無陰極短路點:
(1)正向特性
(2)反向特性
高壓雙向可控硅(SCR)具有阻斷電壓高、高溫漏電流小、飽和壓降低、開通門限電壓高、陽極脈沖峰值電流大、斷態陽極電壓上升率(dv/dt)高、開通陽極電流上升率(di/dt)高、抗輻射能力強等特點。
器件設計考慮:一是原始高阻單晶硅材料參數(高阻單晶硅電阻率、厚度、少子壽命等) 的選擇及P-區(等效NPN晶體管基區,薄基區)、N-區(等效PNP晶體管基區,厚基區)結構設計,同時滿足產品高阻斷電壓、低飽和壓降及低漏電流特性;二是芯片門極、陰極區結構及芯片面積的設計,同時滿足大初始導通面積(高di/dt)、高dv/dt、高電流容量和低導通延遲;三是非對稱N+緩沖層的設計和實現,N+緩沖層的制備方法選擇,通過調整N+緩沖層的摻雜濃度及雜質濃度分布來獲得較好的非對稱特性,同時實現高阻斷特性和低通態壓降。
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