色哟哟视频在线观看-色哟哟视频在线-色哟哟欧美15最新在线-色哟哟免费在线观看-国产l精品国产亚洲区在线观看-国产l精品国产亚洲区久久

0
  • 聊天消息
  • 系統(tǒng)消息
  • 評(píng)論與回復(fù)
登錄后你可以
  • 下載海量資料
  • 學(xué)習(xí)在線課程
  • 觀看技術(shù)視頻
  • 寫(xiě)文章/發(fā)帖/加入社區(qū)
會(huì)員中心
創(chuàng)作中心

完善資料讓更多小伙伴認(rèn)識(shí)你,還能領(lǐng)取20積分哦,立即完善>

3天內(nèi)不再提示

功率器件雙雄,為SiC押下重注

AI芯天下 ? 來(lái)源:AI芯天下 ? 2023-08-18 16:41 ? 次閱讀

前言:

從缺芯潮緩解轉(zhuǎn)向下游市場(chǎng)需求疲軟,在半導(dǎo)體賽道的周期性[寒冬]之下,各家企業(yè)相繼采取措施,減產(chǎn)、縮減投資等逐漸成為行業(yè)廠商度過(guò)危機(jī)的主要方式之一。

在此背景下,碳化硅(SiC)市場(chǎng)的建廠擴(kuò)產(chǎn)熱潮卻愈演愈烈。

afb3edf0-3cfa-11ee-ac96-dac502259ad0.png

SiC功率器件成熱門,吸引雙雄押下重注

根據(jù)Yole的預(yù)測(cè),SiC功率器件將很快占據(jù)整個(gè)功率器件市場(chǎng)的30%,到2027年,SiC行業(yè)(從襯底到模塊,包括器件)的產(chǎn)值有望超過(guò)60億美元。

SiC器件的工作結(jié)溫在200℃以上,工作頻率在100kHz以上,耐壓可達(dá)20kV,這些性能都優(yōu)于傳統(tǒng)硅器件;

碳化硅器件體積可減小到IGBT整機(jī)的1/3-1/5,重量可減小到40-60%。

隨著新能源汽車的發(fā)展,對(duì)功率器件需求量日益增加,成為功率半導(dǎo)體器件新的增長(zhǎng)點(diǎn)。

截至2023年上半年,全球已有40款SiC車型進(jìn)入量產(chǎn)交付,可查到交付數(shù)據(jù)的SiC車型上半年累計(jì)銷售118.7萬(wàn)輛。

熱門的SiC便吸引了歐洲芯片雙雄意法和英飛凌在其中押下重注。

afcc5958-3cfa-11ee-ac96-dac502259ad0.png

掌握襯底制造能力,就擁有了更大話語(yǔ)權(quán)

擁有襯底制造能力將是走向IDM模式的關(guān)鍵一環(huán),因?yàn)镾iC襯底在最終的器件中成本占比最高,且為關(guān)乎產(chǎn)品品質(zhì)的關(guān)鍵。

SiC襯底生產(chǎn)需要高度專業(yè)化和技術(shù)復(fù)雜的生產(chǎn)流程,涉及到多個(gè)步驟,包括材料制備、襯底切割和拋光等。

整個(gè)生產(chǎn)流程需要嚴(yán)格控制各個(gè)環(huán)節(jié)的參數(shù)和工藝,確保襯底質(zhì)量的穩(wěn)定性和一致性。

同時(shí),襯底生產(chǎn)的技術(shù)難度和成本也很高,這也使得襯底生產(chǎn)在整個(gè)SiC價(jià)值鏈中具有相當(dāng)高的附加值。

其他行業(yè)往往是下游利潤(rùn)更高,但是SiC襯底是整個(gè)產(chǎn)業(yè)鏈中技術(shù)門檻較高的一環(huán)。

這些SiC巨頭通過(guò)收購(gòu)、合并等方式不斷擴(kuò)大自身規(guī)模,實(shí)現(xiàn)了SiC全產(chǎn)業(yè)鏈的布局,并在全球范圍內(nèi)掌握了SiC技術(shù)的核心競(jìng)爭(zhēng)力。

