OSC-9---晶振的Layout

引言：晶振內部結構比較復雜，如果連接不妥當或者布線錯誤，就會影響晶振不起振或者EMC測試fail，從而導致產品不能使用。因此晶振電路的PCB設計非常重要，本節主要簡述無源/有源晶振的布局布線要點。

1.布局

1#：主體位置

晶振內部是石英晶體，如果不慎掉落或受不明撞擊，石英晶體易斷裂破損，所以晶振的放置遠離板邊，靠近MCU/SOC的位置布局。為了安全考慮，板卡的地和金屬外殼或者機械結構常常是連在一起的，如果晶振布在板卡的邊緣，晶振與參考接地板會形成電場分布，而板卡的邊緣常常是有很多線纜，當線纜穿過晶振和參考接地板的電場，線纜會被干擾。而晶振布在離邊緣遠的地方，晶振與參考接地板的電場分布被PCB板的GND分割，分布到參考接地板電場大大減小了。

2#：電容位置

有源晶振的去耦電容應盡量靠近晶振的電源管腳，如果多個耦合電容，按照電源流入方向，依次容值從大到小擺放。無源晶振的負載電容靠近晶振本體，減少寄生電容的影響。

3#：獨立性

盡可能保證晶振周圍的沒有其他元件，建議這個距離為300mil，約為7.6mm，實際4-5mm左右也可以接受，防止器件之間的互相干擾，影響時鐘和其他信號的質量，

2.布線

1#：走線短

在電路系統中，高速時鐘信號線優先級最高，一般在布線時，需要優先考慮系統的主時鐘信號線。時鐘線是敏感信號，頻率越高，要求走線盡量短，保證信號的失真度最小，與其它信號需20mil間距，最好使用Ground trace與其他信號隔離，避免時鐘線干擾其他信號。

2#：外殼接地

晶振的外殼必須要接地，除了防止晶振向外輻射，也可以屏蔽外來的干擾。

3#：晶振底下鋪地

晶振鋪地可以防止干擾其他層，不滿足鋪地也需要粗走線包裹。

4#：晶振底下不要布線

晶振周圍5mm的范圍內不要布線和其他元器件，主要是防止晶振干擾其他布線和器件。底下盡量不要走線，一定要走線的話，不能走線進晶振pin腳周圍50mil之內，尤其避免高速信號。

5#：有源晶振輸出不能接長線

時鐘源通常是系統中最嚴重的EMI輻射源，頻率高，是高速電路，時鐘上升沿陡高速頻譜含量越多，如果接長線，其結果是長線就成了天線，這在很多應用中是不允許的，所有時鐘源都必須盡量靠近相關器件，必要時用多個時鐘源，不得以下可以采用多層PCB將時鐘連線屏蔽。有源晶振的輸出一般是標準TTL規格，至于能驅動多少芯片要看這些芯片的特性。關于晶振的選擇，如果你的系統能工作在25M，就盡量不要選50M的晶振。

6#：過孔

晶振信號線盡可能不穿孔，因為一個過孔會有大約0.5pF的寄生電容，走線粗細要一致。

3.保護器件

圖9-1：晶振增加ESD保護器件

當使用ESD保護器件時，需要器件的寄生電容考慮在內合并計算CL，以最大限度地降低更高頻帶信號的衰減和頻率偏移。

4.無源晶振Layout示例

頂層：圖9-2所示，晶振頂層的最好策略是鋪銅包地（如果有的話也可以連接其他大面積GND銅皮，也可以獨立GND銅皮），效果比走線包地效果更佳。鋪銅之后，打上過孔陣列，與其它層的銅皮進行良好連接，形成一個密集的GND三維多層法拉第籠。

圖9-2：無源晶振頂層走線范例

中間層和底層：因為晶振底下的投射區域不能走線，不包括GND層和POWER層（GND層完整覆蓋，POWER層也完整覆蓋，不用挖空），所以就將投射區域的GND過孔用銅皮連接成shape，其他層也類似如圖9-3處理。

圖9-3：無源晶振中間層/底層范例

5.有源晶振Layout示例

圖9-4：有源晶振電路

頂層：如圖9-5，去耦電容靠近晶振的電源管腳，有源晶振同樣建議使用銅皮GND包裹策略，時鐘信號直連，盡量不要過孔換層。

圖9-5：有源晶振頂層走線范例

中間層和底層：GND銅皮覆蓋投射區域，過孔立體連通。

圖9-6：有源晶振中間層/底層范例