“低碳化趨勢將推動功率半導體市場強勁增長，尤其是基于寬禁帶材料的功率半導體。全球功率系統(tǒng)領域的領導者英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX / OTCQX代碼：IFNNY）正向構建新的市場格局邁出又一決定性的一步——英飛凌將大幅擴建居林晶圓廠，在2022年2月宣布的原始投資基礎之上，打造全球最大的200毫米碳化硅（SiC）功率半導體晶圓廠?！?/p>

低碳化趨勢將推動功率半導體市場強勁增長，尤其是基于寬禁帶材料的功率半導體。全球功率系統(tǒng)領域的領導者英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX / OTCQX代碼：IFNNY）正向構建新的市場格局邁出又一決定性的一步——英飛凌將大幅擴建居林晶圓廠，在2022年2月宣布的原始投資基礎之上，打造全球最大的200毫米碳化硅（SiC）功率半導體晶圓廠。這項擴建計劃得到了客戶的支持，包括汽車和工業(yè)應用領域約50億歐元的新設計訂單以及約10億歐元的預付款。

在未來五年內(nèi)，英飛凌將再投入多達50億歐元進行居林第三廠區(qū)（Module Three）的二期建設。到2030年末，這項投資再加上計劃在菲拉赫與居林工廠的200毫米SiC改造，有望使SiC的年營收達到約70億歐元。這座極具競爭力的生產(chǎn)基地將幫助英飛凌實現(xiàn)在2030年之前占據(jù)全球30% SiC市場份額的目標。英飛凌堅信，公司 2025 財年的碳化硅收入將超過 10 億歐元的目標將實現(xiàn)。

英飛凌科技首席執(zhí)行官Jochen Hanebeck表示：“碳化硅市場正在加速增長，不僅在汽車領域，在太陽能、儲能和大功率電動汽車充電等廣泛的工業(yè)應用領域亦是如此。擴建居林工廠將確保我們在這一市場的領導地位。憑借業(yè)界領先的規(guī)模和獨特的成本優(yōu)勢，我們正在充分發(fā)揮競爭優(yōu)勢，包括領先的SiC溝槽技術、全面的封裝產(chǎn)品組合以及對應用的深刻理解。這些優(yōu)勢使我們在行業(yè)中脫穎而出并取得成功。”

英飛凌已獲得約50億歐元的新設計訂單，以及來自現(xiàn)有和新客戶的10億歐元左右的預付款，其中汽車領域包括六家整車廠，三家來自中國。客戶包括福特、上汽和奇瑞?？稍偕茉搭I域的客戶包括SolarEdge和中國三大領先的光伏和儲能系統(tǒng)公司。此外，英飛凌和施耐德電氣就產(chǎn)能預訂達成一致，包括預付硅和碳化硅產(chǎn)品的費用。英飛凌和相關客戶將在近期分別發(fā)布公告，披露更多細節(jié)。這些預付款將在未來幾年為英飛凌的現(xiàn)金流做出積極貢獻，并且最遲應在2030年根據(jù)協(xié)議銷售量全額償還。

可持續(xù)發(fā)展是規(guī)劃、建設與運營該晶圓廠的關鍵要素之一。該廠的設計初衷是使英飛凌能夠負責任地使用水、電等資源。