Yole估計(jì),將有數(shù)十億美元投資于晶體和晶圓制造以及設(shè)備加工,到2027年市場(chǎng)潛力將達(dá)到60億美元,高于2021年的約10億美元。

b038e49c-3cfa-11ee-ac96-dac502259ad0.png

功率龍頭之間的較勁延伸至中國(guó)市場(chǎng)

在2001年,英飛凌就推出了第一顆碳化硅二極管,甚至比意法還早上一年。

但在后續(xù)技術(shù)開(kāi)發(fā)上,英飛凌的步伐落后了少許,最終導(dǎo)致了意法成為了[第一個(gè)吃到螃蟹]的廠商。

同樣作為[第一個(gè)吃螃蟹的人],特斯拉打響了SiC MOSFET的第一槍,而意法的SiC模塊也因?yàn)榇钌咸厮估璏odel3而聲名大噪,一舉超越英飛凌,成為SiC新霸主。

英飛凌雖然掉了SiC寶座,但從所有功率元件包括IGBT、SiC、GaN等加起來(lái)的份額來(lái)看,其功率元件龍頭地位實(shí)難撼動(dòng)。

因此,英飛凌對(duì)奪回SiC寶座,依舊念念不忘。

功率元件龍頭間激烈較勁,且急著在國(guó)內(nèi)這個(gè)全球最大新能源車市場(chǎng)插旗。

在英飛凌的全球營(yíng)收結(jié)構(gòu)中,大中華區(qū)成為英飛凌業(yè)務(wù)增長(zhǎng)的主要貢獻(xiàn)力量。

其2022財(cái)年142億歐元收入中,大中華區(qū)貢獻(xiàn)37%,是英飛凌營(yíng)收占比最高的區(qū)域。

意法半導(dǎo)體的前端制造主要分布在瑞典、法國(guó)、意大利和新加坡四個(gè)國(guó)家,

在中國(guó)市場(chǎng)中,意法半導(dǎo)體僅在深圳有一個(gè)封測(cè)廠,其主要是封裝存儲(chǔ)器、標(biāo)準(zhǔn)線性器件、VIPower器件以及SiC功率模塊等。

此次意法半導(dǎo)體聯(lián)合三安光電共建SiC市場(chǎng),一方面展示了其在SiC市場(chǎng)的雄心壯志,另一方面也是加深在中國(guó)市場(chǎng)的布局。

意法的這一格局意味著其前端制造距離中國(guó)市場(chǎng)還是有點(diǎn)遠(yuǎn),這也是此次意法與三安合作的重要原因。

b095ce50-3cfa-11ee-ac96-dac502259ad0.png

意法半導(dǎo)體:與三安光電合資32億在重慶建廠

目前意法半導(dǎo)體(ST)的650V/1200V第三代碳化硅MOSFET正式投產(chǎn)。

第四代產(chǎn)品目前正在產(chǎn)前測(cè)試中,產(chǎn)品頻率可達(dá)1MHz,導(dǎo)通電阻也減少了15%。

而意法在碳化硅領(lǐng)域的選擇,是繼續(xù)深挖平面設(shè)計(jì)碳化硅MOSFET的技術(shù)潛力,包括第四代碳化硅產(chǎn)品,依舊采用了平面結(jié)構(gòu)。

該結(jié)構(gòu)的特點(diǎn)是工藝簡(jiǎn)單,單元的一致性較好,雪崩能量比較高。

去年12月,意法半導(dǎo)體與Soitec合作,驗(yàn)證其Smart SiC技術(shù)在未來(lái)8英寸基板制造中的應(yīng)用。

今年6月,意法宣布與國(guó)內(nèi)的三安光電股份有限公司合資32億美元在重慶建8英寸碳化硅外延與芯片代工廠,成為國(guó)內(nèi)碳化硅領(lǐng)域最具轟動(dòng)性的一筆投資規(guī)劃。

