最近,中芯國際有許多新的專利信息,其中發明專利名稱為“半導體結構及形成方法”,公開編號為cn116508133a。
根據專利要點,具體的形成方法是提供包括目標層的基礎(base), base包括用于形成目標圖像層的目標區域和與截斷位置相對應的截斷區域。
基底上形成口罩側壁。以面罩側壁為面罩,圖形花木表層形成分立的初期圖形層,初期圖形層橫向延長,橫向和垂直方向縱向,靠近縱向的初期圖形層之間形成凹槽。在目標區域和截斷區域的邊界上形成貫穿初期圖像層的邊界槽。
在槽和邊界槽中形成間隔層。以位于邊界定義槽上的圖層和槽間隔的間隔圖層分別應對橫向及縱向的靜止層疊,切割領域的初期圖片圖層和剩下的初期圖形對象領域的目標圖形對象的層疊。
據悉,上述發明專利有利于增加大刻蝕切割區早期圖像層的技術窗口。
聲明:本文內容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網站授權轉載。文章觀點僅代表作者本人,不代表電子發燒友網立場。文章及其配圖僅供工程師學習之用,如有內容侵權或者其他違規問題,請聯系本站處理。
舉報投訴
-
半導體
+關注
關注
334文章
27292瀏覽量
218104 -
中芯國際
+關注
關注
27文章
1418瀏覽量
65333
發布評論請先 登錄
相關推薦
中國半導體專利申請激增,萬年芯134項專利深耕行業
,及外界對中國微電子行業施加重大限制的背景下,半導體專利逆向增長的趨勢體現了我國科技實力的提升,其中萬年芯微電子擁有134項國內專利,成為國內半導體行業優勢企業。
p型半導體是怎么形成的
p型半導體(也稱為空穴半導體)的形成是一個涉及半導體材料摻雜和物理性質變化的過程。以下是對p型半導體形成過程的詳細解析,包括其定義、摻雜原理
KOWIN存儲芯璀璨亮相南京國際半導體大會
2024世界半導體大會暨南京國際半導體博覽會于6月5-7日在南京國際博覽中心4號館舉辦,現場云集300+家行業領軍企業,開展EDA/IP核產業發展高峰論壇、2024人工智能創新應用
發表于 06-12 17:14
?338次閱讀
中芯國際獲非易失性存儲裝置及其制作方法專利
該專利涉及一種新型非易失性存儲裝置及其制作工藝。具體而言,其步驟如下:首先,制備包含器件區與非器件區的基底;接著,在基底上依次沉積第一電極材料層及絕緣材料層;然后,在絕緣材料層上形成犧牲層,該層覆蓋非器件區并露出器件區;
中芯國際獲“半導體結構及其形成方法”專利?
該半導體結構及其形成方法主要包含以下步驟:首先,需制備基底,其中含有器件區及位于兩側的隔離區;之后進行基底圖案化,制作出襯底及突出于襯底的鰭部;接著,在器件區兩側
中芯國際專利獲新型半導體器件
該發明提出一種制備半導體器件的新方法,首先需要在基板上制備劃分明確且排列整齊的鰭部;之后在基板上構建覆于鰭部之上的偽柵結構;再制備并在偽柵結構上方安裝一層第一層間介電層,此層上表面比偽
京東方PCT專利申請量全球第五,展現半導體顯示行業創新領導力
近日,世界知識產權組織(WIPO)公布了2023年全球PCT國際專利申請排名,中國以顯著優勢繼續領跑全球,其中,半導體顯示領域的領軍企業京東方以1988件PCT
半導體封裝工藝面臨的挑戰
半導體工藝主要是應用微細加工技術、膜技術,把芯片及其他要素在各個區域中充分連接,如:基板、框架等區域中,有利于引出接線端子,通過可塑性絕緣介質后灌封固定,使其形成一個整體,以立體結構方
發表于 03-01 10:30
?817次閱讀
江蘇路芯半導體建設130nm-28nm制程半導體掩膜版
鑒于掩膜版制作技術難度大,故我國在 130nm 及其以下制程節點對國外進口的依賴程度較深。據蘇州工業園區一網通辦公布的信息,江蘇路芯半導體科技是蘇州路行維遠、蘇州產業基金和睿興投資三家
半導體芯片結構分析
。它們主要包括晶體管(三極管)、存儲單元、二極管、電阻、連線、引腳等。
隨著電子產品越來越“小而精,微薄”,半導體芯片和器件尺寸也日益微小,越來越微細,因此對于分析微納芯片結構的精度要求也越來越高,在芯片
發表于 01-02 17:08
評論