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衛光科技李樸:600V超結MOSFET器件研究

第三代半導體產業 ? 來源:第三代半導體產業 ? 2023-08-09 16:21 ? 次閱讀

近日,“2023功率與光電半導體器件設計及集成應用論壇”于西安召開。論壇由第三代半導體產業技術創新戰略聯盟(CASA)指導,西安交通大學、極智半導體產業網(www.casmita.com)、第三代半導體產業主辦,西安電子科技大學、中國科學院半導體研究所、第三代半導體產業技術創新戰略聯盟人才發展委員會、全國半導體應用產教融合(東莞)職業教育集團聯合組織、西安和其光電股份有限公司等單位協辦。

期間,“平行論壇1:功率半導體器件設計及集成應用”上,西安衛光科技有限公司器件研究中心工程師李樸帶來《600V超結MOSFET器件研究》的主題報告。詳細分享了600V 超結MOSFET研究過程與成果。

報告中介紹,隨著功率半導體應用領域逐漸擴大,當應用在計算機和航空電子等領域中時,低導通壓降能夠縮小整機的冷卻系統,從而降低整機尺寸和成本,所以用戶對器件的導通電阻提出了更高的要求。

而傳統功率MOSFET中擊穿電壓與導通電阻的關系,始終被限制在了“硅限”2.5次方,難以克服。為了能突破發展瓶頸,“超結理論”應運而生,極大的推動了功率半導體的發展。基于超結理論的器件能夠在保證擊穿電壓的同時,進一步提高N柱區摻雜濃度,從而減小通態電阻,將擊穿電壓與通態電阻的限制關系優化到1.3次方。

報告對SJMOS的基本工作原理進行分析,進而利用仿真軟件對600V SJMOS的元胞區工藝進行工藝仿真,并對其擊穿電壓、導通電阻、閾值進行了優化。最終得到元胞區仿真擊穿電壓722V,閾值電壓3.04V,特征導通電阻27mΩ?cm2。

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原文標題:衛光科技李樸:600V超結MOSFET器件研究

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