MOS管的選型(2)

MOS管的選型需要滿足幾個重要的要求:

1.足夠的漏源電壓VDS；

2.足夠的漏極電流ID;

3.快速開關切換能力，導通，關斷延時；

4.低的導通內阻Rds(on);

舉個例子：在以上半橋電路中，若電路的輸出功率為850W,負載8ohm,MOS怎么選？

1）Vds電壓為多少？

據P=U*U/R,算的輸出的平均電壓V=82V；只是平均值，轉換成峰值VPP=1.414*V = 116V，若轉換效率為85%，則實際的VP=VPP/85%=136V，因VN=-136V，則VDS≥136*2=272V；

2）計算ID

P=I*I*R,算的I=10.3A；所以MOS選擇要VDS≥272V;ID>10.3A；

可選FDAF59N30，其指標：

1.VDS=300V;

2.ID=34A;

3.上升實際ton=140ns;

4.關斷時間toff=120ns;

5.內阻Rds(on)=0.056ohm；

6.柵極電荷Qg=77nc;

從指標看，以上各種電壓和電流均滿足要求，且在較短開通和關斷延時時間保證系統可靠性。

3）MOS驅動怎么選？

通過計算MOS在一個完整開關周期內所需要的功率Pg，計算公式為：Pg=Vgs*Qg*fsw,其中Vgs為柵極驅動電壓，Fsw為開關頻率。

FDAF59N30在柵極驅動電壓為12V，開關頻率200Khz,時消耗的功率：P=12*77*10-9*200*103=0.1848W；

驅動所需的平均電流I = P/Vgs = 15.4mA。

在保證正常工作條件下FDAF59N30的典型的開通和關斷時間約為200ns,因此可以反推出驅動所需的瞬時電流：Imax = Qg/t=77nc/200ns = 385mA;

高壓MOS管，所需要提供浮動柵極驅動能力。

審核編輯 黃宇