噪音抑制片"Flexield"IFL系列
什么是噪音抑制片"Flexield"?
隨著智能手機(jī)、平板電腦等電子設(shè)備的小型、薄型、多功能化的發(fā)展,電路基板中也將封裝為數(shù)眾多的電子元件,使其不斷高密度化,因此抑制從IC或電纜中輻射出的噪音變得愈發(fā)重要。這類輻射噪音很難在設(shè)計(jì)階段進(jìn)行預(yù)測(cè),因此很多情況下在制造階段采取對(duì)策。
TDK的噪音抑制片"Flexield"(以下稱為Flexield)是將軟磁性金屬材料的細(xì)微粉末(扁平狀粉末)與樹脂進(jìn)行混合,并加工成為柔性片材的電磁屏蔽材料。將其貼在輻射噪音發(fā)生源,或容易受到輻射噪音影響的部位后,可發(fā)揮極為有效的噪音抑制效果。其便于沖壓、剪切,可加工成各類形狀,同時(shí)也可用于柔性曲面及柔性電纜(FPC/FFC)等場(chǎng)合中(圖1)。
圖1Flexield的沖壓加工示例與使用示例
Flexield的結(jié)構(gòu)
如圖2所示,TDK的Flexield由表面薄膜、軟磁性金屬粉末與樹脂混合的磁性片材、雙面膠以及防粘襯里構(gòu)成。產(chǎn)品形態(tài)分為卷狀與片狀,提供有厚度在0.025mm~0.2mm的各類IFL系列產(chǎn)品。還可根據(jù)用途選擇是否需要雙面膠。同時(shí),還提供帶金屬層新產(chǎn)品混合類型(后述),大幅提高了噪音抑制效果。
圖2Flexield的結(jié)構(gòu)以及產(chǎn)品形態(tài)
Flexield的主要特點(diǎn)與用途
Flexield的主要特點(diǎn)與用途如下所述。
《主要特點(diǎn)》
●通過(guò)采用高導(dǎo)磁率軟磁性金屬材料,發(fā)揮優(yōu)異的輻射噪音抑制效果。
●產(chǎn)品纖薄,即使是狹小的縫隙部位也能安裝。
●材質(zhì)為柔性片材,因此受到?jīng)_擊也不會(huì)開裂。
●形狀加工性優(yōu)異,可應(yīng)對(duì)多種尺寸及形狀。
●可提供卷狀產(chǎn)品,以幫助進(jìn)行量產(chǎn)及削減成本。
《主要用途》
●通過(guò)貼于IC元件上后可抑制IC產(chǎn)生的輻射噪音。
●通過(guò)電纜連接基板與基板,或連接基板與元件時(shí),只需貼于電纜表面即可抑制輻射噪音。
●通過(guò)配置在基板間,可降低一塊基板產(chǎn)生的輻射噪音給另外一塊基板所造成的影響。
●通過(guò)貼在機(jī)殼上后,可防止筐體內(nèi)的內(nèi)部干擾,并抑制從機(jī)殼向外發(fā)出的輻射噪音。
Flexield的原理
Flexield通過(guò)吸收輻射噪音能量,將其轉(zhuǎn)化為熱能來(lái)抑制輻射噪音所產(chǎn)生的影響。以下就其原理進(jìn)行簡(jiǎn)單說(shuō)明。
與樹脂進(jìn)行混合的軟磁性金屬材料的導(dǎo)磁率(μ)與Flexield的噪音抑制特性息息相關(guān)。導(dǎo)磁率是指,向磁性體施加磁場(chǎng)(H)時(shí)磁通密度(B)的增加率。也就是說(shuō),導(dǎo)磁率是磁性體磁通通過(guò)容易性(磁化容易性)的指標(biāo),可通過(guò)以下公式表示。
μ=B/H
導(dǎo)磁率高,矯磁力較小的磁性體稱為軟磁性體。通過(guò)施加交流磁場(chǎng)后便可輕易反轉(zhuǎn)磁化方向,因此多用于變壓器磁芯等產(chǎn)品中。然而,交流磁場(chǎng)頻率越高,磁通密度(B)的變化將無(wú)法趕上磁場(chǎng)(H)的變化,從而會(huì)發(fā)生相位延遲。若相位延遲表示為δ,則交流中磁性體的導(dǎo)磁率可通過(guò)以下復(fù)數(shù)記法的公式表示。