資金來(lái)源包括來(lái)自意法半導(dǎo)體和三安光電的資金投入、來(lái)自重慶政府的支持以及由合資企業(yè)向外貸款。

其將于2025年完成階段性建設(shè)并逐步投產(chǎn),2028年達(dá)產(chǎn),規(guī)劃達(dá)產(chǎn)后生產(chǎn)8英寸碳化硅晶圓1萬(wàn)片/周。

穩(wěn)步更迭的平面與溝槽技術(shù),通過(guò)收購(gòu)實(shí)現(xiàn)晶圓襯底自產(chǎn)自用,最后配合大手筆的擴(kuò)產(chǎn),意法的龍頭地位依舊穩(wěn)固。

通過(guò)此次合作,意法半導(dǎo)體計(jì)劃受益于進(jìn)一步多元化的SiC晶圓采購(gòu),而Soitec則可以利用與市場(chǎng)領(lǐng)導(dǎo)者的合作來(lái)擴(kuò)大生產(chǎn)規(guī)模。

意法半導(dǎo)體旨在將前端產(chǎn)能擴(kuò)大十倍,到2024年第四季度,40%的襯底將由公司內(nèi)部生產(chǎn),襯底尺寸也將從150毫米逐漸增加到200毫米。

英飛凌:與天科合達(dá)、天岳先進(jìn)簽訂供應(yīng)協(xié)議

與意法不同的是,英飛凌并沒(méi)有選擇突入平面結(jié)構(gòu)的市場(chǎng),而是選擇了溝槽結(jié)構(gòu)。

與生產(chǎn)工藝較為簡(jiǎn)單,成本較低的平面結(jié)構(gòu)碳化硅MOSFET生產(chǎn)工藝相比,英飛凌的溝槽柵設(shè)計(jì)表現(xiàn)出了前者難以具備的優(yōu)勢(shì)。

英飛凌已開(kāi)始了第三代1200V平臺(tái)的開(kāi)發(fā),預(yù)計(jì)推出時(shí)間為2025年底到2026年初。

受困于產(chǎn)能的英飛凌在2022年開(kāi)始了公司歷史上最激進(jìn)的投資計(jì)劃。

除了在德國(guó)德累斯頓投入50億歐元建設(shè)歐洲最大的晶圓廠、提高混合信號(hào)產(chǎn)品產(chǎn)能外;

還針對(duì)第三代半導(dǎo)體進(jìn)行分別在奧地利Villach和馬來(lái)西亞Kulim進(jìn)行超過(guò)20億歐元的投資。

b1a10c10-3cfa-11ee-ac96-dac502259ad0.png

今年5月,英飛凌與中國(guó)公司天科合達(dá)、天岳先進(jìn)簽訂供應(yīng)協(xié)議,兩家公司將供應(yīng)6英寸碳化硅晶圓和晶錠,作為Wolfspeed的補(bǔ)充。

天科合達(dá)和天岳先進(jìn)與英飛凌簽訂了6英寸SiC材料的長(zhǎng)期供應(yīng)協(xié)議,分別為英飛凌供應(yīng)碳化硅襯底和晶棒以及碳化硅晶圓和晶錠。

英飛凌的投資將在本十年末帶來(lái)約70億歐元的年SiC收入潛力,加上計(jì)劃將Villach和Kulim工廠的200mm工廠轉(zhuǎn)換為SiC生產(chǎn)。

其目標(biāo)是在本十年末實(shí)現(xiàn)30%的市場(chǎng)份額目標(biāo),英飛凌有信心公司2025財(cái)年的SiC營(yíng)收將提前實(shí)現(xiàn)10億歐元的目標(biāo)。

