DRAM和SRAM元器件原理
元器件原理＜DRAM＞
數(shù)據(jù)的寫入方法
＜“1” 時＞
Word線電位為 high
Bit線電位為 high
Word線電位為 low
元器件原理＜SRAM＞
存儲單元構(gòu)成
由6個晶體管單元構(gòu)成
由4個晶體管單元（高電阻負(fù)載型單元）構(gòu)成
數(shù)據(jù)的寫入方法
＜“1” 時＞
Word線電位為 high
給予Bit線的電位（D=low， D=high） → 確定觸發(fā)器的狀態(tài)
Word線電位為 low
數(shù)據(jù)的讀取方法
＜“1” 時＞
使Word線電位 off
對Bit線預(yù)充電（D， D與D相同的電位）
Word線電位為 high
Bit線變?yōu)?low、high的狀態(tài)
用感測放大器進(jìn)行增幅
通過觸發(fā)器電路存儲“1”、“0”
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