rh850的pflash和dflash數(shù)據(jù)分配
RH850是一種流行的微控制器,廣泛用于汽車和工業(yè)應(yīng)用。它有兩種類型的閃存-P-flash和D-flash。P-Flash是程序閃存,D-Flash是數(shù)據(jù)閃存。這兩種類型的閃存都是RH850微控制器的重要組件。在本文中,我們將更深入地研究P-Flash和D-Flash存儲(chǔ)器及其數(shù)據(jù)分配。
P-Flash數(shù)據(jù)分配
P-Flash是存儲(chǔ)RH850微控制器的程序或固件的主閃存。P-Flash存儲(chǔ)器被劃分為從32KB到256KB的許多扇區(qū)。每個(gè)扇區(qū)的大小在RH850微控制器的各種型號(hào)之間可以不同。
例如,RH850G3x和RH850D1x系列的P-Flash中有256 KB的扇區(qū)。RH850F1x系列在P-Flash中有128 KB的扇區(qū)。P-Flash存儲(chǔ)器可以多次編程和擦除,但過多的寫入周期會(huì)導(dǎo)致有限的耐久性,從而導(dǎo)致數(shù)據(jù)丟失。
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我在其他程序中,看見其使用 *(uint32 *)PSPR_Address, 來讀寫PSPR地址內(nèi)的數(shù)據(jù),請(qǐng)問,我是否可以采用同樣的方式來操作DFLASH的地址內(nèi)數(shù)據(jù)。
謝謝!
發(fā)表于 02-02 13:08
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發(fā)表于 01-29 11:38
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在用戶手冊(cè)中,Pflash 和 Dflash 都有閃存 ECC 保護(hù),我想知道 ECC 內(nèi)存在哪里? 它會(huì)占用 pflash 空間還是存儲(chǔ)在用戶無法訪問的地方?
在此先謝謝!
發(fā)表于 01-26 08:12
使用TC275芯片,其中DFLASH用作模擬EEPROM,PFLASH0和PFLASH1都會(huì)運(yùn)行應(yīng)用程序,請(qǐng)問如何設(shè)置XCP的標(biāo)定數(shù)據(jù)區(qū),使得數(shù)據(jù)
發(fā)表于 01-25 06:11
我有一個(gè)項(xiàng)目需要在現(xiàn)場(chǎng)更新 SOTA。 這需要在運(yùn)行時(shí)更新必要的 UCB 值。 我已經(jīng)看過擦除/編程 PFLASH 和 DFLASH 的示例代碼,但我還沒有找到任何特定于 UCB 內(nèi)存的代碼。 我
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發(fā)表于 01-19 07:24
給DFlash分配內(nèi)存,如下
memory cal_rom
{
mau = 8;
size = 128k;
type = reserved nvram;
map (dest=bus:sri
發(fā)表于 01-19 07:24
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