投資方向與重點(diǎn)挑戰(zhàn)

2023上半年,SiC企業(yè)融資創(chuàng)新高:超25家相關(guān)企業(yè)完成新一輪融資,總規(guī)模超85億元,涵蓋外延、襯底、器件、設(shè)備等環(huán)節(jié)。

其中,襯底、外延、芯片三個(gè)環(huán)節(jié)技術(shù)含量密集,是投資和創(chuàng)新重點(diǎn)。

如今SiC的市場(chǎng)前景已毋庸置疑,但是就技術(shù)和產(chǎn)品而言仍有許多挑戰(zhàn)未解決。

比如汽車領(lǐng)域更大規(guī)模地采用SiC技術(shù),從6英寸晶圓轉(zhuǎn)向8英寸,從400V升級(jí)至800V電池系統(tǒng)等等,對(duì)其制造成本、良率、可靠性等要求仍是重大挑戰(zhàn)。

結(jié)尾:

全球主要的SiC器件制造商近幾年在積極擴(kuò)產(chǎn)、并購(gòu)之余,也在與產(chǎn)業(yè)鏈上下游展開(kāi)形式不同的合作。

這有利推動(dòng)了新技術(shù)的開(kāi)發(fā)提速和新進(jìn)入者的產(chǎn)品驗(yàn)證,進(jìn)而促進(jìn)了整個(gè)生態(tài)系統(tǒng)的繁榮。

兒如何在擴(kuò)大生產(chǎn)規(guī)模的同時(shí),控制碳化硅的成本,讓更多車企愿意讓碳化硅上車,或許就是未來(lái)制勝的關(guān)鍵所在。

聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫(xiě)或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點(diǎn)僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場(chǎng)。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問(wèn)題,請(qǐng)聯(lián)系本站處理。 舉報(bào)投訴
  • 功率器件
    +關(guān)注

    關(guān)注

    41

    文章

    1758

    瀏覽量

    90417
  • SiC
    SiC
    +關(guān)注

    關(guān)注

    29

    文章

    2804

    瀏覽量

    62608
  • 碳化硅
    +關(guān)注

    關(guān)注

    25

    文章

    2748

    瀏覽量

    49019

原文標(biāo)題:產(chǎn)業(yè)丨功率器件雙雄,為SiC押下重注

文章出處:【微信號(hào):World_2078,微信公眾號(hào):AI芯天下】歡迎添加關(guān)注!文章轉(zhuǎn)載請(qǐng)注明出處。

收藏 人收藏

    評(píng)論

    相關(guān)推薦

    SiC功率器件的特點(diǎn)和優(yōu)勢(shì)

    SiC(碳化硅)功率器件正逐漸成為現(xiàn)代電力電子系統(tǒng)中的重要技術(shù),其相較于傳統(tǒng)的硅(Si)器件,特別是在高功率、高效率和高頻率應(yīng)用中的優(yōu)勢(shì)日益
    的頭像 發(fā)表于 12-05 15:07 ?255次閱讀
    <b class='flag-5'>SiC</b><b class='flag-5'>功率</b><b class='flag-5'>器件</b>的特點(diǎn)和優(yōu)勢(shì)

    SiC功率器件中的溝槽結(jié)構(gòu)測(cè)量

    汽車和清潔能源領(lǐng)域的制造商需要更高效的功率器件,能夠適應(yīng)更高的電壓,擁有更快的開(kāi)關(guān)速度,并且比傳統(tǒng)硅基功率器件提供更低的損耗,而溝槽結(jié)構(gòu)的 SiC
    的頭像 發(fā)表于 10-16 11:36 ?295次閱讀
    <b class='flag-5'>SiC</b><b class='flag-5'>功率</b><b class='flag-5'>器件</b>中的溝槽結(jié)構(gòu)測(cè)量

    SiC MOSFET和SiC SBD的區(qū)別

    SiC MOSFET(碳化硅金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管)和SiC SBD(碳化硅肖特基勢(shì)壘二極管)是兩種基于碳化硅(SiC)材料的功率半導(dǎo)體器件
    的頭像 發(fā)表于 09-10 15:19 ?1530次閱讀

    什么是SiC功率器件?它有哪些應(yīng)用?