μ=μ'-jμ''=|μ|cosδ-j|μ|sinδ
μ'稱為復(fù)數(shù)導(dǎo)磁率的實(shí)部,μ''稱為虛部。δ=0時(shí)表示直流的導(dǎo)磁率,但在交流的情況下,頻率越高,δ也會(huì)越大,因此導(dǎo)磁率會(huì)下降。復(fù)數(shù)導(dǎo)磁率的實(shí)部μ'、虛部μ''及相位延遲δ之間存在以下關(guān)系。
μ''/μ'=tanδ
其中的tanδ稱為損耗系數(shù)。在變壓器磁芯等產(chǎn)品中,tanδ的數(shù)值越小,損耗越少,是一款十分優(yōu)異的磁芯材料,而Flexield則積極使用該損耗達(dá)到抑制噪音的效果。圖3所示為在施加交流磁場(chǎng)時(shí),導(dǎo)磁率、頻率特性的一般傾向示意圖表。在頻率較低的領(lǐng)域中,復(fù)數(shù)導(dǎo)磁率的實(shí)部μ'占絕對(duì)優(yōu)勢(shì)。但隨著頻率升高,磁通密度的變化無(wú)法趕上磁場(chǎng)的變化,最終引起磁共振(磁壁共振或旋轉(zhuǎn)磁化共振等),使復(fù)數(shù)導(dǎo)磁率實(shí)部μ'發(fā)生驟減,而虛部μ''開始升高。
圖3施加交流磁場(chǎng)時(shí)的導(dǎo)磁率變化示意圖
IFL系列的導(dǎo)磁率-頻率特性
復(fù)數(shù)導(dǎo)磁率的實(shí)部μ'是表示磁通聚集容易度的數(shù)值,貼在天線上后有延長(zhǎng)通信距離等的效果。另一方面,虛部μ''為磁損耗項(xiàng),即表示噪音吸收效果大小的數(shù)值,包含在Flexield中的軟磁性金屬材料通過(guò)虛部導(dǎo)磁率吸收噪音成分后轉(zhuǎn)換為熱能,從而起到抑制效果。為此,F(xiàn)lexield作為噪音抑制片,在低頻率至高頻率的大頻率范圍內(nèi)需要確保較大的復(fù)數(shù)導(dǎo)磁率的虛部μ''。RFID用磁性片材(用于改善RFID系統(tǒng)的讀寫器接收靈敏度)是TDK的另外一種Flexield產(chǎn)品,與用于抑制噪音的產(chǎn)品不同,其在13.56MHz的使用頻率下,需要較大的實(shí)部μ'以及較小的虛部μ''。為此,根據(jù)用途的不同,所要求的特性也各有差異。圖5所示為噪音抑制用Flexield IFL系列的導(dǎo)磁率-頻率特性。
圖4 噪音抑制用Flexield IFL系列的導(dǎo)磁率-頻率特性
IFL系列的各類產(chǎn)品以及磁性片材厚度
噪音抑制片的性能取決于復(fù)數(shù)導(dǎo)磁率的虛部μ'與厚度之積。一般來(lái)說(shuō),材料導(dǎo)磁率越高,復(fù)數(shù)導(dǎo)磁率的虛部μ''則會(huì)越大。因此,為了應(yīng)對(duì)噪音抑制片的薄型化趨勢(shì),需要更高導(dǎo)磁率的材料。
TDK的Flexield擁有薄型及高導(dǎo)磁率特點(diǎn),而在2015年實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)的IFL16產(chǎn)品則實(shí)現(xiàn)了行業(yè)最高水平的高導(dǎo)磁率(μ=220、at 1MHz)。同時(shí),與傳統(tǒng)產(chǎn)品IFL12比較,在性能相同的情況下,其厚度也實(shí)現(xiàn)了約20%薄型化。IFL系列中,磁性片材厚度為0.025mm(25μm)~0.2mm(200μm),產(chǎn)品品種豐富(圖5)。
圖5Flexield IFL系列的各類產(chǎn)品以及磁性片材厚度
