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本周(8月7日-12日)傳感圈資訊一覽
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行業大事
其發行價為52元/股,發行市盈率為34.71倍,股價開盤上漲13.23%至58.88元/股。截至09點35分,華虹公司股價最高達59.88元/股,漲幅為15.15%,最新市值逾940億元。
此次發行后,華虹成為今年以來A股最大IPO項目,同時也是僅次于國內最大晶圓代工企業中芯國際上市時的532.3億元的科創板第二大半導體IPO項目。
其本次發行募資總額為212.03億元,全部為公司公開發行新股募集。
凈利潤超6億!拓爾微電子IPO終止!
8月10日,拓爾微電子IPO問詢后終止。
相關文件顯示,報告期各期發行人氣流傳感器與MCU方案板收入占營業收入的比例分別為74.31%、71.88%及70.60%,氣流傳感器、MCU方案板等產品主要作為電子器件或部件應用于電子煙煙具。報告期內發行人主營業務收入中電子煙業務比例超過70%。
公開信息顯示,近期國家出臺了《電子煙管理辦法》《關于對電子煙有關企業境內外首次公開發行股票并上市進行前置審查的實施細則》,國務院煙草專賣行政主管部門對在中華人民共和國境內依法設立且合法存續的電子煙有關企業擬在境內外首次公開發行股票并上市進行前置審查。(來源:深交所)
新品速覽
技術先進的CMOS圖像傳感器供應商思特威(SmartSens),正式推出4MP和2MP兩款全新升級AI系列CMOS圖像傳感器新品——SC431AI和SC231AI。
作為AIoT及安防應用主流規格分辨率產品,兩款產品均搭載思特威全性能升級技術SmartClarity?-3,集更優異的夜視全彩成像、高溫成像、低功耗性能優勢于一身,可更好賦能家用IPC、AIoT終端等智能無線攝像頭和多攝像頭解決方案。
格科微發布DAG單幀高動態1300萬像素圖像傳感器
本周二,格科微正式發布業內首款支持單幀高動態的1300萬像素圖像傳感器 GC13A2。
這款1/3.1"、1.12um Pixel 背照式圖像傳感器,采用格科微特色的DAG(Dual Analog Gain)電路架構,在預覽、拍照、錄像均可實現低功耗12bit高動態輸出,助力手機、平板電腦等提高成像動態范圍,讓呈現給用戶的圖像更加生動清晰。
GC13A2還支持片上全局色調映射(Global Tone Mapping),將12bit數據實時壓縮到10bit輸出,保留高動態效果的同時可兼容更多智能手機平臺。
易福門推出MK59系列帶IO-link接口的T型槽氣缸傳感器
ifm新推出了MK59系列帶IO-Link接口的T型槽氣缸傳感器,一個氣缸傳感器可以同時檢測氣缸的兩個末端位置,從而提供更完整、更準確的信息、實現柔性化生產、保證產線高效運行,有助于優化控制策略和提高設備開動率并減少停機時間。
芯進電子推出絕緣能力行業領先的電流傳感器
近日,芯進電子推出的高性能霍爾效應電流傳感器CC6922/CC6924/CC6926系列產品以其卓著的性能通過了UL/CUL(62368-1,3rd ed.)全項目檢測、TUV全項目檢測。獲得北美安規UL證書、國際電工委員會CB認證證書、德國TUV認證證書。
本次通過認證的CC6922/CC6924/CC6926系列電流傳感器,除滿足標準要求外,其基本隔離和加強隔離工作電壓已達到行業領先水平,基本隔離1500VRMS,加強隔離750VRMS。
威世推出基于VCSEL的新款高性能反射式光傳感器
威世科技(Vishay Intertechnology)近日宣布推出用于工業、計算機、消費和移動應用領域的新型反射式光傳感器——VCNT2030。與上一代解決方案相比,VCNT2030更加節省空間,同時擁有更高的電流傳輸比(CTR)、更遠的傳感距離和更低的功耗,從而提高了性能。該產品配置了垂直腔表面發射激光器(VCSEL)和硅光電二極管,采用1.85 mm x 1.2 mm x 0.6 mm微型表面貼裝方式封裝。
SK海力士正式公布321層NAND 閃存新進展。
美國舉行的 2023 年閃存峰會 (FMS),SK海力士正式公布了公司的 321 層 1Tb TLC 4D NAND 閃存的開發進展,并展示了樣品。
該公司表示,321層產品的生產率比其238層前代產品高出59%,其數據存儲單元堆疊得更高,從而提高了單片晶圓的整體容量。隨著ChatGPT的爆發式普及,生成式AI市場快速增長,這增加了對能夠更快地處理更多數據的高性能、大容量存儲芯片的需求。
科研成果
西安工程大學研發環保靈敏應變傳感器
該傳感器為碳納米管/木質素碳納米纖維的環保靈敏應變傳感器。具體來說,將水溶性木質素磺酸鈉(SLS)和聚乙烯醇(PVA)混合,并使用MWCNT作為功能填料。然后將 MWCNTs/LCNFs 涂覆在聚氨酯(PU)薄膜上,制成生物質應變傳感器。
該傳感器在人體活動監測和手機藍牙信號傳輸方面表現良好,在智能穿戴設備領域具有非常好的應用前景
中科院發現室溫超導材料假象根源:硫化亞銅雜質
據澎湃新聞報道,近日一篇來自中國科學院研究團隊的最新發表在arXiv網站的預印本論文可能為“LK-99是室溫超導體”畫上了句號。該論文不僅表示LK-99能室溫超導是假象,還找到產生這一假象的原因是硫化亞銅雜質。
此外,來自北京大學量子材料科學中心、美國普林斯頓大學等機構的科研團隊也分別提交預印本論文稱,雖然觀察到其“燒制”的LK-99樣品均未表現出超導性,更像磁體,而非室溫超導體。
8月9日,前述論文的通訊作者之一、中國科學院物理研究所研究員、博士生導師雒建林告訴澎湃科技,“我們的工作指出了把LK-99錯認成超導體的原因?!薄皩嶒灲Y果表明(LK-99能常壓室溫超導)是假象,來源于硫化亞銅?!薄癓K-99不超導! 雖然相關樣品具有弱抗磁性,但不具有完全抗磁性,也沒有零電阻現象。”(澎湃新聞)
8月9日,華為新增發明專利名稱為芯片堆疊結構及其形成方法。
據悉,該專利涉及一種芯片堆疊結構及其形成方法、芯片封裝結構、電子設備,該技術將被用于簡化芯片堆疊結構制備工藝。
芯片堆疊技術是指將不同功能的芯片垂數組合在一起,使得整個芯片集成度更高,性能更優越。不少網友表示,華為這一專利可以讓兩顆14nm芯片疊加起來,最終達到甚至超過7nm芯片的水準。目前,這一說法尚未得到官方的證實。
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