半導(dǎo)體具有哪三種特性

半導(dǎo)體是一種特殊的材料，具有以下三種特性：

1. 靜電導(dǎo)體特性

半導(dǎo)體的靜電導(dǎo)體特性是指，當(dāng)足夠的電壓施加在半導(dǎo)體材料上時，該材料會導(dǎo)電，并且導(dǎo)電性會隨電壓的增加而增加。具體來說，當(dāng)半導(dǎo)體材料的電子數(shù)目增加時，其導(dǎo)電性也會增加。通常情況下，半導(dǎo)體材料是由純的硅、鍺等元素構(gòu)成，這些元素的原子具有四個價電子，因此，這些元素結(jié)合形成的晶體也具有四價的特性。這種結(jié)構(gòu)使得半導(dǎo)體材料的能帶間隔比金屬要寬得多，從而使得半導(dǎo)體不易導(dǎo)電。但是，當(dāng)半導(dǎo)體材料接收到足夠的能量時，它的價帶中的電子就會躍遷到導(dǎo)帶中，從而產(chǎn)生了電流。

2. 半導(dǎo)體的光電特性

半導(dǎo)體的光電特性是指，當(dāng)光照射到半導(dǎo)體材料上時，會產(chǎn)生光生電子和空穴，從而增加了半導(dǎo)體材料的導(dǎo)電性。這個現(xiàn)象被稱為照度效應(yīng)。具體來說，當(dāng)光照射到半導(dǎo)體材料上時，光子的能量會激發(fā)材料中的電子，使其躍遷到導(dǎo)帶中，從而產(chǎn)生電流。這個過程被稱為光電效應(yīng)。由于半導(dǎo)體材料的導(dǎo)帶和價帶之間的能隙相對較小，因此半導(dǎo)體材料對光的敏感性很高。這使得半導(dǎo)體可以用于制作光電器件，如光電二極管、太陽能電池等。

3. 反向飽和特性

半導(dǎo)體的反向飽和特性是指，當(dāng)半導(dǎo)體材料處于反向偏置狀態(tài)時，電流的增長率會隨電壓的增加而減小，直到電流達(dá)到一個穩(wěn)定的值。這種特性被稱為反向飽和特性。反向飽和特性是由于半導(dǎo)體材料中存在著大量的摻雜物，這些摻雜物的存在使得電子易于從導(dǎo)帶中躍遷到價帶中，從而阻止了電流的流動。但是，當(dāng)電壓足夠大時，電子仍然能夠通過滲透效應(yīng)從導(dǎo)帶中穿過能隙，從而形成一個小電流。這種現(xiàn)象被稱為反向飽和電流。具有反向飽和特性的半導(dǎo)體材料可以用于制作壓敏電阻器和振蕩器等電子器件。