怎么判定MOS管的帶載能力,如何選擇MOS管?
以下部分圖片借用別人的圖,主要是方便大家理解。
1)基本常識點:我們都知道MOS管的帶載能力與漏源電流和內阻有關,漏源電流越大,內阻越小,帶載能力越強。
2)MOS管導通后的等效電路如下:
MOSFET導通之后,近似如上圖的電阻Rds(on),vcc→Rds(on)→RL→GND;根據電阻分壓,電壓跟電阻成正比,所以內阻越小,分壓越小,而后端帶負載的電壓越高,負載的功率越大;同時MOS管的內阻越小,自身功耗也越低。若是內阻過大會導致管子的功耗過大,MOS管更易發熱,壽命更短。所以通常會選擇內阻較小的MOS管,帶載能力也更強。
3)MOS管的內阻Rds(on)的影響因素有哪些?
(1)MOS管的導通電阻會隨溫度的上升而上升,如下圖,MOS管的導通電阻在結溫130℃時比在20℃時高出兩倍多。
(2)一般驅動電壓越高,實際導通電阻越大,而且最大的導通的電路也越大,根據經驗一般選擇VGS=12V比較合適,如下圖:
4)增強管子的負載能力的方案
除了選擇本身漏源電流比較大的MOS管之外,可以采用多個MOS管并聯的方式,并聯時,各個MOS管的內阻也是并聯的,并聯之后的內阻就減小,可以驅動更大的負載。一般來說大功率功放選擇MOSFET管,因其內阻更小;如果負載內阻小了,那么如果放大器的輸出阻抗不變的話,放大器的末級管子分的電壓比例就會上升,所以現在的音響都選擇有低內阻的MOS管,才得以向小阻抗的負載發展,以得到更好的動態效果。
5)MOS管的VGS閾值電壓
一般我們看手冊上參數來選擇合適的MOS管:
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