    SiC(碳化硅)功率器件是一種基于碳化硅材料制造的功率半導(dǎo)體器件,它是繼硅(Si)和氮化鎵(GaN)之后的第三代半導(dǎo)體材料的重要應(yīng)用之一。
    的頭像 發(fā)表于 09-10 15:15 ?1625次閱讀

    安森美大手筆投資捷克,擴(kuò)建SiC功率器件制造工廠

    在全球SiC功率器件市場(chǎng)需求持續(xù)增長(zhǎng)的背景,各大廠商紛紛加大投資力度,以擴(kuò)大產(chǎn)能、提升競(jìng)爭(zhēng)力。作為全球半導(dǎo)體行業(yè)的佼佼者,安森美(onsemi)也不例外,近日宣布在捷克共和國(guó)進(jìn)行大規(guī)
    的頭像 發(fā)表于 06-25 10:46 ?662次閱讀

    碳化硅(SiC)功率器件的開(kāi)關(guān)性能比較

    過(guò)去十年,碳化硅(SiC)功率器件因其在功率轉(zhuǎn)換器中的高功率密度和高效率而備受關(guān)注。制造商們已經(jīng)開(kāi)始采用碳化硅技術(shù)來(lái)開(kāi)發(fā)基于各種半導(dǎo)體
    的頭像 發(fā)表于 05-30 11:23 ?721次閱讀
    碳化硅(<b class='flag-5'>SiC</b>)<b class='flag-5'>功率</b><b class='flag-5'>器件</b>的開(kāi)關(guān)性能比較

    功率器件 Spice 模型建立

    社區(qū)有關(guān)于器件 SPICE model建模的嗎,如LDMOS、VDMOS、IGBT、SiC功率器件spice model?可以相互討論一,
    發(fā)表于 04-12 22:37

    全面的SiC功率器件行業(yè)概覽

    SiC功率器件市場(chǎng)正處于快速增長(zhǎng)階段,特別是在汽車電動(dòng)化趨勢(shì)的推動(dòng),其市場(chǎng)規(guī)模預(yù)計(jì)將持續(xù)擴(kuò)大。 根據(jù)Yole Group的報(bào)告,汽車行業(yè)對(duì)Si
    發(fā)表于 04-07 11:20 ?797次閱讀
    全面的<b class='flag-5'>SiC</b><b class='flag-5'>功率</b><b class='flag-5'>器件</b>行業(yè)概覽

    SiC功率器件引領(lǐng)新能源汽車電驅(qū)系統(tǒng)革新!

    第三代半導(dǎo)體在新能源汽車電驅(qū)系統(tǒng)中的滲透率情況是怎樣的?特邀嘉賓您解答! 作為新能源汽車領(lǐng)域的關(guān)鍵技術(shù),SiC功率器件因其卓越的性能優(yōu)勢(shì)而成為行業(yè)發(fā)展的重要趨勢(shì)。 與傳統(tǒng)硅
    的頭像 發(fā)表于 04-03 16:22 ?446次閱讀

    碳化硅(SiC功率器件核心優(yōu)勢(shì)及技術(shù)挑戰(zhàn)

    SiC器件的核心優(yōu)勢(shì)在于其寬禁帶、高熱導(dǎo)率、以及高擊穿電壓。具體來(lái)說(shuō),SiC的禁帶寬度是硅的近3倍,這意味著在高溫仍可保持良好的電性能;其熱導(dǎo)率是硅的3倍以上,有利于高
    發(fā)表于 03-08 10:27 ?1383次閱讀
    碳化硅(<b class='flag-5'>SiC</b>)<b class='flag-5'>功率</b><b class='flag-5'>器件</b>核心優(yōu)勢(shì)及技術(shù)挑戰(zhàn)

