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pSLC閃存介紹:高性能和耐久性的閃存解決方案

mkfounder ? 來源:mkfounder ? 作者:mkfounder ? 2023-08-02 15:16 ? 次閱讀

在當今科技時代,數據存儲需求急劇增長,NAND閃存技術作為一種關鍵的非易失性存儲解決方案持續發展。近年來,虛擬 SLC(pSLC)閃存技術的引入,為數據存儲領域帶來了新的創新。本文將探討 pSLC閃存的原理、優勢以及在不同領域中的應用。

什么是pSLC

pSLC是一種虛擬的 SLC技術,通過采用特殊的控制算法和管理方法,在 MLC或 TLC閃存芯片模擬 SLC存儲單元。

wKgaomTKAZ-ATxuJAASzVSXztuo028.png

1、pSLC技術的可靠性介于SLC和MLC之間,其性能接近于SLC;

2、透過Flash控制器的創新性設計,大幅提升Flash的性能和使用壽命,使得設備在極端的環境溫度下能穩定運行

pSLC的性能

1、pSLC不管是小檔案傳輸還是全盤讀寫,寫速都會穩定維持,而MLC/TLC模式,則會出現明顯的掉速。

2、針對不同應用的場景加入AI技術,使產品維持高性能。

eMMC 8GB pSLC (MKEMF008GT1E-IE)實測數據:

pSLC模式性能:

wKgZomTKAZ-AXB9vAAEMjDmIg0c451.png

MLC/TLC模式性能:

wKgZomTKAaCASltsAAV7-rzThW4213.png

pSLC的可靠性

相較于 MLC、TLC和 QLC閃存技術,pSLC閃存具有更高的性能和耐久性。雖然 MLC/TLC/QLC閃存在提供更高存儲密度方面更有優勢,但其壽命相對較短。pSLC閃存通過虛擬 SLC特性,彌合了性能和壽命之間的鴻溝,為高要求應用帶來了更好的選擇。

wKgZomTKAaCABolnAAMHLfwD4UM379.png

wKgaomTKAaCAP4h3AAQMXdMKWLM605.png

pSLC極大的提高了設備的使用壽命,P/E壽命可達30000~50000次

8GB eMMC pSLC 486hrs實測數據:

wKgaomTKAZ-AJFbZAAB3YUMDSq0765.png

1、極致的Wear-Leveling,WAF=1.15

2、TBW:8GB pSLC eMMC高達489TB,接近MLC的25倍(8GB MLC僅20TB)

pSLC的潛力

隨著技術的不斷進步,pSLC閃存有望持續發展,進一步提高性能和壽命,并降低制造成本。這將使得 pSLC閃存在更多領域中扮演更為重要的角色,滿足不斷增長的存儲需求。

pSLC閃存作為一種高性能與低成本的創新技術,為數據存儲領域帶來了新的可能性。其虛擬 SLC特性使其成為傳統 SLC閃存和現代 MLC/TLC/QLC閃存之間的理想選擇。未來,pSLC閃存的發展將進一步推動數據存儲技術的進步,滿足不斷增長的存儲需求,為各個領域提供穩定可靠的存儲解決方案。

MK-米客方德 PSLC產品選型表

產品類型 容量 型號 Flash類型 關鍵特征 工作溫度 尺寸
eMMC 4GB(32Gbit) MKEMC004GT1E-IE pSLC 工業級寬溫
P/E Cycles 3萬次
LDPC糾錯
-40℃~85℃ 11.5x13.5mm
8GB (64Gbit) MKEMF008GT1E-IE
16GB(128Gbit) MKEMF016GT1E-IE
32GB(256Gbit) MKEMF032GT2E-IE
SD NAND 32Gbit MKDN032GIL-AA pSLC P/E Cycles 3萬次,工業級
C10, U1, V10, A2
支持1.8v/3.3v IO電壓
-25℃~85℃ 9.0x12.5mm
64Gbit MKDN064GIL-ZA
8Gbit MKDV008GIL-SSP pSLC P/E Cycles 3萬次,工業級
C10, U1, V10
支持1.8v/3.3v IO電壓
-25℃~85℃ 6.6x8.0mm
16Gbit MKDV016GIL-SSP
32Gbit MKDV032GIL-SSP
Micro SD Card 8GB MKUS008G-IGT1 pSLC 工業寬溫
P/E周期3萬次, 1920 TBW

SD6.1 > C10,U3,V30,A2
高速持續寫入不掉速
pSCL, LDPC糾錯
-40℃~85℃ Micro SD Card
16GB MKUS016G-IGT1
32GB MKUS032G-IGT2
64GB MKUS064G-IGT4


審核編輯 黃宇

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