容量誤差小的薄膜電容是怎么生產(chǎn)出來(lái)的？

一般薄膜電容生產(chǎn)出來(lái)以后，它的實(shí)際容量會(huì)有些偏大、有些偏小，生產(chǎn)好的電容最后會(huì)過(guò)一遍分選機(jī)，機(jī)器可以自動(dòng)識(shí)別薄膜電容的容量誤差大小，如果想要容量誤差更小的薄膜電容，就可以用分選機(jī)把符合要求的電容自動(dòng)挑選出來(lái)，這樣廠家的成本就會(huì)變高，電容的價(jià)格自然也會(huì)變貴。

薄膜電容的容量誤差越小越好嗎？

在選擇薄膜電容時(shí)，容量誤差是一個(gè)非常重要的參數(shù)。容量誤差是指薄膜電容的實(shí)際容量值與標(biāo)稱容量值之間的偏差。通常使用百分比表示，例如1%、5%等。一般來(lái)說(shuō)，容量誤差越小越好，因?yàn)樗梢蕴岣唠娐返木群头€(wěn)定性。

然而，并不是所有情況下容量誤差越小越好。在某些應(yīng)用場(chǎng)合下，容量誤差過(guò)小可能會(huì)導(dǎo)致一些問(wèn)題。例如，在使用多個(gè)薄膜電容組成電路時(shí)，如果每個(gè)薄膜電容的容量誤差都非常小，那么它們的實(shí)際容量值可能會(huì)非常接近，這就可能導(dǎo)致電路出現(xiàn)共振等問(wèn)題。

因此，在選擇薄膜電容時(shí)需要結(jié)合實(shí)際應(yīng)用場(chǎng)景進(jìn)行綜合考慮。通常，對(duì)于一些需要高精度和穩(wěn)定性的應(yīng)用場(chǎng)合，例如精密測(cè)量?jī)x器、音頻放大器等，容量誤差應(yīng)該越小越好。而對(duì)于一些需要多個(gè)薄膜電容組成電路的應(yīng)用場(chǎng)合，容量誤差不能過(guò)小，否則可能會(huì)導(dǎo)致電路出現(xiàn)共振等問(wèn)題。

薄膜電容器有四種常見(jiàn)的誤差

1.在卷繞過(guò)程中，定期測(cè)量鐵芯的容量和高度，以控制容量的離散性。如果產(chǎn)品在封裝后的短時(shí)間內(nèi)進(jìn)行測(cè)試，產(chǎn)品的容量將在儲(chǔ)存一段時(shí)間后發(fā)生變化，從而導(dǎo)致容量過(guò)剩。聚酯薄膜電容器更明顯，通常向正方向移動(dòng)。

2、追蹤制成品容積遍布情況，發(fā)覺(jué)偏差立即意見(jiàn)反饋，以調(diào)節(jié)容積調(diào)整值。

3、抽測(cè)壓扁定型后芯子容量，發(fā)現(xiàn)偏移及時(shí)調(diào)整卷繞中心值。

4.為了準(zhǔn)確確定卷繞容量的中心值（也稱為校正值），必須將熱（冷）壓、熱處理和包裝過(guò)程中的容量變化率納入芯的容量校正值。不一樣型號(hào)規(guī)格、不一樣規(guī)格型號(hào)以至于不一樣臺(tái)卷繞機(jī)其調(diào)整值也不一樣。

薄膜電容器偏的誤差解決方法

根據(jù)變化規(guī)律，在測(cè)試過(guò)程中控制偏差值，例如，聚酯薄膜電容器被夾在正偏差中，負(fù)偏差被放松。

制造過(guò)程中引起電容偏差的工藝因素。

對(duì)封裝產(chǎn)品進(jìn)行另一次熱處理。

包封后自然存放一星期再進(jìn)行測(cè)試。

卷繞薄膜電容器的電容C為0.177 ε s/d ε，介質(zhì)的介電常數(shù)S，極板的有效面積D，介質(zhì)的厚度。電容與ε和S成正比，與d成反比

文件雖已做了精確規(guī)定，但工藝過(guò)程中這三個(gè)參 數(shù)均會(huì)發(fā)生變化，導(dǎo)致容量偏差。工藝的重點(diǎn)是減少這些偏差，提高容量命中率。

卷取工序：薄膜層的寬度、厚度、厚度等本身存在誤差。薄膜張力由大圈到小圈的變化及各卷繞機(jī)的張力誤差。壓輥壓力太小。卷繞全過(guò)程方向跑偏，錯(cuò)邊偏差。空氣濕度大時(shí)導(dǎo)致芯子容量偏大。

熱壓工藝：型芯的厚度誤差受力不均勻，導(dǎo)致型芯松緊不均勻，容量分散。熱壓板不平。

溫度偏差。熱處理時(shí)間或溫度誤差、浸漬、真空度誤差、時(shí)間誤差和固化溫度誤差。