要解釋三極管導(dǎo)電機(jī)理，必須弄明白其基本結(jié)構(gòu)和電子走向。如圖所示，NPN三極管的基極是一段很窄的P型半導(dǎo)體，兩端是由N型半導(dǎo)體組成的發(fā)射極和集電極。這兩個(gè)電極的名字也是相當(dāng)形象的，發(fā)射極發(fā)射電子，集電極收集電子。

基極和發(fā)射極之間施加的是正向偏置電壓，其目的是使發(fā)射極中的電子在電場的作用下漂移到基極。這些電子到達(dá)基極后，部分電子與空穴復(fù)合形成電流IB，因?yàn)榛鶚O窄，所以復(fù)合的只是很小一部分，IB也就很小。又因?yàn)榧姌O和基極之間施加的是反向偏置，所以達(dá)到基極的大部分電子會(huì)在這一電場作用下漂移到集電極形成IC。

在書中，IC和IB之間的關(guān)系是IC=βIB，現(xiàn)在假設(shè)β=99，就可以理解成發(fā)射極發(fā)射100個(gè)電子，有1個(gè)電子與空穴復(fù)合形成IB，有99個(gè)電子到達(dá)集電極形成IC，這個(gè)效果就像是IB被放大了99倍。因?yàn)樵趦蓚€(gè)過程中的電子漂移方向是一致的，所以從發(fā)射極流出的IE=IC+IB，因?yàn)镮B的電流很小，所以有IE=αIC（α≈1）。

綜上所述，如果把這個(gè)過程看作一個(gè)黑盒的話，就可以簡單看成是發(fā)射極發(fā)射電子，集電極收集電子。

VCE=VCB+VBE，可以用VBE衡量發(fā)射電子的能力，用VCB衡量吸收電子的能力，具體表現(xiàn)如下圖所示。

在VCE相同的情況下，VBE大的三極管發(fā)射電子的能力更強(qiáng)，形成的電流更大；在VBE一定的情況下，電流會(huì)隨著VCE的增加（也就是吸收電子能力）而增加，但是當(dāng)VCE到達(dá)一定值后，電流出現(xiàn)飽和，其原因就是發(fā)射電子的能力是有限的，發(fā)射的電子幾乎全部在集電極被收集，電流無法繼續(xù)增大。

簡單來說，VBE決定了電流的上限，VCE盡可能地發(fā)揮上限。