隨著光伏逆變器功率等級的不斷提高，光伏行業對功率器件的規格和散熱要求也越來越高。相比于傳統硅器件，碳化硅功率器件能帶來更高的轉換效率和更低的能量損耗，從而有效縮小系統體積、增加功率密度、延長器件使用壽命、降低生產成本等，在光伏行業呈現大規模應用趨勢。

太陽能光伏逆變器可以實現直流電到交流電的轉換，是所有光伏發電系統中最關鍵的部分，主要由三部分組成，MPPT、直流濾波和DC-AC逆變并網，本文推薦使用基本半導體碳化硅MOSFET B2M035120YP替代英飛凌的IMZ120R030M1H和安森美的NVH4L030N120M3S，且B2M035120YP在高溫工作中會更有優勢。

然而通常為了獲得高發電量，逆變器效率的提高必不可少，在三相光伏逆變器上在升壓部分使用1200V B2M035120YP替代普通的1200V的硅器件，相比具有相同額定值的1200V硅器件，碳化硅MOSFET能效更高，具有高阻斷電壓的低導通電阻，系統尺寸/重量得到縮減，電力電子系統中的功率密度也有所增加。即便在高溫（175°C）下運行，也能發揮一流的耐用性與卓越性能。

B2M035120YP應用領域：

開關模式電源(SMPS)、電源逆變器&太陽能逆變器、電機驅動器和電動汽車充電站、直流/直流轉換器

該產品符合RoHS標準、無鉛、不含鹵素，非常適用于光伏逆變器等效率、體積及發熱要求較高的應用。此外，基本半導體提供各種電流電壓等級的碳化硅肖特基二極管和平面、溝槽柵碳化硅MOSFET，產品可應用于標準環境及高溫環境，各項性能指標達到國際領先水平。

審核編輯：湯梓紅