聚焦高性能模擬芯片與嵌入式處理器

聚焦高性能模擬芯片和嵌入式處理器的半導體設計公司——思瑞浦3PEAK（股票代碼：688536）推出CMTI ±150kV/μs隔離柵極驅動——TPM2351x系列, 因其突出的產品優勢，可廣泛應用于IGBT、SiC MOSFET等功率器件的驅動中。

TPM2351x產品特點

兼容光耦輸入的單通道隔離柵極驅動

可輸出 4.5A 峰值拉電流、5A 峰值灌電流

40V輸出供電電壓

輸入級具有6V反極性電壓處理能力

70ns傳輸延遲

25ns器件間延遲匹配

35ns脈寬失真度

5kVRMS增強型隔離等級

±150kV/μs（最小值）共模瞬態抗擾度 (CMTI)

WSOP寬體封裝

工作溫度：-40℃ to +125℃

TPM2351x產品優勢

CMTI 最小值 ±150kV/μs

共模瞬態抗擾度（CMTI）是隔離型柵極驅動器在較高開關頻率下工作時需要考慮的一個重要參數。對原副邊隔離的柵極驅動器來說，高噪聲瞬變會導致柵極驅動器失去信號完整性，或者“毛刺”，從而導致系統調制失敗;或者更糟的是，生成一個偽信號，其可能觸發兩個功率MOSFET同時接通，從而引發危險的電氣短路情況。高瞬變也可能造成柵極驅動器進入一種永久的閂鎖狀態，這也會引發危險情況。隔離柵極驅動器的設計必須能夠承受這些噪聲瞬變，同時不會造成毛刺或閂鎖。

思瑞浦TPM2351x系列產品能夠承受超過±150kV/μs（最小值）共模瞬態抗擾度 (CMTI)，因此可以廣泛用于IGBT、SiC MOSFET等功率器件的驅動中。下圖展示了在±160kV/μs的CMT下TPM2351X的輸出波形，可見輸出未受原副邊高瞬變干擾的影響。

下降沿CMT=160V/ns

上升沿CMT=160V/ns

內置米勒鉗位功能（TPM23514M）

在半橋電路中，串擾現象是研究熱點之一。例如，若上管處于關斷狀態，當下管開通暫態過程中，上管柵漏電容Cgd兩端的電壓階躍引入了位移電流igd，流過柵極電阻，造成驅動電壓正向尖峰，可能超過開通閾值電壓，導致器件的誤開通，增加開關損耗甚至導致直流側母線短路。

TPM23514M提供內置米勒鉗位功能，在高速開關下能有效減小功率器件誤導通的風險。下圖利用雙脈沖實驗對比了采用米勒鉗位前后功率器件柵源電壓Vgs的波形。未采用米勒鉗位前，在下管開通暫態中，上管Vgs的電壓變化量ΔV達到5V；在采用米勒鉗位后，電壓變化量ΔV減小到2V，大大降低了上管誤導通的風險。

不帶米勒鉗位功能下雙脈沖測試

帶米勒鉗位功能下雙脈沖測試

TPM2351x產品典型應用

TPM2351x系列驅動芯片支持雙極電源供電，能有效驅動SiC MOSFET、IGBT等功率器件。此外，TPM23514M提供內置米勒鉗位功能，在高速開關下能有效減小功率器件誤導通的風險。

TPM23513 典型應用

TPM23514M 典型應用

TPM2351x系列產品現已量產出貨。

關于思瑞浦

思瑞浦微電子科技（蘇州）股份有限公司（英文：3PEAK INCORPORATED，股票代碼：688536），公司始終堅持研發高性能、高質量和高可靠性的集成電路產品，包括信號鏈模擬芯片、電源管理模擬芯片和數模混合模擬前端，并逐漸融合嵌入式處理器， 為客戶提供全方面的解決方案。其應用范圍涵蓋信息通訊、工業控制、新能源和汽車、醫療健康等眾多領域。

審核編輯：湯梓紅