導體器件的性能。 包裝廠的不清潔度不能滿足要求,LED的質量問題將會到來。

由污染引起的泄漏,觀察其伏安特性,通常有很多表現,例如:正向和反向泄漏電流具有不同的伏安特性; 反向擊穿電壓爬電變化; 正向伏安曲線蠕變; 嚴重地,它將顯示正向和反向的狀態。 污染泄漏也顯示出不穩定, 在某些情況下,泄漏將暫時恢復正常。

2、應力

在LED中,材料不同,熱膨脹系數也不同。 在反復的溫度變化過程中,每種物質都不可能返回到它們剛開始接觸時的狀態,并且彼此之間會有一定量的應力,但這并不一定有害。

僅當膨脹系數相差太大并且工藝條件不合適時,才可能留下很大的應力。

這種嚴重的應力會壓碎芯片,使芯片斷裂,引起泄漏,在某些區域開裂并且不發光,并且嚴重地完全斷開電路并且不發光。 當壓力不太大時,有時會產生嚴重的后果。

剛開始在LED側面上有懸空鍵。 應力的作用導致表面原子的微位移。 這些懸空鍵的電場甚至處于不平衡狀態,從而導致端面。PN結處的能級狀態發生變化,從而導致泄漏。

3、后序工藝存在潛在風險

芯片在前道電極制作完成后,還是以整張外延片的形式存在,芯片進入后道工藝后,接下來會對晶圓進行研磨,減薄襯底的厚度,為后面的激光切割工序做準備。研磨完成后進行激光切割,整張晶圓就會以1顆1顆芯片的形式存在,接下來完成對芯片的檢測分選,分檔包裝,整個LED的制造工藝流程結束。在整個后道工藝中存在以下兩種影響芯片漏電的潛在原因:一是激光切割過程中,激光光束的聚焦位置靠近外延層,致使在切割刀劈裂過程中引起紋延伸至外延層,造成芯片側面外延層損傷,加大外界雜質離子進入芯片內部的幾率,形成深層的雜質能級,增加電子與雜質離子的非輻射復合,從而增加漏電流。

二是芯片在完成測試后包裝成品的過程中,由于操作不當使芯片受到沾污,受到沾污的芯片表面存在雜質元素Na、C1金屬元素Na很容易透過保護層進入到半導體材料內部使芯片更易產生漏電現象。

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