據(jù)說HBM3E DRAM 速度更快、容量更高、散熱更好且易于兼容。

早在 6 月，就有報道稱 SK 海力士已收到英偉達(dá)的下一代 HBM3E DRAM 樣品請求，當(dāng) 英偉達(dá)宣布其采用增強(qiáng)型 HBM3E DRAM 的 GH200 GPU（每芯片可提供高達(dá) 5 TB/s 的帶寬）時，這一請求成為現(xiàn)實。

SK海力士公司今天宣布成功開發(fā)出HBM3E，這是目前用于人工智能應(yīng)用的下一代最高規(guī)格DRAM，并表示客戶的樣品評估正在進(jìn)行中。

該公司表示，HBM3E（HBM3的擴(kuò)展版本）的成功開發(fā)得益于其作為業(yè)界唯一的HBM3大規(guī)模供應(yīng)商的經(jīng)驗。憑借作為業(yè)界最大HBM產(chǎn)品供應(yīng)商的經(jīng)驗和量產(chǎn)準(zhǔn)備水平，SK海力士計劃在明年上半年量產(chǎn)HBM3E，鞏固其在AI內(nèi)存市場無與倫比的領(lǐng)導(dǎo)地位。

該公司表示，最新產(chǎn)品不僅滿足業(yè)界最高的速度標(biāo)準(zhǔn)（AI內(nèi)存產(chǎn)品的關(guān)鍵規(guī)格），而且所有類別都包括容量、散熱和用戶友好性。

在速度方面，HBM3E 每秒可處理高達(dá) 1.15 TB 的數(shù)據(jù)，相當(dāng)于每秒處理 230 多部 5GB 大小的全高清電影。

此外，該產(chǎn)品在最新產(chǎn)品上采用先進(jìn)質(zhì)量回流成型底部填充（MR-MUF）尖端技術(shù)，散熱性能提高了10%。它還提供向后兼容性，甚至可以在為 HBM3 準(zhǔn)備的系統(tǒng)上采用最新產(chǎn)品，而無需修改設(shè)計或結(jié)構(gòu)。

MR-MUF是指將芯片附著到電路上并在堆疊芯片時用液體材料填充芯片之間的空間而不是鋪設(shè)薄膜以提高效率和散熱的工藝。向后兼容性是無需修改設(shè)計即可實現(xiàn)新舊系統(tǒng)之間的互操作性的能力，特別是在信息技術(shù)和計算領(lǐng)域。具有向后兼容性的新型內(nèi)存產(chǎn)品允許繼續(xù)使用現(xiàn)有的 CPU 和 GPU，而無需修改設(shè)計。

英偉達(dá)Hyperscale和HPC部門副總裁伊恩·巴克（Ian Buck）表示：“英偉達(dá)為了最先進(jìn)加速計算解決方案(Accelerated Computing Solutions)所應(yīng)用的HBM，與SK海力士進(jìn)行了長期的合作。為展示新一代AI計算，期待兩家公司在HBM3E領(lǐng)域的持續(xù)合作。”

SK海力士DRAM商品企劃擔(dān)當(dāng)副社長柳成洙表示：“公司通過HBM3E，在AI技術(shù)發(fā)展的同時備受矚目的HBM市場中有效提升了產(chǎn)品陣容的完成度，并進(jìn)一步夯實了市場主導(dǎo)權(quán)。今后隨著高附加值產(chǎn)品HBM的供應(yīng)比重持續(xù)加大，經(jīng)營業(yè)績反彈趨勢也將隨之加速。”

根據(jù)TrendForce集邦咨詢調(diào)查顯示，為順應(yīng)AI加速器芯片需求演進(jìn)，各原廠計劃于2024年推出新產(chǎn)品HBM3E，預(yù)期HBM3與HBM3E將成為明年市場主流。HBM3E將由24Gb mono die堆棧，在8層(8Hi)的基礎(chǔ)下，單顆HBM3E容量將一口氣提升至24GB。除了英偉達(dá)外，Google與AWS正著手研發(fā)次世代自研AI加速芯片，將采用HBM3或HBM3E。

HBM3平均銷售單價高，2024年HBM整體營收將因此大幅提升。觀察HBM供需變化，2022年供給無虞，2023年受到AI需求突爆式增長導(dǎo)致客戶的預(yù)先加單，即便原廠擴(kuò)大產(chǎn)能但仍無法完全滿足客戶需求。展望2024年，TrendForce集邦咨詢認(rèn)為，基于各原廠積極擴(kuò)產(chǎn)的策略，HBM供需比（Sufficiency Ratio）有望獲改善，預(yù)估將從2023年的-2.4%，轉(zhuǎn)為0.6%。

8月8日，英偉達(dá)創(chuàng)始人兼CEO黃仁勛在計算機(jī)圖形年會SIGGRAPH上發(fā)布了HBM3E內(nèi)存新一代GH200 Grace Hopper超級芯片。這款芯片被黃仁勛稱為“加速計算和生成式AI時代的處理器”，旨在用于任何大型語言模型，以降低推理成本。

與今年5月發(fā)布的GH200不同，新一代GH200芯片搭載了全球首款HBM3E內(nèi)存，內(nèi)存容量和帶寬都有顯著提高，專為加速計算和生成式AI時代而設(shè)計。

新版GH200芯片平臺基于72核Grace CPU，配備480GB ECC LPDDR5X內(nèi)存以及GH100計算GPU。此外，它還搭配著141GB的HBM3E內(nèi)存，分為六個24GB的堆棧，并采用了6，144位的內(nèi)存接口。盡管實際上英偉達(dá)安裝了144GB的內(nèi)存，但可用的內(nèi)存容量為141GB。

借助全球最快的HBM3E內(nèi)存，這款芯片的內(nèi)存容量高達(dá)141GB，帶寬每秒可達(dá)到5TB。每個GPU的容量比英偉達(dá) H100 GPU多出1.7倍，帶寬比H100高1.55倍。

英偉達(dá)強(qiáng)調(diào)，新版GH200 Grace Hopper芯片使用了與原版相同的Grace CPU和GH100 GPU芯片，因此無需推出新的軟件版本或步進(jìn)。原版GH200和升級版GH200將共存于市場，后者將以更高的價格銷售，因為它具備更先進(jìn)的內(nèi)存技術(shù)帶來的更高性能。

英偉達(dá)表示，新版GH200旨在處理世界上最復(fù)雜的生成式AI工作負(fù)載，包括大型語言模型、推薦系統(tǒng)和矢量數(shù)據(jù)庫，并將提供多種配置。