聯訊儀器PXIe源測量單元(SMU)集成高精度源和測量單元，可利用PXIe源測量單元構建高密度并行測試系統，以滿足大規模半導體集成電路的高通道密度，并增加配置的靈活性，最大化測試效率，降低測試成本。

聯訊儀器PXIe SMU基于先進的數字控制技術，集成的Adaptive PFC（Precision-Fast Control）系統使用戶可根據負載特性，調整相關參數來獲得精確、快速的輸出特性, 即使在高容性負載情況下，也可最小化過沖和振蕩。

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主要特點

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高電壓高精度測量

S2013C 支持200V/1A直流/3A脈沖，分辨率100fA/100nV，電壓精度100μV，電流精度200pA

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AdaptivePFC系統

用戶可利用Adaptive PFC(Precise-Fast Control)系統，用戶可根據負載特性，調整相關參數，獲得更精確，快速的輸出特性

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高速測量S2013C最高可支持1M的采樣率，NPLC和采樣率可根據需要設定，以滿足高速高精度的測量場景

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Adaptive PFC系統

SMU采用閉環反饋控制，以確保源的輸出精確的加在負載上。實際使用中，對于不同的負載，要獲得理想的響應，源表的輸出特性需要可配置，然而傳統的SMU使用模擬硬件來實現控制循環，負載會直接影響用于調節輸出電壓或電流的控制循環。因此傳統的模擬架構很難實現既快又沒有過沖，設計剛好能為不同負載提供理想響應的電路幾乎不現實。

聯訊PXIe源表采用數字控制系統， 集成的Adaptive PFC(Precise-Fast Control)系統，可通過軟件優化控制循環，從而實現對不同負載的響應進行優化。該技術能夠提供最佳響應時間，縮短測試時間，并且消除振蕩，提高測試的穩定性。

通過數字閉環控制調節輸出特性

調整前輸出特性 調整后輸出特性

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PXIe源測量單元在晶圓測試中的應用

晶圓（Wafer）制作完成之后，成千上萬的裸Die規則的分布滿整個Wafer，芯片的管腳全部裸露在外，通過探針將裸露的芯片與源測試單元相連，進行各項電性能參數的表征。

聯訊儀器PXIe源表支持標準PXIe機箱，用戶可根據需求配置不同槽位的機箱，將PXIe源表安裝在機箱中，從而實現多路的并行測試，提高測試效率！

S2012C在CP（Chip Probing）測試中的應用

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聯訊源表系列

聯訊儀器可提供臺式源表（帶主機和觸摸屏）以及PXIe 插卡式源表（支持標準PXIe機箱），用戶可根據需求靈活選擇。