Flexield的制造方法
噪音抑制片的制造方法分為,使用壓延輥進(jìn)行沖壓,將軟磁性金屬粉末(扁平狀粉末)與樹脂混合的原料加工成為片狀的干法,以及將軟磁性金屬粉末與樹脂、溶劑的混合液涂抹(鍍膜)在薄膜上的濕法兩類。TDK的Flexield IFL系列產(chǎn)品采用了源自磁帶、光碟及電子元件等涂抹技術(shù)的濕法工藝。
涂抹濕法工藝可滿足磁性片的薄型化需求,但要使軟磁性金屬材料的細(xì)微粉末均勻地分散在樹脂中,使其統(tǒng)一朝向片材面方向則需要極為先進(jìn)的技術(shù)要求。圖6所示為磁性片材的截面結(jié)構(gòu)示意圖。軟磁性金屬粉末分別被樹脂包裹,保持絕緣狀態(tài),同時(shí)根據(jù)磁場(chǎng)取向按片材面方向以層狀排列。
軟磁性金屬的粉末厚度也會(huì)影響磁性片材特性。在流過(guò)交流電流的導(dǎo)體中,頻率越高,電流則越會(huì)集中于導(dǎo)體表面。這稱為集膚效應(yīng),而電流流過(guò)的深度則稱為集膚深度。如前所述,復(fù)數(shù)導(dǎo)磁率虛部μ''表示的是磁性片材的噪音吸收效果。磁性片材中所使用的軟磁性金屬層片厚度若低于集膚深度,那么虛部μ''的數(shù)值則會(huì)變大。因此,通過(guò)控制軟磁性金屬層片的厚度及取向等,便可得到符合目的的導(dǎo)磁率-頻率特性的磁性片材。TDK的Flexield IFL系列是一款對(duì)復(fù)數(shù)導(dǎo)磁率實(shí)部μ'與虛部μ''達(dá)到最佳控制的獨(dú)特軟磁性金屬材料,同時(shí),通過(guò)絕佳的分散狀態(tài)與取向狀態(tài),實(shí)現(xiàn)薄型且高導(dǎo)磁率的噪音抑制片。
圖6磁性片材的截面結(jié)構(gòu)(示意圖)
新產(chǎn)品"帶金屬層IFL系列 混合類型"
以下就TDK于2016年實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)的帶金屬層新產(chǎn)品"混合類型(磁性層+導(dǎo)電層)"進(jìn)行介紹。
混合類型是將傳統(tǒng)產(chǎn)品的表面薄膜部位替換為金屬層的新型噪音抑制片。
在傳統(tǒng)類型噪音抑制片中,輻射噪音通過(guò)磁性片材時(shí),磁性片材會(huì)吸收噪音,但未能完全吸收的噪音將會(huì)通過(guò)磁性片材泄漏到外部。
而全新開發(fā)的IFL系列混合類型能夠很好地解決這一問(wèn)題。如圖7所示,磁性片材未完全吸收的噪音會(huì)被金屬層屏蔽,同時(shí)被金屬層反射的噪音會(huì)再次被磁性片材所吸收。也就是說(shuō),入射的噪音會(huì)在磁性片材厚度方向往返時(shí)被吸收,因此可大幅降低噪音的能量。由于在高度集成有眾多電子元件的智能手機(jī)中也可起到降低機(jī)殼內(nèi)輻射噪音的效果,因此也是"自體中毒"問(wèn)題的有效解決方案。
圖7IFL系列混合類型的金屬層功能
圖8所示為將DDR存儲(chǔ)器作為被測(cè)設(shè)備(EUT)的近磁場(chǎng)分析示例,以確認(rèn)IFL系列混合類型的效果。
紅色表示噪音等級(jí)較高的區(qū)域,藍(lán)色則表示較低的區(qū)域。在傳統(tǒng)產(chǎn)品中會(huì)有噪音泄漏,但在IFM系列產(chǎn)品中則幾乎得到了完全抑制。能夠明確確認(rèn)金屬層的噪音屏蔽效果。
圖8IFL系列混合類型的噪音抑制效果
審核編輯:彭菁
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