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氮化鎵的一個報告

芯片工藝技術 ? 來源:芯片工藝技術 ? 2023-08-17 16:31 ? 次閱讀

GaN材料相信大家都不陌生了,就連電梯廣告的快充都打著第三代GaN快充技術。氮化鎵是一種寬能隙材料,它能夠提供與碳化硅(SiC)相似的性能優勢,但降低成本的可能性卻更大。業界認為,在未來數年間,氮化鎵功率器件的成本可望壓低到和硅MOSFETIGBT及整流器同等價格。氮化鎵電力電子器件具有更高的工作電壓、更高的開關頻率、更低的導通電阻等優勢,并可與成本極低、技術成熟度極高的硅基半導體集成電路工藝相兼容,在新一代高效率、小尺寸的電力轉換與管理系統、電動機車、工業電機等領域具有巨大的發展潛力。

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最近看了一篇GaN技術和市場的技術報告,寫的還是很全面的,

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GaN器件的功率密度是砷化鎵(GaAs)器件的十倍。GaN器件的更高功率密度使其能夠提供更寬的帶寬,更高的放大器增益和更高的效率,這是由于器件外圍更小。

GaN場效應晶體管(FET)器件的工作電壓可以比同類GaAs器件高五倍。由于GaNFET器件可以在更高的電壓下工作,因此設計人員可以更輕松地在窄帶放大器設計上實現阻抗匹配。阻抗匹配是以這樣的方式設計電負載的輸入阻抗的實踐,其最大化從設備到負載的功率傳輸。

GaNFET器件的電流是GaAsFET器件的兩倍。由于GaNFET器件可提供的電流是GaAsFET器件的兩倍,因此GaNFET器件具有更高的帶寬能力。大部分的半導體器件對于溫度的變化都是非常敏感的,為了保證可靠性,半導體的溫度變化必須被控制在一定范圍內。

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里面還有很多GaN專利的爭斗事件,也可以看看,挺有意思的,想要PDF的可以公眾號聯系我。

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原文標題:氮化鎵的一個報告

文章出處:【微信號:dingg6602,微信公眾號:芯片工藝技術】歡迎添加關注!文章轉載請注明出處。

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