KUU推出采用DFN5*6-8L無鉛塑料封裝的N-SGT MOSFET產品KM4110N-568。產品使用先進的屏蔽柵溝槽(Shield Gate Trench)技術,同時降低了器件導通電阻Ronsp和柵極電荷Qg,得到更小的品質因數FOM(Rdson*Qg)。采用這一先進技術有效提高了器件的開關速度,降低了開關損耗,配合以先進的終端設計和封裝技術,使器件具有更優異的性能和更強的可靠性。
這款KM4110N-568作為N-SGT MOSFET,其產品參數:具有110A電流、40V電壓,RDS(on) =2.3mΩ,最高柵源電壓VGS =±20 V,廣泛使用在AC-DC/DC-DC的同步整流、變流器、電動工具等。
產品優勢
1、極低的Rdson
2、極低的Qg和Qgd
3、更快的開關速度
4、更低的開關損耗
典型應用方案
使用這款N-SGT MOSFET,保證其耐壓性能,能抵抗高浪涌電流沖擊,具有更低導通損耗,可節省電能,適合多管并聯。
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發表于 01-03 14:49
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