傳三星4nm良率水平追平臺積電，3nm提至60%以上
11日，據韓國經濟新聞報導，三星電子將4納米node級半導體組的收益率提升到了競爭公司臺積電 （TSMC）的水平。
據悉，HI Investment & Securities投資證券半導體分析師Park Sang-wook發表研究報告稱，三星電子的4納米和3納米工程節點的半導體產量分別提高到75%和60%以上。
據《韓國經濟新聞》報道，直到今年年初，業界還預測三星的4納米技術收益率為50%左右。4納米和3納米等尖端工程的收率超過60%，意味著使用這些工程的芯片收率處于穩定水平。
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來源：EETOP，謝謝 編輯：感知芯視界 Link 近期韓媒DealSite+報道，表示三星的3nm GAA生產工藝存在問題，在嘗試生產適用于Galaxy S25 /S25+手機的Exynos
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