近年來,隨著各類電子系統(tǒng)的高功能和高性能化,IC的消耗電流量越來越大。 另一方面,IC的高功能化推動了內(nèi)部結(jié)構(gòu)的精細化,因此IC的耐電壓下降,電源電壓值下降。 看近年來的趨勢,需要減少電壓波動,而另一方面,IC 消耗電流變化又在增加。 因此,需要進一步降低另一個因素——阻抗。
在本指南中,將介紹通過活用PI(電源完整性)模擬將2端子MLCC(積層陶瓷貼片電容)改為低ESL產(chǎn)品,以降低電源線路阻抗和減少去耦電容數(shù)量的技術(shù)支持。
不斷提高的降低阻抗及削減去耦電容數(shù)量的要求
隨著電源電壓值的下降,降低電源線路的阻抗顯得越來越重要。
為了抑制電壓波動,需要降低阻抗。此處將介紹為了在基板尺寸以及貼裝區(qū)域等受到嚴格限制的情況下實現(xiàn)所需要的阻抗特性,TDK所提出的通過替換為低ESL產(chǎn)品來減少去耦電容數(shù)量的方案。
低電壓/大電流電源線的去耦電容
近年來,隨著電子設(shè)備系統(tǒng)的高功能化和高速動作化,系統(tǒng)內(nèi)部數(shù)字IC用電源線路的特性(PI:電源完整性)顯得越來越重要。
提高PI的關(guān)鍵在于降低電源線路的阻抗,因此,在電源線路中使用了大量的MLCC作為去耦電容。
但是,隨著安裝小型化,對基板尺寸和貼裝區(qū)域的限制越發(fā)嚴格,已很難為了得到期望的阻抗特性而大量貼裝必要的MLCC。
圖1:不同并聯(lián)貼裝數(shù)量的MLCC阻抗頻率特性圖
通過并聯(lián)多個電容可實現(xiàn)低阻抗。
在低電壓且大電流的電源回路中,為了抑制電壓波動,會使用多個去耦用MLCC課題:數(shù)量較多貼裝面積無空余成本增加(貼裝費)
采用少量的低ESL產(chǎn)品,實現(xiàn)低阻抗
因此,TDK建議采用低ESL型電容來降低去耦電容的數(shù)量和減少貼裝面積。低ESL型電容是低電感成分(ESL)的產(chǎn)品,在從低頻到高頻的寬頻帶實現(xiàn)了低阻抗。因此,大量使用通常型電容才能實現(xiàn)的阻抗特性,低ESL型電容只需很少的數(shù)量即可實現(xiàn)。
圖2:典型低ESL產(chǎn)品的阻抗頻率特性
2-Temination typeESL:approx. 200~300pH (1005 size)
Low ESL type (Flip type)ESL:approx. 60~100pH (0510 size)
Low ESL type (3-Temination type)ESL:approx. 20~30pH (1005 size)
采用少量的低ESL產(chǎn)品,實現(xiàn)低阻抗
圖3:通常2端子產(chǎn)品 10 個 vs 低ESL產(chǎn)品 1~2 個的阻抗頻率特性
2-Termination type0.1μF_1005 sizex10pcs.
3-Termination type1μF_1608 sizex1pc.
Flip type1μF_0510 sizex2pcs.
采用少量的低ESL產(chǎn)品,實現(xiàn)低阻抗
基板配線圖案也是電路的一部分
除了去耦電容的最佳選定和最佳結(jié)構(gòu)化之外,貼裝基板的圖案設(shè)計對電源線路的低阻抗化也有重要作用。貼裝基板的線路用導(dǎo)體圖案和通孔中存在電阻成分、寄生電感和雜散電容,在電源線路的阻抗設(shè)計中,基板本身的電氣成分也需要作為阻抗成分的一部分在基板圖案設(shè)計中加以考慮。
圖4:通常DCDC轉(zhuǎn)換器和IC(Processor)之間的回路示意圖
<貼裝基板的截面示意圖>
<不考慮基板成分的回路簡圖>
<考慮基板成分的回路圖現(xiàn)實的回路圖>
TDK可實現(xiàn)包括基板信息在內(nèi)的電源線阻抗模擬工作。
運用PI模擬的電源設(shè)計支持
TDK通過導(dǎo)入貼裝基板信息進行PI模擬驗證,為最佳的電源線路設(shè)計提供技術(shù)支持。
根據(jù)基板類型/貼裝面/IC Pin Layout/周邊元器件布局等貼裝基板結(jié)構(gòu),為選定最佳的電容類型、數(shù)量結(jié)構(gòu)、基板線路式樣、元器件排版等提供方案。
圖5:執(zhí)行PI模擬
一般來說,隨著基板設(shè)計的深入而會出現(xiàn)各種制約。因此,為了給客戶開發(fā)提供充分的支持,有效活用的最佳時機在基板圖案設(shè)計前的初期驗證階段。
例如,在基板圖案設(shè)計正式開始之前,我們也可對需要的MLCC去耦電容數(shù)量、無法將MLCC配置在IC附近時的容許距離等進行驗證和提案。因此,如果您有電源線路設(shè)計方面的困擾,請盡可能在開發(fā)的前期階段聯(lián)系我們。
同時,在使用本項支持時需要提供必要的信息,敬請知悉。
敬請將其用于不斷嚴格化的電源線阻抗優(yōu)化設(shè)計,以及重要性不斷提高的去耦電容器結(jié)構(gòu)及基板設(shè)計中。
文件內(nèi)容
Vol.1 通過降低阻抗來抑制電壓波動
1-1 隨著電源電壓值的下降,降低電源線路的阻抗顯得越來越重要
1-2 降低去耦電容中阻抗的方法
1-3 通過改用低ESL產(chǎn)品來減少去耦電容的數(shù)量
Vol.2 通過PI模擬為降低阻抗和減少去耦電容的數(shù)量提供方案
2-1 隨著IC的高功能化,PI(電源完整性)顯得越來越重要
2-2 PI模擬是指同時包括基板成分(不僅僅是電子元器件)的模擬法
2-3 現(xiàn)提供技術(shù)支持:提供活用PI模擬的最佳去耦電容結(jié)構(gòu)與基板設(shè)計方案
審核編輯:湯梓紅
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