    一文解析SiC功率器件互連技術(shù)

    和硅器件相比,SiC器件有著耐高溫、擊穿電壓 大、開(kāi)關(guān)頻率高等諸多優(yōu)點(diǎn),因而適用于更高工作頻 率的功率器件。但這些優(yōu)點(diǎn)同時(shí)也給
    發(fā)表于 03-07 14:28 ?1407次閱讀
    一文解析<b class='flag-5'>SiC</b><b class='flag-5'>功率</b><b class='flag-5'>器件</b>互連技術(shù)

    碳化硅(SiC功率器件在新能源汽車中的深入應(yīng)用解析

    采用多芯片并聯(lián)的SiC功率模塊,會(huì)產(chǎn)生較嚴(yán)重的電磁干擾和額外損耗,無(wú)法發(fā)揮SiC器件的優(yōu)良性能;SiC
    發(fā)表于 03-04 10:35 ?1793次閱讀
    碳化硅(<b class='flag-5'>SiC</b>)<b class='flag-5'>功率</b><b class='flag-5'>器件</b>在新能源汽車中的深入應(yīng)用解析

    SiC功率器件特征有哪些

    碳化硅(SiC功率器件是一種半導(dǎo)體器件,具有許多獨(dú)特的特性,使其在高性能電力電子應(yīng)用中具有優(yōu)勢(shì)。以下是SiC
    的頭像 發(fā)表于 02-04 16:25 ?751次閱讀

    碳化硅功率器件的優(yōu)勢(shì)及應(yīng)用

    傳統(tǒng)的硅基功率器件在應(yīng)對(duì)這一挑戰(zhàn)時(shí),其性能已經(jīng)接近極限。碳化硅(SiC功率器件的出現(xiàn),電力電
    發(fā)表于 01-06 11:06 ?440次閱讀

    同是功率器件,為什么SiC主要是MOSFET,GaN卻是HEMT

    遷移率晶體管)。為什么同是第三代半導(dǎo)體材料,SiC和GaN在功率器件上走了不同的道路?為什么沒(méi)有GaN MOSFET產(chǎn)品?下面我們來(lái)簡(jiǎn)單分析一。 ? GaN 和
    的頭像 發(fā)表于 12-27 09:11 ?3674次閱讀
    主站蜘蛛池模板: 久久精品热99看| 色久久久综合88一本道| 在线播放av欧美无码碰| 国产免费午夜| 微拍秒拍99福利精品小视频| 各种肉黄浪荡故事集| 青青app| xxnx18日本| 日本护士在线观看| 大睾丸内射老师| 色偷偷伊人| 国产麻豆精品传媒AV国产在线| 新金梅瓶玉蒲团性奴3| 国产一级做a爰片久久毛片男| 亚洲欧美一区二区三区四区| 精品无码久久久久久国产百度| 伊人22222| 伦理片天堂eeuss影院2o12| 99国产精品人妻无码免费| 免费夜里18款禁用软粉色| metart中国撒尿人体欣赏| 日韩高清毛片| 国产在线成人一区二区三区| 亚洲伊人精品| 欧美成人亚洲高清在线观看| YELLOW免费观看完整视频| 午理论理影片被窝| 久久精品国产免费| RUN AWAY无删减全集动漫| 婷婷射精AV这里只有精品| 精品无码乱码AV| 99国产精品| 网址在线观看你懂我意思吧免费的| 国产午夜在线观看视频播放| 在线免费观看毛片网站| 中文中幕无码亚洲在线| 朋友的娇妻好爽好烫嗯 | 亚洲午夜福利未满十八勿进| 伦理片飘花免费影院| 国产AV午夜精品一区二区入口| 亚洲国产精品99久久久久久|